TN2425
低阈值N沟道增强模式
垂直的DMOS FET
特点
低门槛
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
概述
Supertex公司TN2425是一个低门槛enhancement-
模式（常关）晶体管，它利用垂直
DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生了一种装置
与双极晶体管的功率处理能力，
和高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特征全部
MOS结构，该设备不受热失控
和热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压，高的击穿电压，高
输入阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
医用超声脉冲发生器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
订购信息
设备
TN2425
封装选项
TO- 243AA （ SOT- 89 ）
TN2425N8
TN2425N8-G
BV
DSS
/ BV
DGS
250V
R
DS （ ON）
（最大）
I
D（上）
（分钟）
产品标识为TO- 243AA ：
TN4C
哪里
= 2个星期的α-日期代码
3.5Ω
1.5A
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
栅极至源极电压
工作和存储温度
焊接温度
1
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
引脚CON组fi guration
D
TN2425
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
注： 1 。
为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
G
D
（ TOP VIEW ）
S
TO- 243AA （ SOT- 89 ）
TN2425
电气特性
（T = 25° C除非另有规定编）
A
符号
参数
民
典型值
最大
单位
条件
BV
DSS
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
随温度的变化
门体漏电流
零栅极电压漏极电流
250
0.8
-
-
-
-
0.8
1.5
-
-
-
-
500
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
105
25
7
5
10
25
5
-
300
-
2.0
-5.0
100
10
1.0
-
-
6.0
5.0
3.5
1.7
-
200
100
40
15
25
35
15
1.5
-
V
V
毫伏/
O
C
nA
A
mA
A
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
=最大额定值，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= 0V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 3.0V ，我
D
= 150毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 250毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
DS
= 25V ，我
D
= 250毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
I
D（上）
通态漏电流
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
静态漏 - 源极导通状态
阻力
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
Ω
%/
O
C
mmho
pF
ns
V
DD
= 25V,
I
D
= 500毫安，
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 500毫安
V
GS
= 0V时，我
SD
= 500毫安
V
ns
注意事项：
1.全直流参数100％测试25
O
C除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
热特性
包
TO-243AA
I
D
（连续）
ID （脉冲）
480mA
1.9A
功耗
@T
A
= 25
O
C
1.6W
θ
JC
(
O
C / W ）
θ
JA
(
O
C / W ）
15
78
I
DR
480mA
I
DRM
1.9A
注意事项：
ID （连续）按最大额定电讯有限公司
J
.
安装在FR5板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显着的PD增加可能在陶瓷基板。
V
DD
R
L
脉冲
发电机
t
（上）
t
D（上）
V
DD
产量
0V
10%
90%
t
r
t
（关闭）
t
D（关闭）
t
f
输入
10%
90%
R
根
D.U.T
产量
开关波形和测试电路
10V
输入
0V
10%
90%
2
TN2425
TO- 243AA （ SOT- 89 ）封装外形（ N8 ）
4.50 ± 0.10
1.72 ± 0.10
0.40 ± 0.05
禁区
1.50 ± 0.10
4.10 ± 0.15
2.45 ± 0.15
2.21 ± 0.08
在没有过孔/痕迹
这个区域。形状
垫可能会发生变化。
1.05 ± 0.15
0.42 ± 0.06
1.50 BSC
3.00 BSC
0.5 ± 0.06
顶视图
SIDE VIEW
底部视图
注意事项：
1.所有尺寸以毫米为单位;各个角度的度数。
（包图纸（S ）本数据表可能不会再FL ECT最新的特定连接的阳离子。如需最近的封装外形
信息，请访问
http://www.supertex.com/packaging.html 。 ）
DOC 。 ＃ DSFP - TN2425
A111506
5
QQ：2881677436 复制
