TN2425TG
低门槛双N沟道增强模式
垂直的DMOS FET
特点
双N沟道器件
低门槛 - 2.0V最大。
高输入阻抗
低输入电容 - 200pF的
快速开关速度
低帽导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
Supertex公司TN2425TG是双低门槛
增强模式（常关）晶体管利用
垂直DMOS结构和Supertex公司的很好的证明
硅栅的制造工艺。这种组合
产生装置与所述功率处理能力
双极型晶体管，具有高输入阻抗和
正温度COEF网络cient固有的MOS器件。
所有MOS结构的特点，该设备是免费的
从热失控和热诱导的二次
击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压，高的击穿电压，高
输入阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
医用超声脉冲发生器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
订购信息
设备
TN2425TG
封装选项
8引脚SOIC （窄体）
TN2425TG
BV
DSS
/ BV
DGS
250V
R
DS （ ON）
（最大）
3.5Ω
V
GS （ TH）
（最大）
2.0V
I
D（上）
（分钟）
1.8A
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
栅极至源极电压
热阻，
结到漏极引线
工作和存储温度
焊接温度
1
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
50°C/W
引脚CON组fi guration
S1
1
8
D1
G1
2
7
D1
S2
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
3
6
D2
G2
4
5
D2
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
注： 1 。
为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
8引脚SOIC
（ TOP VIEW ）
TN2425TG
电气特性
（每个设备，T = 25° C除非另有规定编）
J
符号
参数
民
典型值
最大
单位
条件
BV
DSS
V
GS （ TH）
ΔV
MATCH
ΔV
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
V
GS （ TH）
随温度的变化
门体漏电流
零栅极电压漏极电流
250
0.6
-
-
-
-
-
1.5
1.8
-
-
-
-
300
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
115
30
10
-
-
-
5
10
25
5
-
300
-
2.0
25
-5.0
100
10
1.0
-
-
5.0
3.5
20
1.4
-
5
5
200
100
40
25
25
25
15
25
35
15
1.8
-
V
V
mV
毫伏/
O
C
nA
A
mA
A
Ω
%
%/
O
C
mmho
%
%
pF
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1mA时，
T
A
= 10
O
C - 80
O
C
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
=最大额定值，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= 0V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= 6.0V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 300毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 400毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 400毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 400毫安
V
DS
= 15V ，我
D
= 400毫安
V
DS
= 15V ，我
D
= 50毫安
V
GS
= 15V ，我
D
= 1.50A
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
MATCH
ΔR
DS （ ON）
G
FS
G
FSMATCH
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
ISSMATCH
C
OSSMATCH
C
RSSMATCH
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源极导通状态
阻力
通道到通道
DS （ ON）
匹配
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
通道槽G
FS
匹配
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
通道到通道C
国际空间站
匹配
通道到通道C
OSS
匹配
通道到通道C
RSS
匹配
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
%
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
ns
V
DD
= 25V ，我
D
= 500毫安，
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 500毫安
V
GS
= 0V时，我
SD
= 500毫安
V
ns
注意事项：
1.全直流参数100％测试25
O
C除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
10V
V
DD
R
L
OUTP
90%
输入
0V
10%
t
（上）
脉冲
发电机
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
R
根
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
D.U.T.
产量
0V
90%
90%
2
TN2425TG
8引脚SOIC （窄体）封装外形（ TG ）
4.90 ± 0.10
8
6.00 ± 0.20
3.90 ± 0.10
注2
1
顶视图
0.17 - 0.25
1.75最大
1.25敏
5° - 15°
（ 4 PLC）的
45°
0.25 - 0.50
注2
0° - 8°
0.10 - 0.25
1.27BSC
0.40 - 1.27
0.31 - 0.51
SIDE VIEW
注意事项：
1.以毫米为单位所有尺寸。角度。
2.如果在角落里不倒角，那么引脚1标识符
必须位于该区域之内的指示。
端视图
（包图纸（S ）本数据表可能不会再FL ECT最新的特定连接的阳离子。如需最近的封装外形
信息，请访问
http://www.supertex.com/packaging.html 。 ）
DOC 。 ＃ DSFP ， TN2425TG
NR111506
5
QQ：2880707522 复制
