TN2124
TN2124
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
240V
R
DS （ ON）
（最大）
15
V
GS （ TH）
（最大）
2.0V
订单号码/套餐
TO-243AA**
TN2124N8
TO-236AB*
TN2124K1
产品标识为SOT- 23 ：
N1C
哪里
= 2个星期的α-日期代码
*同SOT- 23 。各单位出货3000片载带卷盘。
** PRODCUT提供的2000件载带卷盘。
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用范围广
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
D
封装选项
漏
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
08/30/99
G
门
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
来源
D
S
TO-236AB
(SOT-23)
顶视图
TO-243AA
(SOT-89)
-55 ° C至+ 150°C
300°C
注：请参阅尺寸封装外形部分。
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关完整信息的责任涵盖这一点，
其他Supertex公司的产品，指的是Supertex公司1998数据手册。
1
TN2124
热特性
包
TO-236AB
TO-243AA
I
D
（连续） *
134mA
230mA
I
D
（脉冲的）
250mA
1.1A
功耗
@ T
A
= 25
°
C
0.36W
1.6W
θ
jc
°
C / W
200
15
θ
ja
°
C / W
350
78
I
DR
*
134mA
230mA
I
DRM
250mA
1.1A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR5板。 25mmx25mmx1.57mm 。显著P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
0.1
民
240
0.8
2.0
-5.5
100
1
100
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
注意事项：
1，所有的DC参数，除非另有说明100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
A
mA
条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1mA时， V
GS
= V
DS
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 3V ，我
D
= 25毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 120毫安
I
D
= 120毫安，V
GS
= 4.5V
V
DS
= 25V ，我
D
= 120毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
140
30
15
0.7
100
170
38
9
3
4
2
7
9
50
15
5
7
5
10
12
1.8
400
1.0
%/°C
m
pF
ns
V
ns
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
V
DD
= 25V
I
D
= 140毫安
R
根
= 25
I
SD
= 120毫安，V
GS
= 0V
I
SD
= 120毫安，V
GS
= 0V
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
TN2124
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
50
1.1
40
导通电阻与漏电流
V
GS
= 3V
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（欧姆）
30
1.0
20
V
GS
= 4.5V
10
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
j
(
°
C)
传输特性
1.0
1.4
0.8
I
D
（安培）
V
TH
和R
DS
随温度的变化
2.0
R
DS （ ON）
@ 4.5V ， 120毫安
1.6
125°C
25°C
1.2
1.2
1.0
0.8
0.8
0.6
0.4
V
DS
= 25V
0.2
0.6
0
0
2
4
6
8
10
-50
0
V
GS （ TH）
@ 1毫安
0.4
0
50
100
150
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
100
10
T
j
(
°
C)
栅极驱动器的动态特性
8
75
C（皮法）
V
GS
（伏）
F = 1MHz的
50
6
4
C
国际空间站
25
V
DS
= 10V
100pF
V
DS
= 40V
2
C
RSS
0
0
10
20
C
OSS
0
30
40
0
32 pF的
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
08/30/99
4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
R
DS （ ON）
（归一化）
V
GS （ TH）
（归一化）
T
A
= -55°C
I
D
（安培）
QQ：2880707522 复制
