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TN2106
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
60V
R
DS （ ON）
（最大）
2.5
V
GS （ TH）
（最大）
2.0V
订单号码/套餐
TO-236AB*
TN2106K1
TO-92
TN2106N3
DIE
TN2106ND
产品标识为SOT- 23 ：
N1L
哪里
= 2个星期的α-日期代码
*同SOT- 23 。各单位出货3000片载带卷盘。
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
D
的s
S摹
TO-236AB
(SOT-23)
顶视图
TO-92
注：请参阅尺寸封装外形部分。
01/06/03
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
TN2106
热特性
包
TO-236AB
TO-92
I
D
（连续） *
0.28A
0.30A
I
D
（脉冲的）
0.8A
1.0A
功耗
@ T
A
= 25
°
C
0.36W
0.74W
θ
jc
°
C / W
200
125
θ
ja
°
C / W
350
170
I
DR
*
0.28A
0.30A
I
DRM
0.8A
1.0A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
60
0.6
-3.8
0.1
2.0
-5.5
100
1
100
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
注意事项：
1，所有的DC参数，除非另有说明100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
A
A
条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1mA时， V
GS
= V
DS
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
DS
= 25V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
0.6
5.0
2.5
0.70
150
400
35
17
7
3
5
6
5
1.2
400
50
25
8
5
8
9
8
1.8
1.0
%/°C
m
pF
ns
V
ns
开关波形和测试电路
V
DD
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
V
DD
= 25V
I
D
= 0.5A
R
根
= 25
I
SD
= 0.5A ，V
GS
= 0V
I
SD
= 0.5A ，V
GS
= 0V
R
L
产量
D.U.T.
TN2106
典型性能曲线
输出特性
2.5
饱和特性
V
GS
=
10V
2.5
V
GS
=
10V
2.0
2.0
I
D
（安培）
8V
I
D
（安培）
1.5
1.5
8V
1.0
1.0
6V
0.5
6V
0.5
4V
3V
0
0
10
20
30
40
50
0
0
2
4
6
8
10
4V
3V
V
DS
（伏）
跨导主场迎战漏电流
0.5
1.0
V
DS
（伏）
功耗与温度的关系
0.4
V
DS
= 25V
0.8
TO-92
G
FS
（西门子）
25°C
0.2
P
D
（瓦特）
0.3
T
A
= -55°C
0.6
0.4
125°C
0.1
SOT-23
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
（安培）
最大额定安全工作区
1.0
SOT- 23 （脉冲）
1.0
T
A
(
°
C)
热响应特性
热电阻（标准化）
TO-236AB
0.8
TA = 25°C
PD = 0.36W
TO-92
TC = 25°C
PD = 1W
SOT- 23 （ DC ）
I
D
（安培）
0.1
0.6
0.4
0.01
T
A
= 25°C
0.2
0.001
0.1
1
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
V
DS
（伏）
t
p
（秒）
3
TN2106
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
10
1.1
8
导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5V
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（欧姆）
6
V
GS
= 10V
1.0
4
2
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
TJ （ ° C）
传输特性
1.0
ID （安培）
V
GS （ TH）
和R
DS （ ON）
随温度的变化
2.0
V
DS
= 25V
0.8
1.2
R
DS （ ON）
@ 10V ， 0.5A
1.6
1.0
1.2
0.8
0.8
0.6
0.6
0.4
25°C
125°C
0.2
V
GS （ TH）
@ 1毫安
0.4
0.4
0
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
0
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
100
10
TJ （ ° C）
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
8
75
V
DS
= 10V
C（皮法）
V
GS
（伏）
6
50
C
国际空间站
25
4
V
DS
= 20V
92 pF的
C
OSS
C
RSS
2
38 PF
0
0
10
20
30
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
01/06/03
2003 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
R
DS （ ON）
（归一化）
V
GS （ TH）
（归一化）
T
A
= -55°C
ID （安培）
TN2106
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
60V
R
DS （ ON）
（最大）
2.5
V
GS （ TH）
（最大）
2.0V
订单号码/套餐
TO-236AB*
TN2106K1
TO-92
TN2106N3
DIE
TN2106ND
产品标识为SOT- 23 ：
N1Lp
哪里
p
= 2个星期的α-日期代码
*同SOT- 23 。各单位出货3000片载带卷盘。
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
漏
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
注：请参阅尺寸封装外形部分。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
门
来源
S摹
TO-236AB
(SOT-23)
顶视图
TO-92
7-71
TN2106
热特性
包
TO-236AB
TO-92
I
D
（连续） *
0.28A
0.30A
I
D
（脉冲的）
0.8A
1.0A
功耗
@ T
A
= 25
°
C
0.36W
0.74W
θ
jc
°
C / W
200
125
θ
ja
°
C / W
350
170
I
DR
*
0.28A
0.30A
I
DRM
0.8A
1.0A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
60
0.6
-3.8
0.1
2.0
-5.5
100
1
100
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
150
0.70
400
35
17
7
3
5
6
5
1.2
400
50
25
8
5
8
9
8
1.8
V
ns
I
SD
= 0.5A ，V
GS
= 0V
I
SD
= 0.5A ，V
GS
= 0V
ns
V
DD
= 25V
I
D
= 0.5A
R
根
= 25
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
0.6
5.0
2.5
1.0
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
A
A
%/°C
m
条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1mA时， V
GS
= V
DS
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
DS
= 25V ，我
D
= 500毫安
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
V
DD
10V
90%
输入
0V
10%
t
（上）
t
D（上）
V
DD
产量
0V
90%
90%
t
r
t
（关闭）
t
D（关闭）
t
F
D.U.T.
10%
10%
输入
脉冲
发电机
R
根
R
L
产量
7-72
TN2106
典型性能曲线
输出特性
2.5
饱和特性
V
GS
=
10V
2.5
V
GS
=
10V
2.0
2.0
I
D
（安培）
8V
I
D
（安培）
1.5
1.5
8V
1.0
1.0
6V
0.5
6V
0.5
4V
3V
0
0
10
20
30
40
50
0
0
2
4
6
8
10
4V
3V
V
DS
（伏）
跨导主场迎战漏电流
0.5
1.0
V
DS
（伏）
功耗与温度的关系
0.4
V
DS
= 25V
0.8
TO-92
G
FS
（西门子）
25°C
0.2
P
D
（瓦特）
0.3
T
A
= -55°C
0.6
0.4
125°C
0.1
SOT-23
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
（安培）
最大额定安全工作区
1.0
SOT- 23 （脉冲）
1.0
T
A
(
°
C)
热响应特性
热电阻（标准化）
TO-236AB
0.8
TA = 25°C
PD = 0.36W
TO-92
TC = 25°C
PD = 1W
SOT- 23 （ DC ）
I
D
（安培）
0.1
0.6
0.4
0.01
T
A
= 25°C
0.2
0.001
0.1
1
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
V
DS
（伏）
t
p
（秒）
7-73
TN2106
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
10
1.1
8
导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5V
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（欧姆）
6
V
GS
= 10V
1.0
4
2
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
TJ （ ° C）
传输特性
1.0
ID （安培）
V
GS （ TH）
和R
DS （ ON）
随温度的变化
2.0
V
DS
= 25V
0.8
1.2
R
DS （ ON）
@ 10V ， 0.5A
1.6
V
GS （ TH）
（归一化）
1.0
1.2
0.8
0.8
0.6
0.6
0.4
25°C
125°C
0.2
V
GS （ TH）
@ 1毫安
0.4
0.4
0
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
0
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
100
10
TJ （ ° C）
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
8
75
V
DS
= 10V
C（皮法）
V
GS
（伏）
6
50
C
国际空间站
25
4
V
DS
= 20V
92 pF的
C
OSS
C
RSS
2
38 PF
0
0
10
20
30
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
7-74
R
DS （ ON）
（归一化）
T
A
= -55°C
ID （安培）
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TA0921A
TISP4070H3
T74LS260B1
TM1062DUA2
TC1313-CM1EUN
TCMD4000
TC2185-3.3VCTTR
TMS320C6415EGLZA5E0
TA0277A
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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