TN1504/TN1506/TN1510
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
特点
低门槛 - 2.0V最大。
高输入阻抗
低输入电容 - 50pF的典型
快速开关速度
低导通电阻
从二次击穿免费
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
概述
这些低阈增强模式（常关）
晶体管采用垂直DMOS结构和Supertex公司
成熟的硅栅的制造工艺。这combi-
国内生产设备的功率处理能力
双极型晶体管，并具有高输入阻抗和
正温度COEF网络cient固有的MOS器件。
所有MOS结构的特征，这些设备都是免费的
从热失控和热诱导的二次
击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于宽
各种开关和放大应用中非常
低阈值电压，高的击穿电压，高输入im-
pedance ，低输入电容，和快速的开关速度
是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至源极电压
漏极至源极电压
工作和存储温度
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55
O
C至+150
O
C
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能发生的设备。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
该装置的绝对等级水平的连续操作可能会影响
器件的可靠性。所有电压参考器件接地。
订购信息
设备
TN1504
TN1506
TN1510
*死在晶圆形式。
订单号
死*
TN1504NW
TN1506NW
TN1510NW
BV
DSS
/ BV
DGS
40V
60V
100V
R
DS （ ON）
（最大）
3.0Ω
3.0Ω
3.0Ω
V
GS （ TH）
（最大）
2.0V
2.0V
2.0V
I
D（上）
（分钟）
2.0A
2.0A
2.0A
1
TN1504/TN1506/TN1510
电气特性
（ @ 25°C ，除非另有规定编）
O
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
TN1504
漏极至源极突破性
电压下降
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
TN1506
TN1510
民
40
60
100
0.6
-
-
典型值
-
最大
-
单位
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
- 0.5毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
=0V, V
DS
=最大额定值
-
-3.8
0.1
2.0
-5.0
100
10
V
毫伏/
O
C
nA
零栅极电压漏极电流
-
-
500
μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125
O
C
V
GS
= 5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 250毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
V
DS
= 25V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V F = 1 MHz的
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源极导通状态
阻力
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
-
-
-
-
-
225
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.4
3.4
2.0
1.6
0.6
400
50
25
4.0
2.0
3.0
6.0
3.0
1.0
400
-
-
4.5
3.0
1.1
-
60
35
8.05
5.0
5.0
7.0
6.0
1.5
-
A
Ω
%/
O
C
mmho
pF
ns
V
DD
= 25V ，我
D
= 1.0A
R
根
= 25Ω
V
ns
V
GS
= 0V时，我
SD
= 0.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 0.5A
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
V
DD
10V
90%
输入
0V
10%
t
（上）
脉冲
发电机
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
R
L
产量
R
根
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
D.U.T.
产量
0V
90%
90%
DOC 。 ＃ DSFP - TN1504 / TN1506 / TN1510
062706
2
TN1506/TN1510
TN1506
TN1510
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
60V
100V
*死在晶圆形式。
R
DS （ ON）
（最大）
3.0
3.0
I
D（上）
（分钟）
2A
2A
V
GS （ TH）
（最大）
2.0V
2.0V
订单号码/套餐
死*
TN1506NW
TN1510NW
特点
低门槛 - 2.0V最大。
高输入阻抗
低输入电容 - 50pF的典型
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
10/03/02
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
TN1506/TN1510
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
TN1510
TN1506
民
100
60
0.6
-3.2
2.0
-5.0
100
10
500
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
0.75
2.0
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
225
1.4
3.4
2.0
1.6
0.6
400
50
25
4.0
2.0
3.0
6.0
3.0
1.0
400
60
35
8.0
5.0
5.0
7.0
6.0
1.5
V
ns
I
SD
= 0.5A ，V
GS
= 0V
I
SD
= 0.5A ，V
GS
= 0V
ns
V
DD
= 25V
I
D
= 1.0A
R
根
= 25
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
4.5
3.0
1.1
%/°C
m
A
A
V
毫伏/°C的
nA
V
GS
= V
DS
, I
D
- 0.5毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 250毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
I
D
= 0.5A ，V
GS
= 10V
V
DS
= 25V ，我
D
= 500毫安
典型值
最大
单位
V
条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2002 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
2
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
10/03//02
QQ：2880707522 复制
