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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第808页 > TN1215-600B-TR
TN1215-600B
标准SCR
特点
I
真有效值
= 12 A
V
DRM
/ V
RRM
= 600 V
I
GT
＆ LT ;
15毫安
I
TSM
= 110 A
描述
该TN1215-600B可控硅使用高性能
TOPGLASS PNPN技术。
本部分适用于一般用途
采用表面贴装技术的应用和
要求高浪涌能力（电动工具，
过压保护，电压调节等） 。
绝对最大额定值
符号
V
DRM
V
RRM
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
（180°导通角）
平均通态电流
（180°导通角）
不重复浪涌峰值通态电流
（ TJ初始= 25°C ）
I
2
为融合吨价
通态电流临界上升率
dI
G
/ DT = 1 A / μs的。
I
G
= 20毫安
存储结温范围
工作结温范围
在10秒最高温度为焊接
TJ = 125°C
TC = 105℃
TC = 105℃
TP = 8.3毫秒
TP = 10毫秒
I
2
t
的di / dt
T
英镑
T
j
T
TP = 10ms的
价值
600
12
8
115
110
60
50
- 40 + 150
- 40至+ 125
260
A
2
s
A / μs的
°C
°C
单位
V
A
A
A
K
A
A
G
DPAK
1998年9月 - 埃德： 1A
1/5
TN1215-600B
热阻
符号
Rth的第（j-一）
RTH （J -C ）
参数
结到环境（S = 0.5厘米
2
)
结到外壳的D.C
价值
70
1.5
单位
° C / W
° C / W
GATE特性
P
G（ AV ）
= 1W P
GM
= 10 W（ TP = 20
s)
I
GM
= 4 A（ TP = 20
s)
V
RGM
= 5 V
电气特性
符号
I
GT
测试条件
V
D
= 12V （DC ）R
L
= 33
TJ = 25°C
TYPE
民
最大
V
GT
V
GD
I
H
V
TM
I
DRM
I
RRM
dv / dt的
V
D
= 12V （DC ）R
L
= 33
V
D
= V
DRM
R
L
= 3.3k
I
T
= 100毫安
门打开
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
最大
民
最大
最大
最大
最大
民
价值
2
15
1.5
0.2
40
1.6
10
2
200
V
V
mA
V
A
mA
V / μs的
单位
mA
I
TM
= 24A TP = 380μs
V
D
= V
DRM
V
R
= V
RRM
线性斜率高达
V
D
=67%V
DRM
门打开
订购信息
TN
标准SCR
12
15 - 600
灵敏度
B（ -TR ）
磁带&卷轴
包：
B： DPAK
当前
2/5
V
DRM
/ V
RRM
TN1215-600B
图。 1 ：
最大平均功耗
与平均通态电流。
图。 2 ：
最大平均相关性
功耗和最大允许
温度（T
AMB
和T
例
）为不同
热阻。
P（ W）的
α
P（ W）的
14
12
α
α
14
12
10
8
6
360°
α
Rth=0°C/W
温度上限（ ℃）
105
110
115
Rth=70°C/W
Rth=37°C/W
10
8
6
4
2
0
0
2
α
α
4
2
120
125
IT （ AV ） （A ）
4
6
8
α
0
0
20
40
10
12
60
80
TAMB （ ° C）
100
120
140
图。 3 ：
平均和哥伦比亚特区的通态电流对
外壳温度。
图。 4 ：
平均和哥伦比亚特区的通态电流对
环境温度（印刷电路板FR4，
SCu=0.5cm2).
IT （ AV ） （A ）
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
IT （ AV ） （A ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
25
温度上限（ ℃）
50
75
100
125
α
特区
特区
α
TAMB （ ° C）
0
25
50
75
100
125
图。 5 ：
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间
（推荐焊盘布局） 。
K = [ Zth时第（j-一） / Rth的第（j- a）所示
1.00
图。 6 ：
门极触发电流的相对变化和
保持电流与结温
Igt,IH[Tj]/Ig,IH[Tj=25°C]
2.5
2.0
IGT
1.5
0.10
1.0
0.5
TP （多个）
0.01
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
IH
TJ （ ° C）
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
3/5
TN1215-600B
图7 ：
不重复浪涌峰值通态电流
对周期数。
图8 ：
不重复浪涌峰值通态电流
对于正弦脉冲宽度tp<10ms ，并
的I2t的相应值。
ITSM （ A） ， I了（ As ）
500
TJ初始= 25°C
F=50Hz
120
100
80
ITSM （ A）
TJ初始= 25°C
ITSM
100
60
40
20
周期数
0
1
10
100
1000
I了
TP（ ms）的
10
1
2
5
10
图9 ：
通态特性（最大值） 。
图10 ：
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面（环氧树脂印刷
电路板FR4 ，铜厚度为35μm ） 。
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
100
100.0
ITM （ A）
TJ最大：
Vto=0.85V
Rt=30m
TJ = Tj最高。
80
60
10.0
Tj=25°C
1.0
40
20
VTM （ V）
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
0
2
4
6
S（铜）（平方厘米）
8
10
12
14
16
18
20
4/5
TN1215-600B
包装机械数据
DPAK
尺寸
REF 。
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
H
L2
L4
V2
0.60
0°
MILLIMETERS
MIN 。 TYP 。
2.20
0.90
0.03
0.64
5.20
0.45
0.48
6.00
6.40
4.40
9.35
0.80
1.00 0.023
8°
0°
最大
2.40 0.086
1.10 0.035
0.23 0.001
0.90 0.025
5.40 0.204
0.60 0.017
0.60 0.018
6.20 0.236
6.60 0.251
4.60 0.173
10.10 0.368
0.031
0.039
8°
英寸
分钟。典型值。马克斯。
0.094
0.043
0.009
0.035
0.212
0.023
0.023
0.244
0.259
0.181
0.397
FOOT PRINT尺寸
（单位：毫米）
6.7
重量： 0.30克
记号
TYPE
记号
TN
1215
6
6.7
TN1215-600B
6.7
3
1.6
2.3
2.3
1.6
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
1998意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 墨西哥 - 摩洛哥 -
荷兰 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
http://www.st.com
5/5
TN12 ， TS12和TYNx12系列
可控硅12A
S
A
敏感&标准
表1 ：主要特点
符号
I
T（ RMS ）
V
DRM
/V
RRM
I
GT
价值
12
600至1000
0.2-15
单位
A
V
mA
A
G
K
A
描述
可无论是在敏感
(TS12)
或标准
（ TN12 / TYN ）
门触发电平，可控硅12A
系列适合适合控制所有模式，发现
中的应用，如过压保护电路
保护，电动工具电机控制电路
和厨房助剂，浪涌电流限制电路，
电容放电点火电压
调节电路...
可在通孔或表面贴装
封装，提供了优化的性能
在有限的空间区域。
K A
G
K A
G
DPAK
（ TN12 -B / TS12 -B ）
A
D
2
PAK
(TN12-G)
A
K
A
K
G
A
G
IPAK
（ TN12 - H / TS12 -H ），
TO-220AB
(TYNx12RG)
表2 ：订购代码
产品编号
TN1215-x00B
TN1215-x00B-TR
TN1215-x00G
TN1215-x00G-TR
TN1215-x00H
TS1220-x00B
TS1220-x00B-TR
TS1220-x00H
TYNx12RG
TYNx12TRG
记号
TN1215x00
TN1215x00
TN1215x00G
TN1215x00G
TN1215x00
TS1220x00
TS1220x00
TS1220x00
TYNx12
TYNx12T
2005年10月
启5
1/11
TN12 ， TS12和TYNx12系列
表3 ：绝对额定值
（限制值）
价值
符号
参数
TN12-G
TYN12
T
c
= 105°C
T
c
= 105°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
145
140
98
50
4
1
- 40 + 150
- 40至+ 125
5
TN12-B/H
TS12-B/H
12
8
115
110
60
A
A
2S
A / μs的
A
W
°C
V
单位
I
T（ RMS ）
IT
（AV）
I
TSM
I
t
的di / dt
I
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
V
RGM
通态电流有效值（ 180 °导通角）
通态平均电流（ 180 °导
角）
不重复浪涌峰值导通
目前状态
I
为融合吨价
t
p
= 8.3毫秒
t
p
= 10毫秒
t
p
= 10毫秒
A
A
对国家崛起的临界速度
电流I
G
= 2×我
GT
, t
r
≤
100 NS F = 60 Hz的
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
t
p
= 20 s
最大峰值反向栅极电压（
TN12
＆放大器;
TYN12
只）
表4 ：电气特性
(T
j
= 25 ° C，除非另有规定编）
■
敏感
测试条件
V
D
= 12 V
V
D
= V
DRM
I
RG
= 10 A
I
T
= 50毫安
I
G
= 1毫安
R
GK
= 1 k
R
GK
= 1 k
R
GK
= 220
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
R
L
= 140
R
L
= 3.3 k
R
GK
= 1 k
T
j
= 125°C
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
2
mA
TS1220
200
0.8
0.1
8
5
6
5
1.6
0.85
30
5
单位
A
V
V
V
mA
mA
V / μs的
V
V
m
A
符号
I
GT
V
GT
V
GD
V
RG
I
H
I
L
dv / dt的
V
TM
V
t0
R
d
I
DRM
I
RRM
V
D
= 65 % V
DRM
I
TM
= 24 A
TP = 380微秒
阈值电压
动态电阻
V
DRM
= V
RRM
R
GK
= 220
2/11
TN12 ， TS12和TYNx12系列
■
标准
测试条件
分钟。
V
D
= 12 V
V
D
= V
DRM
I
T
= 500毫安
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67 % V
DRM
I
TM
= 24 A
阈值电压
动态电阻
V
DRM
= V
RRM
门打开牛逼
j
=125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
t
p
= 380 s
R
L
= 33
R
L
= 3.3 k
门打开
T
j
= 125°C
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
40
80
200
1.6
0.85
30
5
2
30
60
TN1215
B / H
2
15
1.3
0.2
15
30
40
30
60
200
G
0.5
5
TYN
x12T
x12
2
15
单位
mA
V
V
mA
mA
V / μs的
V
V
m
A
mA
符号
I
GT
V
GT
V
GD
I
H
I
L
dv / dt的
V
TM
V
t0
R
d
I
DRM
I
RRM
表6 ：热阻
符号
R
日（J -C ）
结到外壳（ DC ）
S = 0.5厘米
R
号（j -a）的
结到环境（ DC ）
S = 1厘米
DPAK
D
2
PAK
IPAK
TO-220AB
选项卡下的S =铜表面。
参数
价值
1.3
70
45
100
60
单位
° C / W
° C / W
图1 ：最大平均功耗
与平均通态电流
P（ W）的
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
360°
α
= 180°
图2 ：平均和哥伦比亚特区的通态电流
VERSUS外壳温度
I
T（ AV ）
(A)
14
特区
12
10
α
= 180°
8
6
4
2
I
T（ AV ）
(A)
α
8
9
T
例
(°C)
0
0
25
50
75
100
125
3/11
TN12 ， TS12和TYNx12系列
图3 ：平均和哥伦比亚特区的通态电流
相对于环境温度（装置安装
在FR4与建议焊盘布局） （ DPAK ）
I
T（ AV ）
(A)
3.0
2.5
特区
图4 ：热的相对变化
阻抗结到外壳与脉冲
长短
K = [Z
日（J -C ）
/R
日（J -C ）
]
1.0
2.0
1.5
α
= 180°
D
2
PAK
0.5
1.0
0.5
DPAK
0.2
T
AMB
(°C)
0.0
0
25
50
75
100
125
t
p
(s)
0.1
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
图5 ：热相对变化
阻抗结点到环境与脉冲
持续时间（推荐焊盘布局， FR4 PC
板DPAK ）
K = [Z
号（j -a）的
/R
号（j -a）的
]
1.00
图6 ：门极触发的相对变化
电流和保持电流与结
温度TS8系列
I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
] / I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
=25°C]
2.0
1.8
1.6
DPAK
I
GT
1.4
D
2
PAK
1.2
TO -220 / IPAK
0.10
1.0
0.8
0.6
0.4
I
H
＆放大器;我
L
R
GK
= 1k
t
p
(s)
0.01
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
0.2
0.0
-40
-20
0
20
T
j
(°C)
40
60
80
100
120
140
图7 ：门极触发的相对变化
电流和保持电流与结
温度TN8 & TYN08系列
I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
] / I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
=25°C]
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
I
H
＆放大器;我
L
I
GT
图8 ：保持电流的相对变化
与门极 - 阴极电阻（典型
值），用于TS8系列
I
H
[R
GK
] / I
H
[R
GK
=1k
]
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
T
j
= 25°C
T
j
(°C)
0.5
0.0
1E-2
1E-1
R
GK
(k
)
1E+0
1E+1
4/11
TN12 ， TS12和TYNx12系列
图9 ：的dV的相对变化/ dt抗扰性
与门极 - 阴极电阻（典型
值），用于TS8系列
的dV / dt [R
GK
] / DV / DT [R
GK
=220
]
10.0
T
j
= 125°C
V
D
= 0.67 x垂直
DRM
图10：的dV / dt抗扰性相对变化
相对于栅极 - 阴极电容（典型
值），用于TS8系列
的dV / dt [C
GK
] / DV / DT [R
GK
=220
]
4.0
3.5
3.0
2.5
V
D
= 0.67 x垂直
DRM
T
j
= 125°C
R
GK
= 220
1.0
2.0
1.5
1.0
R
GK
(k
)
0.1
0
200
400
600
800
1000
1200
0.5
0.0
0
25
50
C
GK
（ NF）
75
100
125
150
图11：通态电流与浪涌峰值
周期数
图12 ：通态不重复浪涌峰值
电流的正弦脉冲宽度
I了的TP < 10毫秒，和相应的值
I
TSM
（A ） ，我
2
T（A
2
s)
2000
T
j
初始= 25°C
I
TSM
(A)
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
1000
TN12 / TYN12
不重复
T
j
initial=25°C
TS12
t
p
=10ms
一个周期
I
TSM
TN12 / TYN12
TS12
的di / dt限制
100
It
2
TN12 / TYN12
TS12
重复
T
C
=105°C
周期数
10
t
p
（女士）
0.01
0.10
1.00
10.00
10
100
1000
图13 ：通态特性（最大
值）
图14 ：热阻结到
环境与选项卡下的铜表面
（环氧树脂印刷电路板FR4，铜
厚度为35μm ）， （ DPAK和D
2
PAK ）
R
号（j -a）的
（ ° C / W）
100
I
TM
(A)
200
100
T
j
最大：
V
t0
=0.85V
R
d
=30m
80
60
T
j
μMAX
DPAK
10
T
j
=25°C
40
D
2
PAK
20
V
TM
(V)
1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
0
2
4
6
8
S（平方厘米）
10
12
14
16
18
20
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