TN0620
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
200V
R
DS （ ON）
（最大）
6.0
I
D（上）
（分钟）
1.0A
V
GS （ TH）
（最大）
1.6V
订单号码/套餐
TO-92
TN0620N3
TO-220
TN0620N5
MIL视觉筛选可用
7
高可靠性器件
请参阅军用标准流程5-4页和5-5
流动和订购信息。
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
特点
s
低门槛 - 1.6V最大。
s
高输入阻抗
s
低输入电容 - 110pF典型
s
快速开关速度
s
低导通电阻
s
无二次击穿
s
低输入和输出泄漏
s
互补N和P沟道器件
封装选项
应用
s
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
s
固态继电器
s
电池供电系统
s
光伏驱动器
s
模拟开关
s
通用线路驱动器
s
电信交换机
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
7-55
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
G
SGD
S
TO-92
TO-220
TAB ：排水
注：请参阅尺寸封装外形部分。
TN0620
热特性
包
TO-92
TO-220
I
D
（连续） *
0.4A
1.5A
I
D
（脉冲的）
2.0A
2.5A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1W
45W
θ
jc
°
C / W
125
2.7
θ
ja
°
C / W
170
70
I
DR
*
0.4A
1.5A
I
DRM
2.0A
2.5A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
200
0.6
1.6
-5.0
100
10
1.0
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
0.5
1.0
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
300
300
400
110
40
10
150
85
35
10
8
20
20
1.8
V
ns
ns
V
DD
= 25V
I
D
= 1.0A
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.0A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.0A
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
6.0
4.0
8.0
6.0
1.4
%/°C
m
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 2.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 5V ，我
D
= 0.25A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
V
DS
= 25V ，我
D
= 0.5A
A
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
V
DD
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
10%
t
（上）
t
D（上）
V
DD
产量
0V
90%
90%
10%
t
r
t
（关闭）
t
D（关闭）
t
F
50
10%
输入
脉冲
发电机
产量
D.U.T.
R
L
7-56
QQ：2880707522 复制
