TN0604
N沟道增强模式
垂直的DMOS FET
特点
低门槛 - 1.6V最大。
高输入阻抗
低输入电容 - 140pF典型
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
概述
这个低阈值，增强模式（常关）
晶体管采用了垂直的DMOS结构和Supertex公司
经过充分验证，硅栅的制造工艺。这
结合产生了一种装置，具有功率处理
双极晶体管和高输入的能力
阻抗和正温度COEF网络cient固有
在MOS器件。所有MOS结构的特点，
设备是无热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压，高的击穿电压，高
输入阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
在四阵列封装（ 20引脚SOW （工作组） ）使用
四个独立的DMOS晶体管可提供4
独立信道。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
订购信息
BV
DSS
/ BV
DGS
(V)
R
DS （ ON）
最大
(Ω)
I
D（上）
民
(A)
V
GS （ TH）
最大
(V)
封装选项
TO-92
TN0604N3-G
-
20引脚SOW
-
TN0604WG-G
40
40
0.75
1.0
4.0
4.0
1.6
1.6
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55
O
C至+150
O
C
300
O
C
销刀豆网络gurations
来源
漏
门
漏
1
漏
1
漏
1
门
1
来源
1
来源
2
门
2
漏
2
漏
2
漏
2
漏
4
漏
4
漏
4
门
4
来源
4
来源
3
门
3
漏
3
漏
3
漏
3
TO-92 （N 3 ）
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
20引脚SOW （工作组）
产品标识
顶部标记
YYWW
T N 0604WG
LLLLLLLLLL
产品标识
TN
0604
YYWW
YY =年密封
WW =周密封
= “绿色”包装
TO-92 （N 3 ）
底部标志
CCCCCCCCCCC
AAA
YY =年密封
WW =周密封
L =批号
C =原产地*
A =汇编ID *
= “绿色”包装
*可能是顶部的一部分标记
20引脚SOW （工作组）
TN0604
热特性
包
TO-92 （N 3 ）
20引脚SOW （工作组）
（连续）
(A)
I
D
(1)
（脉冲的）
(A)
I
D
功耗
@T
A
= 25
O
C
(W)
θ
jc
（ C / W ）
O
θ
ja
（ C / W ）
O
I
DR(1)
(A)
I
DRM
(A)
0.7
1.0
4.6
4.0
0.74
1.5
125
-
170
84
0.7
1.0
4.6
4.0
注意事项：
(1) I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ @ 25°C ，除非另有规定编）
O
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
40
0.6
-
-
-
-
1.5
4.0
TO -92/ 20引脚SOW
-
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TO-92
20引脚SOW
典型值
-
-
-3.8
-
-
-
2.1
7.0
1.0
0.6
-
0.5
0.8
140
75
25
-
-
-
-
1.2
300
最大
-
1.6
-4.5
100
10
1.0
-
-
1.6
0.75
1.0
0.75
-
190
110
50
10
6.0
25
20
1.8
-
单位
V
V
nA
A
mA
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 2.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= ± 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最大额定
荷兰国际集团，T
A
= 125°C
V
GS
= 5.0V, V
DS
= 20V
V
GS
= 10V, V
DS
= 20V
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 0.75A
毫伏/
O
（C V）
GS
= V
DS
, I
D
= 2.5毫安
I
D（上）
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Ω
%/
O
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.5A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.5A
V
GS
= 0V,
V
DS
= 20V,
F = 1.0MHz的
V
DD
= 20V,
I
D
= 0.5A,
R
根
= 25Ω
变化在研发
DS （ ON）
随温度
转发Transductance
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
mmho V
DS
= 20V ，我
D
= 1.5A
pF
ns
V
ns
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.0A
注意事项：
（1）所有的直流参数的100％ ，在25测试
O
C除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
（2）所有交流参数样品进行测试。
开关波形和测试电路
10V
V
DD
R
L
产量
90%
输入
0V
10%
t
（上）
脉冲
发电机
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
R
根
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
D.U.T.
产量
0V
90%
90%
2
QQ：2880707522 复制
