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TN0201T
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
20
r
DS （ ON）
最大值（W）的
1.0 @ V
GS
= 10 V
1.4 @ V
GS
= 4.5 V
V
GS （ TH）
(V)
为1.03.0
I
D
(A)
0.39
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 0.75
W
低门槛： <1.75 V
低输入电容： 65 pF的
开关速度快： 15纳秒
低输入和输出泄漏
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
低电压操作
轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
应用
D
直接逻辑电平接口： TTL / CMOS
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆，晶体管等。
D
电池供电系统
D
固态继电器
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
标识代码： N1wll
N1 =型号代码TN0201T
w
=周典
ll
=批次追踪
S
2
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
_
漏电流脉冲
a
功耗
热阻，结到环境
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
文档编号： 70200
S- 04279 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
极限
20
"20
0.39
0.25
0.75
0.35
0.22
357
-55到150
单位
V
A
W
° C / W
_C
11-1
TN0201T
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.3 A
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.2 A
I
S
= 0.3 A，V
GS
= 0 V
0.75
450
0.85
1.0
mS
V
V
GS
= 0 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 14 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.1 A
0.5
0.75
1
1.4
20
1.0
40
1.90
3.0
"100
1
10
mA
m
A
W
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 16 V, V
GS
= 10 V
I
D
^
0.3 A
1400
300
200
65
35
6
pF
pC
开关
A，C
t
D（上）
开启时间
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
= 15 V ，R
L
= 50
W
I
D
^
0.3 A，V
根
= 10 V
R
G
= 6
W
5
10
ns
12
6
VNBP02
打开-O FF时间
www.vishay.com
11-2
文档编号： 70200
S- 04279 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
TN0201T
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
输出特性
0.8
5V
0.7
0.6
I
D
- 漏极电流（ A）
0.5
0.4
0.3
3V
0.2
0.1
2V
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
I
D
- 漏极电流（ A）
0.6
4V
0.8
1.0
传输特性
0.4
0.2
T
J
= 125_C
–55_C
25_C
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与栅源电压
2.4
1.5
导通电阻与漏电流
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
2.0
1.2
V
GS
= 4.5 V
0.9
V
GS
= 10 V
0.6
1.6
1.2
I
D
@ 300毫安
0.8
0.4
0.3
0.0
0
4
8
12
16
20
0.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏极电流（ A）
导通电阻与结温
1.65
0.2
阈值电压变化过温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.45
V
GS （ TH）
- 方差（ V）
V
GS
= 10 V @ 300毫安
1.25
V
GS
= 4.5 V
@ 100毫安
0.1
I
D
= 250
mA
–0.0
–0.1
1.05
–0.2
0.85
–0.3
0.65
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
–0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70200
S- 04279 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
11-3
TN0201T
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
140
120
100
80
C
国际空间站
60
40
20
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
OSS
V
GS
= 0V
S = IMH
Z
电容
20
V
DS
= 16 V
I
D
= 300毫安
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
15
栅极电荷
- 电容（pF ）
10
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
源极 - 漏极二极管正向电压
10.0
I
D
= 250
mA
1.0
I
S
- 源电流（ A）
0.100
T
J
= 125_C
0.010
25_C
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
www.vishay.com
11-4
文档编号： 70200
S- 04279 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
TN0201T
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
20
r
DS （ ON）
最大值（W）的
1.0 @ V
GS
= 10 V
1.4 @ V
GS
= 4.5 V
V
GS （ TH）
(V)
为1.03.0
I
D
(A)
0.39
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 0.75
W
低门槛： <1.75 V
低输入电容： 65 pF的
开关速度快： 15纳秒
低输入和输出泄漏
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
低电压操作
轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
应用
D
直接逻辑电平接口： TTL / CMOS
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆，晶体管等。
D
电池供电系统
D
固态继电器
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
标识代码： N1wll
N1 =型号代码TN0201T
w
=周典
ll
=批次追踪
S
2
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
_
漏电流脉冲
a
功耗
热阻，结到环境
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
文档编号： 70200
S- 04279 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
极限
20
"20
0.39
0.25
0.75
0.35
0.22
357
-55到150
单位
V
A
W
° C / W
_C
11-1
TN0201T
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.3 A
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V
SD
V
DS
= 10 V，I
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= 0.3 A，V
GS
= 0 V
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1.0
mS
V
V
GS
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V
DS
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GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
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V
DS
= 14 V, V
GS
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J
= 55_C
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V，I
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0.5
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1
1.4
20
1.0
40
1.90
3.0
"100
1
10
mA
m
A
W
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
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栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 16 V, V
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= 10 V
I
D
^
0.3 A
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300
200
65
35
6
pF
pC
开关
A，C
t
D（上）
开启时间
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
= 15 V ，R
L
= 50
W
I
D
^
0.3 A，V
根
= 10 V
R
G
= 6
W
5
10
ns
12
6
VNBP02
打开-O FF时间
www.vishay.com
11-2
文档编号： 70200
S- 04279 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
TN0201T
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
输出特性
0.8
5V
0.7
0.6
I
D
- 漏极电流（ A）
0.5
0.4
0.3
3V
0.2
0.1
2V
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0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
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1.2
1.4
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0.0
0.5
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1.5
2.0
2.5
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
I
D
- 漏极电流（ A）
0.6
4V
0.8
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传输特性
0.4
0.2
T
J
= 125_C
–55_C
25_C
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与栅源电压
2.4
1.5
导通电阻与漏电流
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
2.0
1.2
V
GS
= 4.5 V
0.9
V
GS
= 10 V
0.6
1.6
1.2
I
D
@ 300毫安
0.8
0.4
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0
4
8
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16
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0.1
0.2
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0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏极电流（ A）
导通电阻与结温
1.65
0.2
阈值电压变化过温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.45
V
GS （ TH）
- 方差（ V）
V
GS
= 10 V @ 300毫安
1.25
V
GS
= 4.5 V
@ 100毫安
0.1
I
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= 250
mA
–0.0
–0.1
1.05
–0.2
0.85
–0.3
0.65
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25
50
75
100
125
150
–0.4
–50
–25
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25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70200
S- 04279 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
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TN0201T
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
140
120
100
80
C
国际空间站
60
40
20
C
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0
0
4
8
12
16
20
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
OSS
V
GS
= 0V
S = IMH
Z
电容
20
V
DS
= 16 V
I
D
= 300毫安
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
15
栅极电荷
- 电容（pF ）
10
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
源极 - 漏极二极管正向电压
10.0
I
D
= 250
mA
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I
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- 源电流（ A）
0.100
T
J
= 125_C
0.010
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0.001
0
0.2
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0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
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11-4
文档编号： 70200
S- 04279 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
TN0201T
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
20
r
DS （ ON）
最大值（W）的
1.0 @ V
GS
= 10 V
1.4 @ V
GS
= 4.5 V
V
GS （ TH）
(V)
为1.03.0
I
D
(A)
0.39
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 0.75
W
低门槛： <1.75 V
低输入电容： 65 pF的
开关速度快： 15纳秒
低输入和输出泄漏
好处
D
D
D
D
D
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轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
应用
D
直接逻辑电平接口： TTL / CMOS
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆，晶体管等。
D
电池供电系统
D
固态继电器
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
标识代码： N1wll
N1 =型号代码TN0201T
w
=周典
ll
=批次追踪
S
2
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
_
漏电流脉冲
a
功耗
热阻，结到环境
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
文档编号： 70200
S- 04279 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
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T
J
, T
英镑
极限
20
"20
0.39
0.25
0.75
0.35
0.22
357
-55到150
单位
V
A
W
° C / W
_C
11-1
TN0201T
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.3 A
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
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I
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= 0.3 A，V
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0.75
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0.85
1.0
mS
V
V
GS
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mA
V
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GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 14 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.1 A
0.5
0.75
1
1.4
20
1.0
40
1.90
3.0
"100
1
10
mA
m
A
W
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 16 V, V
GS
= 10 V
I
D
^
0.3 A
1400
300
200
65
35
6
pF
pC
开关
A，C
t
D（上）
开启时间
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
= 15 V ，R
L
= 50
W
I
D
^
0.3 A，V
根
= 10 V
R
G
= 6
W
5
10
ns
12
6
VNBP02
打开-O FF时间
www.vishay.com
11-2
文档编号： 70200
S- 04279 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
TN0201T
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
输出特性
0.8
5V
0.7
0.6
I
D
- 漏极电流（ A）
0.5
0.4
0.3
3V
0.2
0.1
2V
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
I
D
- 漏极电流（ A）
0.6
4V
0.8
1.0
传输特性
0.4
0.2
T
J
= 125_C
–55_C
25_C
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与栅源电压
2.4
1.5
导通电阻与漏电流
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
2.0
1.2
V
GS
= 4.5 V
0.9
V
GS
= 10 V
0.6
1.6
1.2
I
D
@ 300毫安
0.8
0.4
0.3
0.0
0
4
8
12
16
20
0.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏极电流（ A）
导通电阻与结温
1.65
0.2
阈值电压变化过温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.45
V
GS （ TH）
- 方差（ V）
V
GS
= 10 V @ 300毫安
1.25
V
GS
= 4.5 V
@ 100毫安
0.1
I
D
= 250
mA
–0.0
–0.1
1.05
–0.2
0.85
–0.3
0.65
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
–0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70200
S- 04279 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
11-3
TN0201T
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
140
120
100
80
C
国际空间站
60
40
20
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
OSS
V
GS
= 0V
S = IMH
Z
电容
20
V
DS
= 16 V
I
D
= 300毫安
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
15
栅极电荷
- 电容（pF ）
10
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
源极 - 漏极二极管正向电压
10.0
I
D
= 250
mA
1.0
I
S
- 源电流（ A）
0.100
T
J
= 125_C
0.010
25_C
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
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文档编号： 70200
S- 04279 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
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