TMS664414 ， TMS664814 ， TMS664164
4 194 304 4 - BIT / 2 097 152 ×8位/ 1 048 576 ×16位× 4 -BANK
同步动态随机存取存储器
SMOS695A - 1998年4月 - 修订1998年7月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织。 。 。
1 048 576 ×16位× 4银行
2 097 152 ×8位×4银行
4 194 304 ×4位×4银行
3.3 V电源（ ± 10 ％容差）
四家银行提供的片上交织
X8 / X16 （无缝接入）根据
组织
高带宽 - 高达125 MHz的数据
价格
突发长度可编程为1， 2 ， 4 ， 8
可编程的输出序列 - 串行或
交错
片选和时钟启用
增强型系统接口
逐周期的DQ总线屏蔽能力
只有x16的SDRAM配置支持
大写/低字节屏蔽控制
可编程CAS延时从列
地址
性能范围：
同步
时钟CYLE
时间
tCK3
’664xx4-8
’664xx4-8A
’664xx4-10
8纳秒
8纳秒
10纳秒
tCK2
10纳秒
15纳秒
15纳秒
存取时间
时钟
产量
tAC3
6纳秒
6纳秒
7.5纳秒
tAC2
6纳秒
7.5纳秒
7.5纳秒
刷新
间隔
TREF
64毫秒
64毫秒
64毫秒
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
流水线结构（单周期
架构）
单读/写突发
自我刷新能力（每16
m
s)
低噪声，低电压
晶体管 - 晶体管逻辑（ LVTTL ）
接口
掉电模式
兼容JEDEC标准
16K RAS仅刷新（总适用于所有银行）
4K自动刷新（合计所有银行） / 64毫秒
自动预充电和受控
预充电
突发中断支持：
- 读取中断
- 写中断
- 预充电中断
支持时钟挂起操作（保持
命令）
英特尔PC100规定（ -8和-8A部分）
描述
该TMS664xx4系列是67 108 864位的同步动态随机存取存储器（SDRAM ）器件
被组织如下：
D
D
D
四家银行的1 048 576字，每字16位
四家银行的2 097 152字，每字8位
四家银行的4 194 304字，每字4位
所有输入和TMS664xx4系列的输出是与LVTTL电接口兼容。
在SDRAM采用国家最先进的技术，高性能，可靠性和低功耗。所有的输入和
输出与CLK输入同步的简化系统设计并提高了高速用
微处理器和高速缓存。
该TMS664xx4 SDRAM可在一个400密耳， 54引脚表面贴装薄型小尺寸封装（ TSOP ）
（ DGE后缀） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1998年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
TMS664414 ， TMS664814 ， TMS664164
4 194 304 4 - BIT / 2 097 152 ×8位/ 1 048 576 ×16位× 4 -BANK
同步动态随机存取存储器
SMOS695A - 1998年4月 - 修订1998年7月
TMS664xx4 （ LVTTL ）
DGE包装
（ TOP VIEW ）
4M ×16
8M ×8
16M ×4
VCC
DQ0
VCCQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VCCQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VCC
DQML
W
CAS
RAS
CS
A13 ， BS0
A12 ， BS1
A10 ， AP
A0
A1
A2
A3
VCC
VCC
DQ0
VCCQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
DQ2
VCCQ
NC
DQ3
VSSQ
NC
VCC
NC
W
CAS
RAS
CS
A13 ， BS0
A12 ， BS1
A10 ， AP
A0
A1
A2
A3
VCC
VCC
NC
VCCQ
NC
DQ0
VSSQ
NC
NC
VCCQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
VCC
NC
W
CAS
RAS
CS
A13 ， BS0
A12 ， BS1
A10 ， AP
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54-Pin
塑料
TSOP -II
（间距= 0.8mm）的
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
NC
VSSQ
NC
DQ3
VCCQ
NC
NC
VSSQ
NC
DQ2
VCCQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
DQ7
VSSQ
NC
DQ6
VCCQ
NC
DQ5
VSSQ
NC
DQ4
VCCQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VCCQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VCCQ
DQ8
VSS
NC
DQMU
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
银行
4
银行选择
地址
A13 – A12
x4
x8
x16
A10
ROW
ADDR
A0 – A13
A0 – A13
A0 – A13
COL
ADDR
A0 – A9
A0 – A8
A0 – A7
自动预充电
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS664414 ， TMS664814 ， TMS664164
4 194 304 4 - BIT / 2 097 152 ×8位/ 1 048 576 ×16位× 4 -BANK
同步动态随机存取存储器
SMOS695A - 1998年4月 - 修订1998年7月
PIN NOMENCLATURE
A[0:13]
地址输入
四家银行
COLUMN
A0 -A9列地址（ X4）
A0 -A8列地址（ X8 ）
A0 A7列地址（ X16 ）
A10自动预充电
A12 - A13银行选择
ROW
A0 - A11行addrs的
A12 - A13银行选择
W
RAS
CAS
CKE
CLK
CS
DQ [0：3 ]
DQ [0：7 ]
DQ [ 0 ： 15 ]
DQMU / DQML
DQM
NC
VCC
VCCQ
VSS
VSSQ
写使能
行地址选通
列地址选通
时钟使能
系统时钟
片选
SDRAM的数据输入/输出数据（ X4）
SDRAM的数据输入/输出数据（ X8 ）
SDRAM的数据输入/输出数据（ X16 ）
数据/输出面膜启用了X16
数据/输出面膜启用对X8 / X4
无需外部连接
电源（ 3.3 V典型）
电源的输出驱动器（ 3.3 V典型）
地
接地输出驱动器
功能框图（四家银行）
阵列银行0
CLK
CKE
CS
（ DQM ） DQMx
RAS
CAS
W
A0 – A13
14
和
阵列银行1
控制
阵列银行2
DQ
卜FF器
16
8
4
DQ0 - DQ15 （ X16 ）
or
DQ0 - DQ7 （ X8 ）
or
DQ0 - DQ3 （ X4 ）
阵列银行3
模式寄存器
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3
TMS664414 ， TMS664814 ， TMS664164
4 194 304 4 - BIT / 2 097 152 ×8位/ 1 048 576 ×16位× 4 -BANK
同步动态随机存取存储器
SMOS695A - 1998年4月 - 修订1998年7月
设备的编号约定（ SDRAM家族命名）
TMS 6
64
xx
4 –xx
前缀：
TMS =商业/ MOS
产品系列：
6 =同步动态随机存取存储器
密度，刷新，界面：
64 = 64M 4K自动刷新LVTTL
组织/特殊建筑：
= 41 ×4管道
81 = ×8管道
= 16 ×16管道
银行编号：
4 =四家银行
速度：
8 tCK3
8A tCK3
10 tCK3
= 8纳秒
= 8纳秒
= 10纳秒
手术
所有输入到' 664xx4 SDRAM的被锁止在系统（同步）时钟的上升沿。输出
（ DQ0- DQ3为4倍， DQ0 - DQ7对于x8和DQ0 - DQ15为×16）也被引用到CLK的上升沿。
该' 664xx4有四个银行被单独访问。银行必须被激活之前，它可以
访问（读取或写入） 。刷新周期刷新所有银行交替进行。
五个基本的命令或控制功能的' 664xx4的大多数操作：
D
D
D
D
D
银行激活/行地址条目
列地址条目/写操作
列地址条目/读操作
银行停用
自动刷新/自刷新进入
此外，操作可以通过三种方式控制：使用片选（ CS）来选择/取消
设备，使用DQMx使能/屏蔽在逐周期的基础的DQ信号，或者使用CKE暂停（或
门） CLK输入。该器件包含一个模式寄存器，必须设置为正确的操作。
表1至表3中表明，可在' 664xx4的各种操作。这些真值表
识别命令和/或操作和它们各自的助记符。每个真值表之后是
传说，解释了缩写符号。访问操作是指任何读（READ - P）或WRT
（ WRT -P ）命令在周期n的进展。访问操作包括周期在其上读（READ - P）的
或WRT （ WRT- P）的输入命令，并通过完成接入脉冲串的所有随后的周期中。
4
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TMS664414 ， TMS664814 ， TMS664164
4 194 304 4 - BIT / 2 097 152 ×8位/ 1 048 576 ×16位× 4 -BANK
同步动态随机存取存储器
SMOS695A - 1998年4月 - 修订1998年7月
操作（续）
自动
模式
注册
SET
太太
SLFR
空闲
SLFR退出
自
刷新
CKE ↓ PDE
REFR
动力
下
CKE =
法案
AUTO
刷新
自动
CKE =
CLK
暂停
CKE =
CKE ↓ （ HOLD ）
读
DEAC / DCAB
ROW
活跃
活跃
动力
下
WRT
CKE ↓ （ HOLD ）
写
读
阅读P
直写P
阅读-P
直写P
写
CKE ↑ （ HOLD出口）
CLK
暂停
CKE ↑ （ HOLD出口）
读
阅读-P
阅读P
CKE ↑ （ HOLD出口）
自动
预充电
自动
写P
CKE ↑ （ HOLD出口）
CKE ↓ （ HOLD ）
CKE ↓ （ HOLD ）
电源
CLK
暂停
自动
CLK
暂停
图1.状态图
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5
TMS664414 ， TMS664814 ， TMS664164
4 194 304 4 - BIT / 2 097 152 ×8位/ 1 048 576 ×16位× 4 -BANK
同步动态随机存取存储器
SMOS695A - 1998年4月 - 修订1998年7月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织。 。 。
1 048 576 ×16位× 4银行
2 097 152 ×8位×4银行
4 194 304 ×4位×4银行
3.3 V电源（ ± 10 ％容差）
四家银行提供的片上交织
X8 / X16 （无缝接入）根据
组织
高带宽 - 高达125 MHz的数据
价格
突发长度可编程为1， 2 ， 4 ， 8
可编程的输出序列 - 串行或
交错
片选和时钟启用
增强型系统接口
逐周期的DQ总线屏蔽能力
只有x16的SDRAM配置支持
大写/低字节屏蔽控制
可编程CAS延时从列
地址
性能范围：
同步
时钟CYLE
时间
tCK3
’664xx4-8
’664xx4-8A
’664xx4-10
8纳秒
8纳秒
10纳秒
tCK2
10纳秒
15纳秒
15纳秒
存取时间
时钟
产量
tAC3
6纳秒
6纳秒
7.5纳秒
tAC2
6纳秒
7.5纳秒
7.5纳秒
刷新
间隔
TREF
64毫秒
64毫秒
64毫秒
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
流水线结构（单周期
架构）
单读/写突发
自我刷新能力（每16
m
s)
低噪声，低电压
晶体管 - 晶体管逻辑（ LVTTL ）
接口
掉电模式
兼容JEDEC标准
16K RAS仅刷新（总适用于所有银行）
4K自动刷新（合计所有银行） / 64毫秒
自动预充电和受控
预充电
突发中断支持：
- 读取中断
- 写中断
- 预充电中断
支持时钟挂起操作（保持
命令）
英特尔PC100规定（ -8和-8A部分）
描述
该TMS664xx4系列是67 108 864位的同步动态随机存取存储器（SDRAM ）器件
被组织如下：
D
D
D
四家银行的1 048 576字，每字16位
四家银行的2 097 152字，每字8位
四家银行的4 194 304字，每字4位
所有输入和TMS664xx4系列的输出是与LVTTL电接口兼容。
在SDRAM采用国家最先进的技术，高性能，可靠性和低功耗。所有的输入和
输出与CLK输入同步的简化系统设计并提高了高速用
微处理器和高速缓存。
该TMS664xx4 SDRAM可在一个400密耳， 54引脚表面贴装薄型小尺寸封装（ TSOP ）
（ DGE后缀） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1998年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
TMS664414 ， TMS664814 ， TMS664164
4 194 304 4 - BIT / 2 097 152 ×8位/ 1 048 576 ×16位× 4 -BANK
同步动态随机存取存储器
SMOS695A - 1998年4月 - 修订1998年7月
TMS664xx4 （ LVTTL ）
DGE包装
（ TOP VIEW ）
4M ×16
8M ×8
16M ×4
VCC
DQ0
VCCQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VCCQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VCC
DQML
W
CAS
RAS
CS
A13 ， BS0
A12 ， BS1
A10 ， AP
A0
A1
A2
A3
VCC
VCC
DQ0
VCCQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
DQ2
VCCQ
NC
DQ3
VSSQ
NC
VCC
NC
W
CAS
RAS
CS
A13 ， BS0
A12 ， BS1
A10 ， AP
A0
A1
A2
A3
VCC
VCC
NC
VCCQ
NC
DQ0
VSSQ
NC
NC
VCCQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
VCC
NC
W
CAS
RAS
CS
A13 ， BS0
A12 ， BS1
A10 ， AP
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54-Pin
塑料
TSOP -II
（间距= 0.8mm）的
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
NC
VSSQ
NC
DQ3
VCCQ
NC
NC
VSSQ
NC
DQ2
VCCQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
DQ7
VSSQ
NC
DQ6
VCCQ
NC
DQ5
VSSQ
NC
DQ4
VCCQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VCCQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VCCQ
DQ8
VSS
NC
DQMU
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
银行
4
银行选择
地址
A13 – A12
x4
x8
x16
A10
ROW
ADDR
A0 – A13
A0 – A13
A0 – A13
COL
ADDR
A0 – A9
A0 – A8
A0 – A7
自动预充电
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS664414 ， TMS664814 ， TMS664164
4 194 304 4 - BIT / 2 097 152 ×8位/ 1 048 576 ×16位× 4 -BANK
同步动态随机存取存储器
SMOS695A - 1998年4月 - 修订1998年7月
PIN NOMENCLATURE
A[0:13]
地址输入
四家银行
COLUMN
A0 -A9列地址（ X4）
A0 -A8列地址（ X8 ）
A0 A7列地址（ X16 ）
A10自动预充电
A12 - A13银行选择
ROW
A0 - A11行addrs的
A12 - A13银行选择
W
RAS
CAS
CKE
CLK
CS
DQ [0：3 ]
DQ [0：7 ]
DQ [ 0 ： 15 ]
DQMU / DQML
DQM
NC
VCC
VCCQ
VSS
VSSQ
写使能
行地址选通
列地址选通
时钟使能
系统时钟
片选
SDRAM的数据输入/输出数据（ X4）
SDRAM的数据输入/输出数据（ X8 ）
SDRAM的数据输入/输出数据（ X16 ）
数据/输出面膜启用了X16
数据/输出面膜启用对X8 / X4
无需外部连接
电源（ 3.3 V典型）
电源的输出驱动器（ 3.3 V典型）
地
接地输出驱动器
功能框图（四家银行）
阵列银行0
CLK
CKE
CS
（ DQM ） DQMx
RAS
CAS
W
A0 – A13
14
和
阵列银行1
控制
阵列银行2
DQ
卜FF器
16
8
4
DQ0 - DQ15 （ X16 ）
or
DQ0 - DQ7 （ X8 ）
or
DQ0 - DQ3 （ X4 ）
阵列银行3
模式寄存器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
TMS664414 ， TMS664814 ， TMS664164
4 194 304 4 - BIT / 2 097 152 ×8位/ 1 048 576 ×16位× 4 -BANK
同步动态随机存取存储器
SMOS695A - 1998年4月 - 修订1998年7月
设备的编号约定（ SDRAM家族命名）
TMS 6
64
xx
4 –xx
前缀：
TMS =商业/ MOS
产品系列：
6 =同步动态随机存取存储器
密度，刷新，界面：
64 = 64M 4K自动刷新LVTTL
组织/特殊建筑：
= 41 ×4管道
81 = ×8管道
= 16 ×16管道
银行编号：
4 =四家银行
速度：
8 tCK3
8A tCK3
10 tCK3
= 8纳秒
= 8纳秒
= 10纳秒
手术
所有输入到' 664xx4 SDRAM的被锁止在系统（同步）时钟的上升沿。输出
（ DQ0- DQ3为4倍， DQ0 - DQ7对于x8和DQ0 - DQ15为×16）也被引用到CLK的上升沿。
该' 664xx4有四个银行被单独访问。银行必须被激活之前，它可以
访问（读取或写入） 。刷新周期刷新所有银行交替进行。
五个基本的命令或控制功能的' 664xx4的大多数操作：
D
D
D
D
D
银行激活/行地址条目
列地址条目/写操作
列地址条目/读操作
银行停用
自动刷新/自刷新进入
此外，操作可以通过三种方式控制：使用片选（ CS）来选择/取消
设备，使用DQMx使能/屏蔽在逐周期的基础的DQ信号，或者使用CKE暂停（或
门） CLK输入。该器件包含一个模式寄存器，必须设置为正确的操作。
表1至表3中表明，可在' 664xx4的各种操作。这些真值表
识别命令和/或操作和它们各自的助记符。每个真值表之后是
传说，解释了缩写符号。访问操作是指任何读（READ - P）或WRT
（ WRT -P ）命令在周期n的进展。访问操作包括周期在其上读（READ - P）的
或WRT （ WRT- P）的输入命令，并通过完成接入脉冲串的所有随后的周期中。
4
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS664414 ， TMS664814 ， TMS664164
4 194 304 4 - BIT / 2 097 152 ×8位/ 1 048 576 ×16位× 4 -BANK
同步动态随机存取存储器
SMOS695A - 1998年4月 - 修订1998年7月
操作（续）
自动
模式
注册
SET
太太
SLFR
空闲
SLFR退出
自
刷新
CKE ↓ PDE
REFR
动力
下
CKE =
法案
AUTO
刷新
自动
CKE =
CLK
暂停
CKE =
CKE ↓ （ HOLD ）
读
DEAC / DCAB
ROW
活跃
活跃
动力
下
WRT
CKE ↓ （ HOLD ）
写
读
阅读P
直写P
阅读-P
直写P
写
CKE ↑ （ HOLD出口）
CLK
暂停
CKE ↑ （ HOLD出口）
读
阅读-P
阅读P
CKE ↑ （ HOLD出口）
自动
预充电
自动
写P
CKE ↑ （ HOLD出口）
CKE ↓ （ HOLD ）
CKE ↓ （ HOLD ）
电源
CLK
暂停
自动
CLK
暂停
图1.状态图
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
5
QQ：2880707522 复制
