TMS55165 ， TMS55166 ， TMS55175 ， TMS55176
262144除以16位的多端口视频RAM
SMVS463 - 1995年12月
描述
该TMS551xx多端口视频RAM的是高速双端口存储器件。每个包含一个动态
组织为16位的262 144字的随机存取存储器（DRAM ），每个接口到串行数据寄存器
[串行存取存储器（SAM） ]组织为256个字的每个16位。这些设备支持三种基本类型
的操作：随机存取和从DRAM中，从串行寄存器串行存取，和数据的传输
从DRAM到SAM 。除了在传输操作中，这些装置可被同时访问的
和异步从DRAM和SAM端口。
该TMS551xx多端口视频RAM中提供了设计用于提供更高的系统级的多个功能
带宽，并简化设计集成在DRAM和SAM端口两者（见表2） 。在DRAM
端口，更大的像素拉伸率是由数据块写入功能来实现的。该TMS5516x器件的4列
块写入功能允许数据（存在于芯片上的颜色数据的寄存器）的16位被写入到任何
组合的四个相邻的列地址的位置，至多总共64位每CAS周期时间的数据。
类似地， TMS5517x器件的8列块写入功能允许16位数据被写入到任何
组合的8个相邻的列地址的位置，达到总共128位每CAS周期时间的数据。
还对在DRAM端口，写入每比特（或写掩模）功能允许16的任意组合的掩蔽
的DQ任何写周期。持续写入每比特函数使用一个掩码寄存器，一旦加载，可以使用
在无需重新加载后续的写周期。所有TMS551xx器件提供字节控制。字节的控制可
在写周期，数据块写入周期，负载写掩码寄存器的周期，和负载彩色寄存器的周期施加。该
TMS551xx器件提供增强的页面模式的操作，导致更快的访问时间。该TMS551x6
器件还提供了扩展数据输出（ EDO ）模式。该EDO模式是有效的同时在页模式和
标准型DRAM的周期。
该TMS551xx设备提供一个分裂寄存器传输（ DRAM到SAM）功能。此功能使实时
注册负载实现无关键时序要求连续串行数据流。串行
寄存器被分成高半部分和一个低一半。而一个半正被读出SAM端口，另一半
可以从DRAM被加载。如果不需要实时寄存器加载（例如，加载完成
在CRT回扫时间） ，保持全寄存器传输操作，简化了系统设计。
SAM端口是专为最高性能。数据可以从SAM访问的串口速率可达
至55兆赫。一个单独的输出， QSF ，包括指示哪些半串行寄存器是有效的。凉爽
在SAM不是必需的，因为该数据的寄存器，它包括：在SAM是静态的。
所有的输入，输出和时钟的TMS551xx设备的信号与74系列TTL兼容。所有地址
线和数据输入线被锁存片上，以简化系统的设计。所有数据输出线是未闩锁，以允许
更大的系统灵活性。
所有TMS551xx采用TI的国家的最先进的EPIC规模-CMOS ，双级多晶硅/多晶硅化物门
技术相结合极高的性能和更高的可靠性。
所有TMS551xx均提供64引脚小外形鸥翼式引线封装（ DGH后缀） ，可直接面
安装。
该TMS551xx视频RAM和TI等多端口视频RAM通过图形的广泛支持线
处理器和德州仪器的控制装置。
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