TMS44400 ， TMS44400P ， TMS46400 ， TMS46400P

1048576 - WORD 4位

动态随机存取存储器

SMHS562C - 1995年5月 - 修订1996年11月

D

D

D

D

D

组织。 。 。 1 048 576

×

4

采用5 V单电源的TMS44400 / P

（±10％容限）

采用3.3 V单电源的TMS46400 / P

（±10％容限）

低功耗（ TMS46400P只）

200 μA CMOS待机

200 μA自刷新

300 μA扩展刷新电池

BACKUP

性能范围：

ACCESS ACCESS ACCESS

读

时间

时间

TIME或写

（ TRAC ） （ TCAC ）

（TAA）

周期

（最大）

（最大）

（最大）

（分钟）

60纳秒

15纳秒

30纳秒

110纳秒

70纳秒

18纳秒

35纳秒

130纳秒

80纳秒

20纳秒

40纳秒

150纳秒

DGA包装

（顶视图）

DJ包装

（顶视图）

DQ1

DQ2

W

RAS

A9

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

9

10

11

12

13

26

25

24

23

22

18

17

16

15

14

V

SS

DQ4

DQ3

CAS

OE

A8

A7

A6

A5

A4

DQ1

DQ2

W

RAS

A9

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

9

10

11

12

13

26

25

24

23

22

18

17

16

15

14

V

SS

DQ4

DQ3

CAS

OE

A8

A7

A6

A5

A4

D

D

D

D

D

增强的分页模式操作更快

内存访问

CAS先于RAS （ CBR ）刷新

龙刷新周期

在16毫秒1024周期刷新

128 ms（最大值）的低功耗，

自刷新版本（ TMS4x400P ）

三态输出虚掩

德州仪器EPIC CMOS制程

A0 – A9

CAS

DQ1 DQ4

OE

RAS

VCC

VSS

W

地址输入

列地址选通

DATA IN

OUTPUT ENABLE

行地址选通

5 V或3.3 V电源

地

写使能

D

工作自由空气的温度范围内

0 ° C至70℃

描述

可选项

该TMS4x400系列是一套高速，

自刷新

4 194 304位的动态随机存取存储器

动力

刷新

电池

设备

供应

周期

（ DRAM的） ，组织为1 048 576字四

BACKUP

每个位。该TMS4x400P系列是一组

TMS44400

5V

—

1024在16毫秒

高速，

低功耗，

自刷新

同

TMS44400P

5V

是的

1024在128毫秒

扩展刷新，

4 194 304位

的DRAM ，

TMS46400

3.3 V

—

1024在16毫秒

组织为1 048 576字每4位。

TMS46400P

3.3 V

是的

1024在128毫秒

这两个系列采用先进设备，最先进的增强

性能

植入

CMOS

（ EPIC

)

技术对高性能，高可靠性，并

低功耗。

这些器件具有60 ns的， 70纳秒，和80 ns（最大值） RAS访问时间。所有地址和数据在线路

锁存芯片，简化了系统设计。数据输出是虚掩的提高了系统的灵活性。

该TMS4x400和TMS4x400P提供了二十六分之二十零引脚塑料小外形（ TSOP ）封装（后缀DGA ）

和一个300万26分之20引脚塑料表面贴装封装SOJ （ DJ后缀） 。这两种封装的特点为

操作从0℃至70℃。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

EPIC是德州仪器的商标。

预告信息涉及新产品的采样或

开发试制阶段。特征数据和其他

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版权

1996年，德州仪器

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

1

超前信息

’4x400/P-60

’4x400/P-70

’4x400/P-80

PIN NOMENCLATURE

TMS44400 ， TMS44400P ， TMS46400 ， TMS46400P

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SMHS562C - 1995年5月 - 修订1996年11月

逻辑符号

内存1024K

×

4

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

9

10

11

12

14

15

16

17

18

5

20D10/21D0

A

0

1 048 575

RAS

4

CAS

W

OE

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

23

3

22

1

2

24

25

20D19/21D9

C20 [ ROW ]

G23 / [刷新行]

24 [ PWR DWN ]

C21[COLUMN]

G24

＆放大器;

23,21D

G25

A,22D

26

23C22

24,25 EN

超前信息

A,Z26

这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。

显示引脚数是为DJ包。

功能框图

RAS

CAS

W

OE

定时和控制

A0

A1

柱分离

地址

缓冲器

A9

8

2

列解码

感测放大器

128K阵列

R

128K阵列

o

w

16

128K阵列

128K阵列

16

16

I / O

缓冲器

1 16

选择

2

16

数据 -

In

注册。

4

数据 -

OUT

注册。

DQ1 DQ4

4

行向

地址

缓冲器

10

D

e

c

o

d

128K阵列ê 128K阵列

10

2

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手术

增强的页面模式

增强的页面模式操作允许更快的存储器存取通过保持相同的行地址而

选择随机列地址。时间为行地址建立和保持和地址复用的

消除了。列的可访问由最大的RAS低所确定的最大数

时间和所用的CAS页循环时间。最小CAS页周期时间，指定的所有1024列

列地址A0到A9可以在不干预RAS周期进行访问。

不同于传统的页面模式的DRAM中，列地址缓冲器在该装置中被上落下激活

RAS的边缘。该缓冲器充当透明或流过锁存器而CAS是高的。 CAS的下降沿

锁存的列地址。此功能允许TMS4x400在更高的数据带宽比操作

常规的页面模式部分，因为数据检索只要列地址是有效的，而不是开始

当CAS变为低电平。这种性能的提高被称为增强的页面模式。有效

列地址可以后立即行地址保持时间已经满足，通常是良好的呈现

预先CAS的下降沿。在这种情况下，吨后得到的数据

CAC

中科院最大（访问时间

低）如果T

AA

最大（从列地址访问时间）已被满足。在事件列地址

为下一个周期是有效的，在该时间CAS变高时，下一个周期的存取时间是由后来确定

发生的t

CAC

（存取权限时，从CAS低）或T

注册会计师

（从柱预充电访问时间）。

地址（ A0 - A9 ）

20位地址位的解码需要的1 048 576的存储单元的位置的任何一个。十行地址

位被设置在输入A0到A9和锁存到由RAS芯片。的10列地址位被设置

起来A0到A9和锁存到中科院的芯片。所有的地址必须是稳定的或下落之前

RAS和CAS的边缘。 RAS类似于一个芯片使能，因为它激活的读出放大器，以及

行解码器。 CAS号被用作芯片选择，激活输出缓冲器，以及锁存地址位成

列地址缓存器。

写使能（ W）

在读或写操作模式是通过W输入选择。 W上的逻辑高电平选择读模式和逻辑低

选择写入模式。 W能够从标准TTL电路（ TMS44400 / P）或低电压TTL电路来驱动

（ TMS46400 / P）没有上拉电阻。当选择了阅读模式的数据输入被禁用。当W

变为低电平之前， CAS号（早期写） ，数据输出保持在高阻抗状态的整个周期，允许

写操作的独立操作环境的状态。这使得早期的写操作来完成与OE

接地。

输入/输出数据（ DQ1 - DQ4 ）

数据输出是相同的极性，在数据的输出是在高阻抗（浮动）的状态，直到CAS和参考

被拉低。在一个读周期中，输出变为有效后，所有的存取时间是满意的。输出保持

有效而CAS和OE是低电平。 CAS或OE变高回报的输出为高阻抗状态。这是

通过将OE高才能应用数据，满足OE数据延迟保持时间（t完成

OED

).

输出使能（ OE ）

OE控制所述输出缓冲器的阻抗。当OE为高电平时，缓冲器保持在高阻抗

状态。在一个正常的周期使OE为低电平激活的输出缓冲器，将它们在低阻抗

状态。有必要对两者的RAS和CAS被带到低的输出缓冲器进入低阻抗

状态。他们停留在低阻抗状态，直到OE或CAS拉高。

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3

超前信息

TMS44400 ， TMS44400P ， TMS46400 ， TMS46400P

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刷新

刷新操作必须执行至少每16毫秒（ 128毫秒TMS4x400P ）保留的数据。这

可以通过选通每个1024行来实现（A0 - A9）。一个正常的读或写周期刷新在所有位

所选的每一行。甲RAS-只操作可以用来通过保持CAS号在高电平（无效）的水平，

节省功率作为输出缓冲器保持在高阻抗状态。外部生成的地址

必须用于一个RAS -只刷新。隐藏刷新可以同时保持有效的数据来进行

输出。这是由中国科学院控股在V完成

IL

后的指定后，读出操作和自行车的RAS

预充电期间，类似于一个RAS -只刷新周期。隐藏刷新过程中，外部地址将被忽略

周期。

CAS先于RAS （ CBR ）刷新

CBR刷新是通过将低中科院早于RAS （参见参数t利用

企业社会责任

）和RAS之后保持为低电平

瀑布（参见参数t

CHR

） 。对于连续的CBR刷新周期， CAS可以保持较低，而骑自行车的RAS 。该

外部地址被忽略，并且刷新地址由内部产生。

低功耗电池备份刷新模式，需要小于300 μA （ TMS46400P ）或500 μA

（ TMS44400P ）刷新当前可在低功耗器件。数据的完整性是使用CBR保持

用了一段125刷新

s

而保持RAS低不到1

s.

为了最大限度地减少电流消耗，所有

输入电平必须在CMOS电平（Ⅴ

IL

≤

0.2 V, V

IH

≥

V

CC

– 0.2 V ).

自刷新

自刷新模式时通过丢弃CAS低之前， RAS变为低电平输入。 CAS和RAS均保持低电平

为至少100

s.

该芯片然后通过一个板上振荡器刷新。无需外部地址为必填项

由于CBR计数器用于跟踪地址。以退出自刷新模式，这两种的RAS和CAS

被拉高，以满足t

CHS

。在退出自刷新模式中，一个脉冲串刷新（刷新全套行

地址） ，必须继续进行正常操作，以确保该DRAM被完全之前被执行

刷新。

上电

为了实现器件正常工作， 200的初始暂停

s

后跟最少八个初始化周期

整个V后需要

CC

电平来实现的。这八个初始化周期必须包括至少一个刷新

（RAS -只或CBR）的周期。

测试模式

测试模式启动与CBR的刷新周期，同时保持W低（ WCBR ） 。入门周期

执行内部刷新周期，而在内部设置的装置来执行并行读或写上

后续周期。而在测试模式中，任何期望的数据序列可以在设备上执行。该装置

退出测试模式下，如果CBR刷新周期为W高举或RAS只刷新（ ROR ）的周期进行。

该TMS4x400 / P被配置为512K

×

在测试模式下，每个DQ引脚都有一个独立的2位8位器件

平行读和写数据总线。在读周期，这两个内部位进行比较每个DQ引脚

分开。如果两位同意， DQ引脚为高电平;如果没有， DQ引脚变为低电平。这两个位写入

并行写操作过程中反映各自的DQ管脚的状态。每个DQ引脚是独立的

他人和所需的任何数据模式可以写在每个DQ引脚。测试时间缩短了的4倍

这个系列。

超前信息

4

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TMS44400 ， TMS44400P ， TMS46400 ， TMS46400P

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动态随机存取存储器

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测试模式（续）

进入周期

测试模式周期

RAS

退出循环

正常

模式

CAS

W

图1.测试模式周期时序

W，在数据和地址的状态是由在测试模式下使用周期的类型来定义。

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

:

TMS44400 ， TMS44400P 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1.0 V至7.0 V

TMS46400 ， TMS46400P 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5 V至4.6 V

任何引脚电压范围（见注1 ） TMS44400 ， TMS44400P 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1.0 V至7.0 V

TMS46400 ， TMS46400P 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5 V至4.6 V

短路输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1 W

工作的自由空气的温度范围内，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至150℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：所有的电压值是相对于VSS。

推荐工作条件

TMS44400 / P

民

VCC

VIH

VIL

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压（见注2 ）

4.5

2.4

–1

喃

5

最大

5.5

6.5

0.8

民

3

2

– 0.3

TMS46400 / P

喃

3.3

最大

3.6

VCC + 0.3

0.8

单位

V

V

V

TA

工作自由空气的温度

0

70

0

70

°C

注2：代数约定，其中，更负（少正）限制被指定为最小，仅用于逻辑电压电平。

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

5

超前信息