TMS44100 ， TMS44100P ， TMS46100 ， TMS46100P

4194304 - WORD BY 1位

动态随机存取存储器

SMHS561A - 1995年3月 - 修订1995年6月

D

D

D

D

D

组织。 。 。 4 194 304

×

1

采用5 V单电源供电，为TMS44100 / P

（±10％容限）

采用3.3 V单电源供电，为TMS46100 / P

（±10％容限）

低功耗（ TMS46100P只）

- 200 μA CMOS待机

- 200 μA自刷新

- 300 μA扩展刷新电池

BACKUP

性能范围：

ACCESS ACCESS ACCESS

读

时间

时间

TIME或写

（ TRAC ） （ TCAC ）

（TAA）

周期

（最大）

（最大）

（最大）

（分钟）

60纳秒

15纳秒

30纳秒

110纳秒

70纳秒

18纳秒

35纳秒

130纳秒

80纳秒

20纳秒

40纳秒

150纳秒

DGA包装

（顶视图）

DJ包装

（顶视图）

D

W

RAS

NC

A10

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

9

10

11

12

13

26

25

24

23

22

18

17

16

15

14

V

SS

Q

CAS

NC

A9

A8

A7

A6

A5

A4

D

W

RAS

NC

A10

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

9

10

11

12

13

26

25

24

23

22

18

17

16

15

14

V

SS

Q

CAS

NC

A9

A8

A7

A6

A5

A4

D

D

D

D

D

D

增强的分页模式操作更快

内存访问

CAS先于RAS （ CBR ）刷新

龙刷新周期

- 在16毫秒1024周期刷新

- 128毫秒（最大值）的低功耗，

自刷新版本（ TMS4x100P ）

三态输出虚掩

德州仪器EPIC CMOS制程

工作自由空气的温度范围内

0 ° C至70℃

A0 – A10

CAS

D

NC

Q

RAS

W

VCC

VSS

地址输入

列地址选通

DATA IN

无连接

数据输出

行地址选通

写使能

5 V或3.3 V电源

地

描述

该TMS4x100系列是高速，

4 194 304位的动态随机存取存储器，

组织为4 194 304字每一位的。该

TMS4x100P系列是高速，低功耗，

自刷新与扩展刷新， 4 194 304位

动态随机存取存储器，组织为

4 194 304字每一位的。这两个系列

采用EPIC国家的最先进的

（增强

性能注入CMOS）技术为

高性能，高可靠性和低电压。

自刷新

电池

BACKUP

—

是的

—

是的

设备

TMS44100

TMS44100P

TMS46100

TMS46100P

动力

供应

5V

5V

3.3 V

3.3 V

刷新

周期

1024在16毫秒

1024在128毫秒

1024在16毫秒

1024在128毫秒

这些器件具有60 ns的， 70纳秒，和80 ns（最大值） RAS访问时间。所有地址和数据在线路

锁存芯片，简化了系统设计。数据输出是虚掩的提高了系统的灵活性。

该TMS4x100和TMS4x100P提供了20- / 26引脚塑料表面贴装小型封装（ TSOP ）

封装（后缀DGA ）和300 - MIL 20- / 26引脚塑料表面贴装封装SOJ （ DJ后缀） 。两种封装

的特征在于，操作从0℃至70℃。

EPIC是德州仪器的商标。

预告信息涉及新产品的采样或

开发试制阶段。特征数据和其他

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版权

1995年，德州仪器

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

1

超前信息

’4x100/P-60

’4x100/P-70

’4x100/P-80

PIN NOMENCLATURE

TMS44100 ， TMS44100P ， TMS46100 ， TMS46100P

4194304 - WORD BY 1位

动态随机存取存储器

SMHS561A - 1995年3月 - 修订1995年6月

逻辑符号

内存4096K

×

1

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A10

9

10

11

12

14

15

16

17

18

22

5

30D11/21D0

A

0

4 194 303

RAS

3

CAS

W

D

24

2

1

31D21/21D10

C30 [ ROW ]

G33 [刷新行]

34 [ PWR DWN ]

C31 [ COL ]

G34

＆放大器;

33C32

33,31D

A， 32D

34 EN

A

25

超前信息

Q

这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。

功能框图

RAS

CAS

W

定时和控制

A0

A1

柱分离

地址

缓冲器

A10

3

8

列解码

感测放大器

128K阵列

128K阵列

R

o

w

D

e

c

o

d

e

128K阵列

10

128K阵列

128K阵列

128K阵列

16

I / O

缓冲器

1 16

选择

3

数据 -

In

注册。

数据 -

OUT

注册。

D

16

行向

地址

缓冲器

16

10

16

Q

2

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

TMS44100 ， TMS44100P ， TMS46100 ， TMS46100P

4194304 - WORD BY 1位

动态随机存取存储器

SMHS561A - 1995年3月 - 修订1995年6月

手术

增强的页面模式

增强的页面模式操作允许更快的存储器存取通过保持相同的行地址的同时选择

随机列地址。时间为行地址建立和保持和地址复用被淘汰。该

可以访问由最大的RAS低时间和CAS来确定列的最大数量

用页面的循环时间。

不同于传统的页面模式的DRAM中，列地址缓冲器在该装置中被上落下激活

RAS的边缘。该缓冲器充当透明或流过锁存器而CAS是高的。 CAS的下降沿

锁存的列地址。此功能允许TMS4x100在更高的数据带宽比操作

常规的页面模式部分，因为数据检索只要列地址是有效的，而不是开始

当CAS变为低电平。这种性能的提高被称为增强的页面模式。有效

列地址可以后立即行地址保持时间已经满足，通常是良好的呈现

预先CAS的下降沿。在这种情况下，吨后得到的数据

CAC

MAX（中国科学院低存取时间） ，

如果T

AA

最大值（从列地址访问时间）已被满足。如果为下一个周期列地址是

当时CAS号变为高电平有效时，为下一个周期的存取时间为t的存货发生确定

CAC

或T

注册会计师

（中国科学院上升沿访问时间） 。

地址（ A0 - A10 ）

二十二个地址位的解码需要的4 194 304的存储单元位置1 。十一行地址位

被设置在输入端A0至A10和锁存到由该行地址选通脉冲（ RAS）的芯片。在11

列地址位被设置在A0至A10和锁存到由列地址选通的芯片

（ CAS ） 。所有地址必须是稳定的或RAS和CAS的下降沿之前。 RAS类似于一个芯片

启用，它通过激活上述读出放大器以及行译码器。 CAS号被用作芯片选择，激活

输出缓冲器，以及锁存地址位进入列地址缓冲器。

写使能（ W）

读或写模式是通过写使能（W）的输入选择。 W上的逻辑高电平选择阅读模式

和一个逻辑低电平选择写入模式。 W能够从标准的TTL电路（ TMS44100 / P）或驱动

低电压TTL电路（ TMS46100 / P）没有上拉电阻。的数据输入被禁用时，读出模式

被选中。当W变为低电平之前， CAS号（早期写） ，数据输出仍然为高阻抗状态

整个周期，允许通用I / O操作。

数据输入（D ）

数据被写入或读 - 写周期期间被写入。根据不同的工作模式， CAS的下降沿

或W选通数据到芯片上的数据锁存器。在早期的写周期中，W前低CAS和数据所带来

被选通通过与中科院建立和保持参考此信号倍。以延迟写入或读 - 写周期，

CAS号已经是低电平，数据选通在由W和建立和保持参考此信号倍。

数据输出（ Q）

数据输出是相同的极性，在数据的输出是在高阻抗（浮动）的状态，直到CAS被带到

低。在一个读周期中，输出的存取时间间隔t后变为有效

CAC

（其开始于负

CAS的过渡），只要吨

RAC

和T

AA

是满意的。的输出变为有效后的存取时间有

经过和仍然有效，而CAS低; CAS会高回报也高阻抗状态。在一个

延迟写或读 - 写周期，输出如下的顺序和读出周期。

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休斯敦，得克萨斯州77251-1443

3

超前信息

TMS44100 ， TMS44100P ， TMS46100 ， TMS46100P

4194304 - WORD BY 1位

动态随机存取存储器

SMHS561A - 1995年3月 - 修订1995年6月

刷新

刷新操作必须执行至少每16毫秒（ 128毫秒TMS4x100P ）保留的数据。这

可以通过选通每个1024行来实现（A0 - A9）。一个正常的读或写周期刷新在所有位

所选的每一行。甲RAS-只操作可以用来通过保持CAS号在高电平（无效）的水平，

节省功率作为输出缓冲器保持在高阻抗状态。外部生成的地址

必须用于一个RAS -只刷新。隐藏刷新可以同时保持有效的数据来进行

输出。这是由中国科学院控股在V完成

IL

后的指定后，读出操作和自行车的RAS

预充电期间，类似于一个RAS -只刷新周期。隐藏刷新过程中，外部地址将被忽略

周期。

CAS先于RAS （ CBR ）刷新

CBR刷新是通过将低中科院早于RAS （参见参数t利用

企业社会责任

）和RAS之后保持为低电平

瀑布（参见参数t

CHR

） 。对于连续的CBR刷新周期， CAS可以保持较低，而骑自行车的RAS 。该

外部地址被忽略，并且刷新地址由内部产生。

低功耗电池备份刷新模式，需要小于300 μA （ TMS46100P ）或500 μA

（ TMS44100P ）刷新当前可在低功耗器件。数据的完整性是使用CBR保持

用了一段125刷新

s

而保持RAS低不到1

s.

为了最大限度地减少电流消耗，所有

输入电平必须在CMOS电平（Ⅴ

IL

≤

0.2 V, V

IH

≥

V

CC

– 0.2 V ).

自刷新

自刷新模式时通过丢弃CAS低之前， RAS变为低电平输入。 CAS和RAS均保持低电平

为至少100

s.

该芯片然后通过一个板上振荡器刷新。无需外部地址为必填项

因为CBR计数器用于跟踪地址。以退出自刷新模式，这两种的RAS和CAS

被拉高，以满足t

CHS

。在退出自刷新模式中，一个脉冲串刷新（刷新全套行

地址）必须正常运行，然后再继续执行。这确保了在DRAM是充分

刷新。

上电

为了实现器件正常工作， 200的初始暂停

s

后跟最少八个初始化周期

整个V后需要

CC

电平来实现的。这八个初始化周期必须包括至少一个刷新

（RAS -只或CBR）的周期。

测试模式

业界标准的设计进行测试（ DFT ）模式在TMS4x100和TMS4x100P中。社区康复

循环用W低（ WCBR ）循环用于进入测试模式。在测试模式中，数据被写入和读出

从八个部分并联的阵列构成。在阅读数据进行比较，如果所有位都相等时，数据输出

终端变为高电平。如果任何一个位是不同的，该数据输出端变为低电平。读取任意组合，写，

读 - 写，或页面模式的周期所用的测试模式中使用。在测试模式功能通过减少测试时间

使4兆位DRAM的待测试就好像它是一个512K的DRAM ，其中行地址10 ，列地址10 ，

和列地址0未使用。一个RAS -唯一或CBR刷新周期是用来退出DFT模式。

超前信息

4

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TMS44100 ， TMS44100P ， TMS46100 ， TMS46100P

4194304 - WORD BY 1位

动态随机存取存储器

SMHS561A - 1995年3月 - 修订1995年6月

测试模式（续）

进入周期

测试模式周期

RAS

退出循环

正常

模式

CAS

W

W，在数据和地址的状态是由在测试模式下使用周期的类型来定义。

TMS44100 ， TMS44100P 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1 V至7 V

TMS46100 ， TMS46100P 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5 V至4.6 V

任何引脚电压范围（见注1 ） ： TMS44100 ， TMS44100P 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1 V至7 V

TMS46100 ， TMS46100P 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5 V至4.6 V

短路输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1 W

工作的自由空气的温度范围内，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至150℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：所有的电压值是相对于VSS。

电源电压范围，V

CC

:

推荐工作条件

TMS44100 / P

民

VCC

VIH

VIL

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压（见注2 ）

4.5

2.4

–1

喃

5

最大

5.5

6.5

0.8

民

3

2

– 0.3

TMS46100 / P

喃

3.3

最大

3.6

VCC + 0.3

0.8

单位

V

V

V

TA

工作自由空气的温度

0

70

0

70

°C

注2：代数约定，其中，更负（少正）限制被指定为最小，仅用于逻辑电压电平。

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休斯敦，得克萨斯州77251-1443

5

超前信息

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

TMS44100 ， TMS44100P ， TMS46100 ， TMS46100P

4194304 - WORD BY 1位

动态随机存取存储器

SMHS561A - 1995年3月 - 修订1995年6月

D

D

D

D

D

组织。 。 。 4 194 304

×

1

采用5 V单电源供电，为TMS44100 / P

（±10％容限）

采用3.3 V单电源供电，为TMS46100 / P

（±10％容限）

低功耗（ TMS46100P只）

- 200 μA CMOS待机

- 200 μA自刷新

- 300 μA扩展刷新电池

BACKUP

性能范围：

ACCESS ACCESS ACCESS

读

时间

时间

TIME或写

（ TRAC ） （ TCAC ）

（TAA）

周期

（最大）

（最大）

（最大）

（分钟）

60纳秒

15纳秒

30纳秒

110纳秒

70纳秒

18纳秒

35纳秒

130纳秒

80纳秒

20纳秒

40纳秒

150纳秒

DGA包装

（顶视图）

DJ包装

（顶视图）

D

W

RAS

NC

A10

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

9

10

11

12

13

26

25

24

23

22

18

17

16

15

14

V

SS

Q

CAS

NC

A9

A8

A7

A6

A5

A4

D

W

RAS

NC

A10

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

9

10

11

12

13

26

25

24

23

22

18

17

16

15

14

V

SS

Q

CAS

NC

A9

A8

A7

A6

A5

A4

D

D

D

D

D

D

增强的分页模式操作更快

内存访问

CAS先于RAS （ CBR ）刷新

龙刷新周期

- 在16毫秒1024周期刷新

- 128毫秒（最大值）的低功耗，

自刷新版本（ TMS4x100P ）

三态输出虚掩

德州仪器EPIC CMOS制程

工作自由空气的温度范围内

0 ° C至70℃

A0 – A10

CAS

D

NC

Q

RAS

W

VCC

VSS

地址输入

列地址选通

DATA IN

无连接

数据输出

行地址选通

写使能

5 V或3.3 V电源

地

描述

该TMS4x100系列是高速，

4 194 304位的动态随机存取存储器，

组织为4 194 304字每一位的。该

TMS4x100P系列是高速，低功耗，

自刷新与扩展刷新， 4 194 304位

动态随机存取存储器，组织为

4 194 304字每一位的。这两个系列

采用EPIC国家的最先进的

（增强

性能注入CMOS）技术为

高性能，高可靠性和低电压。

自刷新

电池

BACKUP

—

是的

—

是的

设备

TMS44100

TMS44100P

TMS46100

TMS46100P

动力

供应

5V

5V

3.3 V

3.3 V

刷新

周期

1024在16毫秒

1024在128毫秒

1024在16毫秒

1024在128毫秒

这些器件具有60 ns的， 70纳秒，和80 ns（最大值） RAS访问时间。所有地址和数据在线路

锁存芯片，简化了系统设计。数据输出是虚掩的提高了系统的灵活性。

该TMS4x100和TMS4x100P提供了20- / 26引脚塑料表面贴装小型封装（ TSOP ）

封装（后缀DGA ）和300 - MIL 20- / 26引脚塑料表面贴装封装SOJ （ DJ后缀） 。两种封装

的特征在于，操作从0℃至70℃。

EPIC是德州仪器的商标。

预告信息涉及新产品的采样或

开发试制阶段。特征数据和其他

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版权

1995年，德州仪器

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

1

超前信息

’4x100/P-60

’4x100/P-70

’4x100/P-80

PIN NOMENCLATURE

TMS44100 ， TMS44100P ， TMS46100 ， TMS46100P

4194304 - WORD BY 1位

动态随机存取存储器

SMHS561A - 1995年3月 - 修订1995年6月

逻辑符号

内存4096K

×

1

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A10

9

10

11

12

14

15

16

17

18

22

5

30D11/21D0

A

0

4 194 303

RAS

3

CAS

W

D

24

2

1

31D21/21D10

C30 [ ROW ]

G33 [刷新行]

34 [ PWR DWN ]

C31 [ COL ]

G34

＆放大器;

33C32

33,31D

A， 32D

34 EN

A

25

超前信息

Q

这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。

功能框图

RAS

CAS

W

定时和控制

A0

A1

柱分离

地址

缓冲器

A10

3

8

列解码

感测放大器

128K阵列

128K阵列

R

o

w

D

e

c

o

d

e

128K阵列

10

128K阵列

128K阵列

128K阵列

16

I / O

缓冲器

1 16

选择

3

数据 -

In

注册。

数据 -

OUT

注册。

D

16

行向

地址

缓冲器

16

10

16

Q

2

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

TMS44100 ， TMS44100P ， TMS46100 ， TMS46100P

4194304 - WORD BY 1位

动态随机存取存储器

SMHS561A - 1995年3月 - 修订1995年6月

手术

增强的页面模式

增强的页面模式操作允许更快的存储器存取通过保持相同的行地址的同时选择

随机列地址。时间为行地址建立和保持和地址复用被淘汰。该

可以访问由最大的RAS低时间和CAS来确定列的最大数量

用页面的循环时间。

不同于传统的页面模式的DRAM中，列地址缓冲器在该装置中被上落下激活

RAS的边缘。该缓冲器充当透明或流过锁存器而CAS是高的。 CAS的下降沿

锁存的列地址。此功能允许TMS4x100在更高的数据带宽比操作

常规的页面模式部分，因为数据检索只要列地址是有效的，而不是开始

当CAS变为低电平。这种性能的提高被称为增强的页面模式。有效

列地址可以后立即行地址保持时间已经满足，通常是良好的呈现

预先CAS的下降沿。在这种情况下，吨后得到的数据

CAC

MAX（中国科学院低存取时间） ，

如果T

AA

最大值（从列地址访问时间）已被满足。如果为下一个周期列地址是

当时CAS号变为高电平有效时，为下一个周期的存取时间为t的存货发生确定

CAC

或T

注册会计师

（中国科学院上升沿访问时间） 。

地址（ A0 - A10 ）

二十二个地址位的解码需要的4 194 304的存储单元位置1 。十一行地址位

被设置在输入端A0至A10和锁存到由该行地址选通脉冲（ RAS）的芯片。在11

列地址位被设置在A0至A10和锁存到由列地址选通的芯片

（ CAS ） 。所有地址必须是稳定的或RAS和CAS的下降沿之前。 RAS类似于一个芯片

启用，它通过激活上述读出放大器以及行译码器。 CAS号被用作芯片选择，激活

输出缓冲器，以及锁存地址位进入列地址缓冲器。

写使能（ W）

读或写模式是通过写使能（W）的输入选择。 W上的逻辑高电平选择阅读模式

和一个逻辑低电平选择写入模式。 W能够从标准的TTL电路（ TMS44100 / P）或驱动

低电压TTL电路（ TMS46100 / P）没有上拉电阻。的数据输入被禁用时，读出模式

被选中。当W变为低电平之前， CAS号（早期写） ，数据输出仍然为高阻抗状态

整个周期，允许通用I / O操作。

数据输入（D ）

数据被写入或读 - 写周期期间被写入。根据不同的工作模式， CAS的下降沿

或W选通数据到芯片上的数据锁存器。在早期的写周期中，W前低CAS和数据所带来

被选通通过与中科院建立和保持参考此信号倍。以延迟写入或读 - 写周期，

CAS号已经是低电平，数据选通在由W和建立和保持参考此信号倍。

数据输出（ Q）

数据输出是相同的极性，在数据的输出是在高阻抗（浮动）的状态，直到CAS被带到

低。在一个读周期中，输出的存取时间间隔t后变为有效

CAC

（其开始于负

CAS的过渡），只要吨

RAC

和T

AA

是满意的。的输出变为有效后的存取时间有

经过和仍然有效，而CAS低; CAS会高回报也高阻抗状态。在一个

延迟写或读 - 写周期，输出如下的顺序和读出周期。

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TMS44100 ， TMS44100P ， TMS46100 ， TMS46100P

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SMHS561A - 1995年3月 - 修订1995年6月

刷新

刷新操作必须执行至少每16毫秒（ 128毫秒TMS4x100P ）保留的数据。这

可以通过选通每个1024行来实现（A0 - A9）。一个正常的读或写周期刷新在所有位

所选的每一行。甲RAS-只操作可以用来通过保持CAS号在高电平（无效）的水平，

节省功率作为输出缓冲器保持在高阻抗状态。外部生成的地址

必须用于一个RAS -只刷新。隐藏刷新可以同时保持有效的数据来进行

输出。这是由中国科学院控股在V完成

IL

后的指定后，读出操作和自行车的RAS

预充电期间，类似于一个RAS -只刷新周期。隐藏刷新过程中，外部地址将被忽略

周期。

CAS先于RAS （ CBR ）刷新

CBR刷新是通过将低中科院早于RAS （参见参数t利用

企业社会责任

）和RAS之后保持为低电平

瀑布（参见参数t

CHR

） 。对于连续的CBR刷新周期， CAS可以保持较低，而骑自行车的RAS 。该

外部地址被忽略，并且刷新地址由内部产生。

低功耗电池备份刷新模式，需要小于300 μA （ TMS46100P ）或500 μA

（ TMS44100P ）刷新当前可在低功耗器件。数据的完整性是使用CBR保持

用了一段125刷新

s

而保持RAS低不到1

s.

为了最大限度地减少电流消耗，所有

输入电平必须在CMOS电平（Ⅴ

IL

≤

0.2 V, V

IH

≥

V

CC

– 0.2 V ).

自刷新

自刷新模式时通过丢弃CAS低之前， RAS变为低电平输入。 CAS和RAS均保持低电平

为至少100

s.

该芯片然后通过一个板上振荡器刷新。无需外部地址为必填项

因为CBR计数器用于跟踪地址。以退出自刷新模式，这两种的RAS和CAS

被拉高，以满足t

CHS

。在退出自刷新模式中，一个脉冲串刷新（刷新全套行

地址）必须正常运行，然后再继续执行。这确保了在DRAM是充分

刷新。

上电

为了实现器件正常工作， 200的初始暂停

s

后跟最少八个初始化周期

整个V后需要

CC

电平来实现的。这八个初始化周期必须包括至少一个刷新

（RAS -只或CBR）的周期。

测试模式

业界标准的设计进行测试（ DFT ）模式在TMS4x100和TMS4x100P中。社区康复

循环用W低（ WCBR ）循环用于进入测试模式。在测试模式中，数据被写入和读出

从八个部分并联的阵列构成。在阅读数据进行比较，如果所有位都相等时，数据输出

终端变为高电平。如果任何一个位是不同的，该数据输出端变为低电平。读取任意组合，写，

读 - 写，或页面模式的周期所用的测试模式中使用。在测试模式功能通过减少测试时间

使4兆位DRAM的待测试就好像它是一个512K的DRAM ，其中行地址10 ，列地址10 ，

和列地址0未使用。一个RAS -唯一或CBR刷新周期是用来退出DFT模式。

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测试模式（续）

进入周期

测试模式周期

RAS

退出循环

正常

模式

CAS

W

W，在数据和地址的状态是由在测试模式下使用周期的类型来定义。

TMS44100 ， TMS44100P 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1 V至7 V

TMS46100 ， TMS46100P 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5 V至4.6 V

任何引脚电压范围（见注1 ） ： TMS44100 ， TMS44100P 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1 V至7 V

TMS46100 ， TMS46100P 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5 V至4.6 V

短路输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1 W

工作的自由空气的温度范围内，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至150℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：所有的电压值是相对于VSS。

电源电压范围，V

CC

:

推荐工作条件

TMS44100 / P

民

VCC

VIH

VIL

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压（见注2 ）

4.5

2.4

–1

喃

5

最大

5.5

6.5

0.8

民

3

2

– 0.3

TMS46100 / P

喃

3.3

最大

3.6

VCC + 0.3

0.8

单位

V

V

V

TA

工作自由空气的温度

0

70

0

70

°C

注2：代数约定，其中，更负（少正）限制被指定为最小，仅用于逻辑电压电平。

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在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）