TMS416400 ， TMS416400P ， TMS417400 ， TMS417400P
TMS426400 ， TMS426400P ， TMS427400 ， TMS427400P
4194304 - WORD 4位高速的DRAM
SMKS881B - 1995年5月 - 修订1995年8月
描述（续）
该TMS4xx400和TMS4xx400P在一个26分之24引脚塑料表面贴装TSOP （ DGA后缀）提供的各
封装和二十六分之二十四引脚塑料表面贴装SOJ （ DJ后缀）封装。这些软件包的特点
操作从0℃至70℃。
手术
增强的页面模式
增强的页面模式操作允许更快的存储器存取通过保持相同的行地址的同时选择
随机列地址。时间为行地址建立和保持和地址复用被淘汰。该
列的可访问用t确定的最大数目
RASP
，最高RAS低的时间。
不同于传统的页面模式的DRAM中，列地址缓冲器在这些设备上的激活
RAS下降的边缘。该缓冲器充当透明或流过锁存器而CAS是高的。下降沿
CAS号的锁存的列地址和使能输出。此功能允许设备在运行
更高的数据带宽比传统的分页模式部分，因为数据检索，尽快开始为列
地址是有效的，而不是当CAS变为低电平。这种性能的提高被称为
增强的页面模式。一个有效的列地址可以后立即行地址保持时间呈现有
被满足，通常提前做好CAS的下降沿。在这种情况下，吨后得到的数据
CAC
最大
（中国科学院低存取时间）如果T
AA
最大值（从列地址访问时间）和叔
RAC
已经得到满足。在
事件列地址为下一个周期是在当时CAS变高，存取时间为下一个周期中有效
为t的存货发生确定
注册会计师
或T
CAC
.
地址： A0 - A11 （ TMS4x6400 / P）和A0 - A10 （ TMS4x7400 / P）
二十二个地址位的解码需要的4 194 304的存储单元位置1 。对于TMS4x6400和
TMS4x6400P ， 12行的地址位被设置在A0至A11和锁存到由该行地址的芯片
选通脉冲（RAS）的。十列地址位通过A9成立A0 。对于TMS4x7400和TMS4x7400P ， 11
行地址位被设置在输入A0到A10和锁存到由RAS芯片。十一列地址
位通过A10成立A0 。所有的地址必须是稳定的或RAS和CAS的下降沿之前。
RAS类似于一个芯片使能，因为它激活的读出放大器，以及行译码器。 CAS使用
作为芯片选择，激活输出缓冲器和锁存地址位进入列地址缓冲器。
写使能（W）的
读或写模式是通过W.选择的逻辑高电平W上选择读模式，并且一个逻辑低选择
写入模式。的数据输入被禁止时被选择的读出模式。当W去之前， CAS低
（早期写） ，数据输出保持在整个周期上的高阻抗状态时，允许写操作与
OE接地。
在数据（ DQ1 - DQ4 ）
数据写过程中被写入或读出 - 修改 - 写周期。取决于操作模式，下降沿
中国科学院或W选通数据到芯片上的数据锁存器。在早期的写周期，W是前低CAS带来的，
数据选通通过与中科院建立和保持参考此信号倍。以延迟写入或
读 - 修改 - 写周期， CAS已经很低，并且数据选通由W和建立时间和保持时间的参考
到该信号。以延迟写入或读 - 修改 - 写周期，参考必须高到使输出缓冲器到
之前，留下深刻印象的I / O数据线的高阻抗状态。
数据输出（ DQ1 - DQ4 ）
数据输出是相同的极性，在数据的输出是在高阻抗（浮动）的状态，直到CAS和参考
被拉低。在一个读周期中，输出的存取时间间隔t后变为有效
CAC
（这开头
CAS的负跳变），只要吨
RAC
和T
AA
是满意的。
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