TMS55160 ， TMS55161 ， TMS55170 ， TMS55171
262144 ×16位MULTIPORT视频RAMS
SMVS464 - MARCH1996
描述
该TMS551xx多端口视频RAM中（ VRAMs ）是高速双端口存储器件。每个由
一个动态随机存取存储器（DRAM）组织为16位的262 144字，每个接口连接到一个
串行数据寄存器组织为256个字的每个16位[串行存取存储器（SAM ）。这些设备
支持的操作的三种基本类型：随机存取和从DRAM中，从串行串行存取
寄存器，并从DRAM到SAM的数据传送。除了在传输操作，这些设备可以
可以从DRAM和SAM端口同时异步访问。
该TMS551xx多端VRAMs提供旨在提供更高的系统级带宽几个功能
并简化设计集成在两个所述DRAM和SAM端口（见表2） 。在DRAM端口，更大
像素拉伸率是由数据块写入功能来实现的。该TMS5516x器件的4列块写入功能
允许数据（存在于芯片上的颜色数据的寄存器）的16位被写入到四个相邻的任意组合
列地址位置，至多总共64位每CASx周期时间的数据。类似地， TMS5517x器件的
8列块写入功能允许16位数据被写入到的8个相邻的任意组合
列地址的位置，最多总共128位每CASx周期时间的数据。同样在DRAM端口时，
写的每比特（或写面罩）功能允许16的DQ上的任何写周期的任意组合的掩蔽。该
持续写每比特函数使用屏蔽寄存器，一旦加载，可在随后的写周期使用
无需重新加载。所有TMS551xx器件提供字节控制。字节的控制可以写周期应用，阅读
周期，块写入周期，负载写掩码寄存器周期，负载的颜色寄存器周期。该TMS551xx
器件提供增强的页面模式操作其导致更快的访问时间。也TMS551x1设备
提供了扩展数据输出（ EDO ）模式。该EDO模式是有效的同时在页模式和标准
DRAM周期。
该TMS551xx设备提供一个分裂寄存器传输（ DRAM到SAM）功能。此功能使实时
注册负载实现无关键时序要求连续串行数据流。串行
寄存器被分成高半部分和一个低一半。而一个半正被读出SAM端口，另一半
可以从DRAM被加载。如果不需要实时寄存器加载（例如，加载完成
在CRT回扫时间） ，保持全寄存器传输操作，简化了系统设计。
SAM端口是专为最高性能。数据可以从SAM访问的串口速率可达
至55兆赫。一个单独的输出， QSF ，包括指示哪些半串行寄存器是有效的。凉爽
在SAM不是必需的，因为该数据的寄存器，它包括：在SAM是静态的。
所有的输入，输出和时钟的TMS551xx设备的信号与74系列TTL兼容。所有地址
线和数据输入线被锁存片上，以简化系统的设计。所有数据输出线是未闩锁，以允许
更大的系统灵活性。
所有TMS551xx采用国家最先进的TI公司的EPIC技术相结合，非常高的性能提升
可靠性。
所有TMS551xx均提供64引脚小外形鸥翼式引线封装（ DGH后缀） ，可直接面
安装。
该TMS551xx VRAMs和其他TI多端口VRAMs由图形处理器的广泛支持线
从德州仪器控制设备。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
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