【TMS3473B并联驱动程序SOCS022B - 1990年11月TTL兼容的输入CCD兼容输出可变】,IC型号TMS3473BDW,TMS3473BDW PDF资料,TMS3473BDW经销商,ic,电子元器件-51电子网

TMS3473B

并联驱动程序

SOCS022B - 1990年11月

TTL兼容的输入

CCD兼容输出

可变输出摆率随着外部

电阻控制

全帧操作

帧传送操作

固态可靠性

可调整时钟级别

DW包装

（ TOP VIEW ）

描述

该TMS3473B是单片CMOS集成

电路设计，驱动并行图像区域

门（IAG），并行存储区域栅极（ SAG），并

抗光晕门（ ABG ）输入的德州仪器（ TI ）虚拟相CCD图像传感器。该

TMS3473B接口的CCD图像传感器，以用户定义的定时发生器;它接收TTL输入信号

从定时发生器和输出电平转换和摆率调整的信号给图像传感器。

该TMS3473B允许CCD图像传感器的操作在任一隔行或非隔行模式。当

该TMS3473B的I / N输入被连接到V

的交错模式被选择（参见图1） ;当I / N为

连接到V

时，非隔行模式被选择（参见图2）。

简介如下ABIN和V之间的切换

ABG +

和V

ABG

。 IAOUT和SAOUT跟随航研和协作网，

分别和V之间切换

和V

。另外，关于和IAOUT可以各自向输出

中等水平的电压。直流输入到ABLVL和IALVL确定中层的电压可输出上关于

和IAOUT分别。在MIDSEL一个高逻辑电平使即将输出的中层电压;一个低逻辑

上MIDSEL水平导致IAOUT输出其中层电压是否选择了隔行扫描模式。

摆率调整IAOUT和关于通过连接IASR到V完成

和ABSR到V

ABG +

通过外部电阻器。较大的电阻值，时间越长，上升和下降时间。

在PD的低逻辑电平使TMS3473B断电，所有输出承担起自己的低水平（ IAOUT

和SAOUT到V

大约到V

ABG -

该TMS3473B是在一个20引脚表面贴装封装（ DW ）提供，特点是操作从

-20℃至45℃。

IALVL

I / N

航研

ABIN

MIDSEL

协作网

GND

ABG +

IASR

ABSR

ABLVL

IAOUT

关于

SAOUT

ABG -

该器件包含电路，以保护其投入和对输出的伤害，由于高静电压或静电场。这些

电路已合格，根据MIL -STD- 883C ，以保护该器件免受高达2kV的静电放电（ ESD ）

方法3015 ;然而，应采取预防措施，以避免应用超过最大额定电压，以这些较高任何电压的

高阻抗电路。在储存过程中或处理，该装置引线应短接在一起，或该设备应被放置在

导电泡棉。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到拨逻辑电压电平，最好是VCC或地。

用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物

准则处理静电放电敏感

（ ESDS ）器件和组件

从德州仪器。

TI是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1990年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TMS3473B

并联驱动程序

SOCS022B - 1990年11月

逻辑符号

TTL / CCD

TMS3473B

I / N

MIDSEL

NONINT

INT/M1

PWR DWN

即将中层

1 （ IAOUT到中层）

ABIN

ABLVL

ABSR

航研

IALVL

IASR

协作网

IAOUT

关于

SAOUT

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TMS3473B

并联驱动程序

SOCS022B - 1990年11月

终端功能

终奌站

名字

ABIN

ABLVL

关于

ABSR

GND

航研

IALVL

IAOUT

IASR

I / N

MIDSEL

协作网

SAOUT

VABG +

VABG -

VCC-

VSS =

号

I / O

描述

抗光晕中

DC抗光晕中层电压

抗光晕出来

抗光晕压摆率

地

并行图像区域中

DC并行图像面积中等水平的电压

并行图像面积出

并行图像面积的压摆率

隔行/非隔行选择

IAOUT /关于中等水平的电压选择

掉电

并行的存储区域中

并行存储区了

ABG正电源电压

ABG负电源电压

正电源电压

负电源电压

VSS =

负电源电压

同名的所有终端应在外部连接在一起。

读

转移到

内存？

读

转移到

内存？

INTEGRATE

I / N

航研

INTEGRATE

–9 V

航研

I / N

ABIN

MIDSEL

1.5 V

–3 V

–9 V

– 2.5 V

–8 V

电视字段A

电视字段B

ABIN

1.5 V

MIDSEL

IAOUT

–9 V

– 2.5 V

–8 V

关于

图2.并行驱动时序图

（非隔行模式）

图1.并行驱动时序图

（隔行扫描模式）

的读数时，如果TMS3473B推动全画幅CCD图像传感器;到内存的传输时，如果TMS3473B正在推动

帧转移的CCD图像传感器。

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TMS3473B

并联驱动程序

SOCS022B - 1990年11月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

正电源电压，V

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4.4 V

负电源电压，V

（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -11.1 V

ABG正电源电压，V

ABG +

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.6 V

ABG负电源电压，V

ABG -

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . – 8 V

ABG电源电压差分（V

ABG +

– V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15.2 V

连续总功耗在（或低于）中，T

≤

25°C:

卸载装置（参见图3）。。。。。。。。。。。。。。 825毫瓦

车载装置（参见图3）。。。。。。。。。。。。。。。。 1150毫瓦

工作的自由空气的温度范围内，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 20℃至45 ℃的

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 55 ° C至125°C

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有电压值相对于GND 。

2.代数约定，其中，所述至少阳性（最负）值设为最小值，被用在这个数据表

唯一的电压水平。

功耗

自由空气的温度

1500

1400

1300

PD - 功耗 - 毫瓦

1200

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

TA - 自由空气的温度 -

°C

卸载设备

安装设备

（见注一）

科幻gure 3

注一：在下列条件下得到图3中的安装设备降额曲线：

该板为50毫米乘50毫米×厚1.6毫米。

该板的材料是环氧玻璃。

所有蚀刻运行的铜的厚度为35微米。

蚀刻运行层面 - DW包 - 所有20蚀刻运行的0.4毫米了22毫米。

每个芯片焊接到电路板上。

铝散热片10毫米10毫米× 1mm厚的被耦合到与导热膏的片。

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TMS3473B

并联驱动程序

SOCS022B - 1990年11月

推荐工作条件（见注2 ）

民

正电源电压VCC

负电源电压， VSS

ABG正电源电压， VABG +

ABG负电源电压， VABG -

电源电压差分（ VCC - VSS ）

DC并行图像区域中层电压， IALVL

DC抗光晕中层电压， ABLVL

高位

高电平输入电压， VIH

电压

低电平

低电平输入电压， VIL

电压

输入电压Vi

电压，

频率fclock

频率， L·K

输入电阻，Ri

斜率电阻偏置

输入电容CI

经营自由的空气温度， TA

ABLVL

< 5千欧

< 2.5千欧

ABIN ， MIDSEL ， PD伊恩或协作网

I / N

ABIN ， MIDSEL ， PD伊恩或协作网

I / N

ABLVL

IALVL

航研， SAIN§

ABIN§

IALVL ， ABLVL

2.5

– 20

– 3.5

–6

– 3.5

2.5

VCC - 0.4

0.9

VSS + 0.4

–2

3.58

–5

– 2.5

–11.1

– 11.1

喃

– 10

3.5

–7

最大

4.4

– 9.7

4.4

– 6.2

15.5

–2

单位

兆赫

°C

VCC ， VSS ， VABG +和VABG - 具有100 mA的电流限制。适当的去耦电容是必需的，这些端子接地。

需要隔行模式操作适当调节。

§不同的CCD图像传感器具有不同的最大时钟速率。看个人CCD图像传感器的数据表，这些速率。

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TC245

786-

488像素的CCD图像传感器

SOCS019A - 1991年12月

高分辨率，固态图像传感器

支持NTSC /黑白电视的应用

8毫米图像面积对角线，兼容

1/2 “视像光学

755 （H ）× 242 （V ）有源元素

影像感测区

先进的片上信号处理

低暗电流

电子 - 空穴复合抗光晕

动态范围。。。大于70dB

高灵敏度

高光响应均匀性

高蓝回应

单相时钟

固态可靠性无图像

烧机，残留成像，图像

失真，图像滞后，或颤

双列直插式封装

（ TOP VIEW ）

1分

IAG 2

ABG 3

亚洲开发银行4

OUT3 5

OUT2 6

OUT1 7

AMP GND 8

国开行9

SUB 10

NC - 无内部连接

子

IAG

ABG

SAG

SRG3

SRG2

SRG1

TRG

1dB的

描述

在TC245是一帧传输的电荷耦合器件（ CCD）图像传感器在单芯片/黑白设计用于

NTSC电视应用。该装置是用来替代1/ 2英寸的摄像管管要求小应用

小，可靠性高，成本低。

在TC245的图像感测区域被构造成242行，每行786的元件。二十九

元件中的每个线对暗基准设置。传感器的晕染保护功能是根据

关于重组过量电荷与电荷在基板极性相反。这种抗光晕激活

通过提供时钟脉冲到抗光晕门，这是每一个图像传感元件的一个组成部分。

该传感器被设计以隔行模式操作，电子移动所述图像感测元件

在二分之一的垂直线的过程中的电荷积分周期交替场，有效地增加了

垂直分辨率和最小化失真。该装置还可以作为755 （H），由242 （V）的操作

逐行扫描传感器与显著减少在黑暗中的信号。

门控浮动扩散检测结构具有自动复位和电压基准芯片上整合

转换成电荷信号电压。该信号由低噪声进一步处理，状态的最先进的相关

夹紧-采样和保持电路。一种低噪声，双级，源极跟随放大器，缓冲器的输出端和

提供高输出驱动能力。的图像被读出，通过三个输出端，其每一个中读出每

第三image列。

该TC245采用TI专有的虚拟相技术，提供设备与高建兰

响应，低暗信号，良好的均匀性，和单相时钟。在TC245的特点是操作

从-10℃至45℃。

该MOS器件包含有限的内置栅极保护。在储存或处理，设备引线应短接在一起

或装置应放置在导电泡沫。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到SUB 。在任何

情况应该引脚电压超过绝对最大额定值。避免短路OUTn的亚洲开发银行在操作过程中防止

放大器的损坏。该装置也被损坏，如果在输出端是反向偏置，过大的电流是

允许流动。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物

处理指南

静电放电敏感（ ESDS ）器件和组件

从德州仪器。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1991年，德州仪器

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2-1

TC245

786-

488像素的CCD图像传感器

SOCS019A - 1991年12月

功能框图

顶漏

图片区某

盛开的保护

黑暗的参考元素

亚洲开发银行

放大器器

1dB的

OUT2

多路复用器，传输

盖茨和串行寄存器

TRG

SRG3

SRG2

SRG1

存储区域

SAG

IAG

ABG

IAG

ABG

OUT3

OUT1

清漏

11 DUMMY

分子

AMP GND

国开行

详细说明

在TC245由四个基本功能模块：（1）在图像感测区域，（2）的图像的存储区域，

（3）与串行寄存器和传输门复用器块，和（4）的低噪声信号处理

与电荷检测节点的功放块。每个块的位置在功能识别

框图。

2-2

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TC245

786-

488像素的CCD图像传感器

SOCS019A - 1991年12月

传感器拓扑图

244

1/2

755 + 1/2 + 1/2

有效成像区域

29 + 1/2

2号线

反向传输

252

反向传输

虚拟像素

11.5

251 + 1/2 + 1/2

9.5

OPB

终端功能

I / O

针

名字

ABG

亚洲开发银行

AMP GND

国开行

IAG

1dB的

OUT1

OUT2

OUT3

SAG

SRG1

SRG2

SRG3

子

号

描述

抗光晕门

电源电压放大器漏极偏置

功放接地

电源电压为结算漏极偏置

图像面积栅

电源电压输入二极管偏置

输出信号1

输出信号2

输出信号3

存储区域门

串行寄存器门1

串行寄存器2号门

串行寄存器门3

基板和时钟回报

TRG

传送门

同名的所有引脚都应该在外部连接在一起。

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2-3

TC245

786-

488像素的CCD图像传感器

SOCS019A - 1991年12月

图像感测和存储区域

图1和图2示出了与势阱，图表和影像传感的顶视图和横截面

存储区域元素。作为光入射在所述图像感测区域中的硅中，产生的自由电子和

收集在所述感测元件的势阱。在这段时间，开花保护由活化

施加一个脉冲串的脉冲的抗光晕栅极输入每个水平消隐间隔。这可以防止

绽放造成电荷曝光过度的元素溢出到相邻的元素。后

整合完成后，信号电荷被传输到存储区域。

有29个完整的列和元素在图像感测区域是右边缘上的一个半柱

从入射光屏蔽;这些元件提供了在随后的图像处理中使用的暗基准

电路恢复视频黑电平。也有一个完整的塔和一个半柱光屏蔽

在图像感测区域的左边缘的元素和两行之间的光屏蔽元件

图像传感和图像的存储区域（后者防止从图像感测区域的电荷泄漏到

图像存储区域）。

复用传输门和串行寄存器

多路转换器和传输门从所述存储区域的列转移电荷逐行地进

相应的串行寄存器，并准备将其读出。图3示出了复用栅极的布局

该垂直分离的像素为输入到串行寄存器。图4示出的界面的布局

串行寄存器的栅极和传输门之间的区域。在水平复用被激活

消隐期间通过施加合适的脉冲来传输门和串行寄存器;所需要的脉冲

定时示于图5，漏极还包括以提供能力以清除图象传感和

不需要的电荷的存储区。这样的电荷所用的成像器在启动动作的累积

或在特殊情况下，当电视不规范的操作是需要的。

相关钳采样和保持放大器带有电荷检测节点

图6示出了相关钳采样和保持放大器电路。电荷被转换成视频

通过转移电荷到浮动扩散区结构在节点1检测信号，该信号连接到所述

MOS晶体管Q1的栅极。比例的电荷引起的信号然后通过在示出的电路处理

图6.该电路包括由Q1和C2组成的低通滤波器的，耦合电容器C1 ，虚设检测

节点2，其恢复对Q3的栅极的直流偏压，采样晶体管Q5 ，保持电容器C3 ，并输出

缓冲Q6 。晶体管Q2， Q4和Q7的电流源放大器的每一个对应的阶段。该

这种高性能信号处理放大器的参数进行了优化，以减少噪声和

最大化的视频信号。

信号处理开始检测节点1和恢复的直流偏置的对Q3的栅极的复位

通过虚设检测节点2的夹紧作用在夹紧完成后，将新的充电

包被转移到检测节点1将所得的信号由采样晶体管Q5取样并

被存储在保持电容器C3 。这个过程是周期性重复的，并且相关于充电

在转移寄存器。的相关性，因为在寄存器中使用的相同的时钟线，自动地实现

φ-S2

和

φ-S3

电荷传输服务的复位和样品。多次使用的时钟线的显著

减少了操作该传感器所需的信号的数量。该放大器还包含一个内部电压

参考发生器，它提供基准偏置用于复位和钳位晶体管。检测结

和相应的放大器被置于一定距离的存储区的边缘。因此，

11虚设元件被并入在每一个串行寄存器的末端跨越的距离。位置

虚设元件，其被认为是在放大器的一部分，示出了在功能块

图。

2-4

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TC245

786-

488像素的CCD图像传感器

SOCS019A - 1991年12月

8.5

微米（H）的

主频屏障

φ -IAG

虚拟屏障

抗光晕门

虚拟恩

抗光晕

时钟级别

φ- ABG

光

19.75

微米（V）的

主频嘛

积累的电荷

图1.电荷积累过程

φ -PS

主频相

虚拟相

通道停止

图2.电荷转移过程

通道停止

虚拟

WELL

主频

WELL

通道

停止

复

门

主频

威尔斯

串行寄存器

门

转让

门

图3.复栅布局

图4.接口区域布局

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2-5

TC241

780-

488像素的CCD图像传感器

SOCS006C - 1986年8月 - 修订1991年12月

高分辨率，固态图像传感器

支持NTSC /黑白电视的应用

11毫米的图像面积对角线，兼容

与2/3“视像光学

754 （H ）× 244 （V ）有源元素

影像感测区

低暗电流

电子 - 空穴复合抗光晕

动态范围。。。 60dB以上

高灵敏度

高光响应均匀性

高蓝回应

单相时钟

固态可靠性无图像

烧机，残留成像，图像

失真，图像滞后，或颤

双列直插式封装

（ TOP VIEW ）

子

IAG

SAG

TDB

亚洲开发银行

OUT3

OUT2

OUT1

AMP GND

GND

子

ABG

IAG

SAG

SRG3

SRG2

SRG1

TRG

1dB的

国开行

子

描述

在TC241是一帧传输的电荷耦合器件（ CCD）图像传感器在单芯片/黑白设计用于

NTSC电视应用。该装置是用来代替三分之二英寸摄像管管要求小应用

小，可靠性高，成本低。

在TC241的图像感测区域被构造成244行，每行780的元件。二十四

元件中的每个线对暗基准设置。传感器的晕染保护功能是根据

关于重组过量电荷与电荷在基板极性相反。这种抗光晕激活

通过提供时钟脉冲到抗光晕门，这是每一个图像 - 感测元件的一个组成部分。

该传感器被设计以隔行模式操作，电子移动所述图像感测元件

二分之一期间，在交替场的电荷积分周期的垂直线的，有效地增加了

垂直分辨率和最小化失真。该装置还可以作为754 （H），由244 （V）非隔行扫描的运行

传感器与显著减少在黑暗中的信号。

门控浮动扩散检测结构具有自动复位和电压基准芯片上整合

转换成电荷信号电压。一种低噪声，双级，源极跟随放大器，缓冲器的输出端和

提供高输出驱动能力。

该TC241采用TI专有的虚拟相技术，提供设备与高建兰

响应，低暗电流，高光响应的均匀性，和单相时钟。

在TC241的特点是操作从-10℃至45℃。

该MOS器件包含有限的内置栅极保护。在储存或处理，设备引线应短接在一起

或装置应放置在导电泡沫。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到SUB 。在任何

情况应该引脚电压超过绝对最大额定值。避免短路OUTn的亚洲开发银行在操作过程中防止

放大器的损坏。该装置也被损坏，如果在输出端是反向偏置，过大的电流是

允许流动。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物

处理指南

静电放电敏感（ ESDS ）器件和组件

从德州仪器。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1991年，德州仪器

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TC241

780-

488像素的CCD图像传感器

SOCS006C - 1986年8月 - 修订1991年12月

功能框图

顶漏

IAG

图片区某

盛开的保护

暗参考元素

ABG

IAG

TDB

SAG

亚洲开发银行

OUT3

放大器器

存储区域

OUT2

多路复用器，传输

盖茨和串行寄存器

SAG

SRG3

SRG2

SRG1

OUT1

TRG

清漏

6哑

分子

AMP GND

GND

国开行

1dB的

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TC241

780-

488像素的CCD图像传感器

SOCS006C - 1986年8月 - 修订1991年12月

传感器拓扑图

780

753

244

图像传感

区域

488

图像存储

区域

一个1 / - 振幅元

6哑

柱

251

一个1 / - 振幅元

终端功能

终奌站

名字

ABG

亚洲开发银行

AMP GND

国开行

GND

IAG

1dB的

OUT1

OUT2

OUT3

SAG

SRG1

SRG2

SRG3

子

TDB

TRG

号

I / O

描述

抗光晕门

电源电压放大器漏极偏置

功放接地

电源电压为清算漏极偏置

地

图像面积栅

电源电压输入二极管偏置

输出信号1

输出信号2

输出信号3

存储区域门

串行寄存器门1

串行寄存器2号门

串行寄存器门3

基板和时钟回报

电源电压最高漏极偏置

传送门

同名的所有引脚都应该在外部连接在一起。

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TC241

780-

488像素的CCD图像传感器

SOCS006C - 1986年8月 - 修订1991年12月

详细说明

在TC241由四个基本功能模块：（1）在图像感测区域，（2）的图像的存储区域，

（3）多路转换器与串行寄存器和传输门，和（4）的缓冲放大器，电荷检测

节点。每个块的位置将显示在功能框图。

影像感测的存储区

与潜在的孔图表和图像传感和存储区域元素的俯视图是横截面

在图1和图2所示的光入射在所述图像感测区域中的硅，自由电子

产生和收集的感测元件的势阱。在这段时间中，抗光晕栅

由一个脉冲串的每一个水平消隐间隔中的应用被激活。这可以防止晕染

所造成的费用由过度元素融入到相邻元素的溢出。建成后

一体化，信号电荷被传输到存储区域。以产生所需的暗基准

为恢复视频黑电平， 23全列和一个后续的视频处理电路

在图像感测区域的左边缘的元素的半列从入射光屏蔽。两个全

列，并在图象传感区域的右元素的一个半柱也从事件屏蔽

光。每行的元素的总数量为780 （ 753的有源元件加25的屏蔽元件和2个

过渡族元素）。

复用传输门和串行寄存器

多路转换器和转印门转移电荷逐行地从图像元素的列进

相应的串行寄存器并准备将其读出。在水平消隐期间多路复用被激活

间隔通过施加适当的脉冲来传输门和串行寄存器。所需脉冲时间是

在图3中示出的漏极被包括在这个区域提供的能力，迅速清除该图像传感

并存储不需要的电荷的区域。这样的充电可以在成像过程中启动的积累

操作或在特殊情况下，当电视不规范的操作是需要的。

缓冲放大器，电荷检测节点

缓冲放大器转换成电荷转换成视频信号。图4示出的电荷检测的电路图

节点和三个放大器中的一个。作为电荷被传输至检测节点，该节点的电位

到的信号的量的变化比例接收。这种变化是由一个MOS晶体管感测和后

适当的缓冲，所述信号被提供给所述图像传感器的输出终端。后势变化

被检测到时，该节点被复位到由一个片上基准信号发生器提供的参考电压。复位

通过复位栅极，内部连接到串行寄存器来完成的。检测节点和

相应的放大器被置于从所述存储区域的边缘有一定距离; 6哑元素

用于跨越这一距离。虚设元件的位置将显示在功能框图。

11.5

主频屏障

IAG

虚拟屏障

抗光晕门

虚拟恩

抗光晕

时钟级别

ABG

光

主频嘛

积累的电荷

图1.电荷积累过程

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TC241

780-

488像素的CCD图像传感器

SOCS006C - 1986年8月 - 修订1991年12月

SAG

主频相

虚拟相

通道停止

图2.电荷转移过程

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TC217

1158-

488像素的CCD图像传感器

SOCS015C - 1989年10月 - 修订1996年6月

高分辨率，固态单色

对于视频或静止图像的图像传感器

摄影

帧传输带两个外地的回忆

允许多模式操作

1134 （H ）× 486 （V ）有源元素

影像感测区

11毫米的图像面积对角线兼容

与2/3“视像光学

快速清除能力

电子 - 空穴复合抗光晕

动态范围。。。 60dB以上

高光响应均匀性

片交叉耦合的复位，方便

片的CCSH视频实现

信号处理

固态可靠性无图像

烧机，残留成像，图像

失真，图像滞后，或颤

双列直插式封装

（ TOP VIEW ）

子

ABG

IAG

SAG1

亚洲开发银行

OUT3

OUT2

OUT1

AMP GND

国开行

子

TDB

ABG

IAG

TMG

SAG2

SRG3

SRG2

SRG1

TRG

子

描述

在TC217是一帧传输的电荷耦合器件（CCD ）图像传感器，具有两个场存储器。这是

适用于NTSC视频或静止图像的摄影应用中使用。其图像感应区域配置

为488线;这些486是活动的，剩下的两个被用于暗基准。每一行被构造

到1158像素， 1134有源和24暗参考。在TC217具有4标准：3纵横比和

一个标准的11毫米图像感应区对角。其盛开的保护，这是每一个像素的一个组成部分，

是基于电子 - 空穴复合，并通过时钟信号的抗光晕栅极激活。

在TC217高分辨率传感器的一个重要方面是它能够同时捕获的两个场

电视架。它的两个独立可寻址的存储器，可以实现每个字段和操作的单独的存储

在各种模式，包括EIA- 170 （以前的RS- 170）与真实交错， EIA- 170用pseudointerlace ，

和非标准pseudointerlace与972线的分辨率。

一个独特的多路转换器部分（见图3）重新排列水平像素为三个和垂直基

分离和将图像加载到这两个领域的回忆。独立寻址每个场存储器的

提供了灵活性，对于不同的操作模式。回忆叉指式布局使每个

内存共享的三个串行寄存器和相关的充电检测放大器的同一家银行（见

图4和功能框图）。每个寄存器和相关的放大器读出每三列

图像区域（参照图5）。这三个放大器的优化双源跟随器，其允许使用

的片外双相关钳采样和保持放大器用于除去KTC噪声。

该TC217采用TI专有的虚拟相技术，提供设备与高建兰

响应，低暗信号，良好的均匀性，和单相时钟。在TC217的特点是操作

从-10℃至40℃。

该MOS器件包含有限的内置栅极保护。在储存或处理，设备引线应短接在一起

或装置应放置在导电泡沫。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到SUB 。在任何

情况应该引脚电压超过绝对最大额定值。避免短路OUTn的亚洲开发银行在操作过程中防止

放大器的损坏。该装置也被损坏，如果在输出端是反向偏置，过大的电流是

允许流动。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物

处理指南

静电放电敏感（ ESDS ）器件和组件

从德州仪器。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1996年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TC217

1158-

488像素的CCD图像传感器

SOCS015C - 1989年10月 - 修订1996年6月

功能框图

顶漏

ABG

IAG

图片区某

盛开的保护

黑暗的参考元素

3 ： 2多路复用器

SAG1

亚洲开发银行

OUT3

OUT1

传送门

和

串行寄存器

放大器器

存储区域

SAG2

TMG

待定

ABG

IAG

OUT2

SRG3

SRG2

SRG1

TRG

12 DUMMY

分子

AMP GND

邮政信箱655303

清漏

国开行

达拉斯，德克萨斯州75265

TC217

1158-

488像素的CCD图像传感器

SOCS015C - 1989年10月 - 修订1996年6月

传感器拓扑图

1158像素

1/2暗像素

虚拟像素

1134有源像素

23暗像素

1/2暗像素

多路复用器

386

邮政信箱655303

486有效行

2暗线

732线

达拉斯，德克萨斯州75265

TC217

1158-

488像素的CCD图像传感器

SOCS015C - 1989年10月 - 修订1996年6月

终端功能

终奌站

名字

ABG

亚洲开发银行

AMP GND

国开行

IAG

OUT1

OUT2

OUT3

SAG1

SAG2

SRG1

SRG2

SRG3

子

TDB

TMG

TRG

号

I / O

描述

抗光晕门

电源电压放大器漏极偏置

功放接地

电源电压为结算漏极偏置

图像面积栅

输出信号1

输出信号2

输出信号3

存储区域门

串行寄存器门1

串行寄存器2号门

串行寄存器门3

基板和时钟回报

电源电压最高漏极偏置

传输复用门

传送门

同名的所有引脚都应该在外部连接在一起（即引脚2到引脚20 ，

销3至引脚19 ，等等）。

详细说明

在TC217由五个基本功能模块：（1）在图像感测区域，（2）多路转换器块，（3）

具有双场存储器的图象存储区，（4）串行寄存器和传输门，和（5）所述的低噪音

与电荷检测节点信号处理放大器模块。每个块中的位置的识别

在该功能框图。

影像感测区

图1和图2示出的横截面与势阱，图表和影像传感的顶视图

元素。作为光入射在所述图像感测区域中的硅中，产生和收集的自由电子

传感元件的势阱。在这段时间，开花的保护是通过将一个脉冲串激活

的脉冲施加到抗光晕栅极输入每个水平消隐间隔。这可以防止光晕引起的

负责从过度元素融入到相邻元素的溢出。有23列满一

在从它们的入射光屏蔽图象传感区域的右边缘元件的半柱这些

元件提供在随后的视频处理电路中使用的暗基准，以恢复视频黑

的水平。还有的遮光元件一个半列的图象传感区域的左边缘和

两行的图像区域立即多路复用器上面的底部遮光元件（后者

防止电荷泄漏从图像区域分成多路转换器）。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TC217

1158-

488像素的CCD图像传感器

SOCS015C - 1989年10月 - 修订1996年6月

多路转换器和存储区域

一体化后，多路复用器重新排列的两条水平线成三个和分离，垂直基

将图像加载到该存储区域中。图3示出了多路转换器门的布局和其接口

两场回忆。图4示出了存储区和三个串行寄存器之间的界面区域。

漏极还提供以清除不希望的电荷的图象传感和图像的存储区域。这种收费

在操作的启动，或在特殊情况下的成像可以积累非标准时

TV操作是需要的。传感器的独立可寻址的存储器，可以实现几种不同的模式

传感器的操作，包括（1）一个普通光模式，（2）的低亮度模式，以及（3 ）静止模式。这些定时

三种模式中给出了图6 ，图7和8的平行传送时序示于图9 。

串行寄存器和放大器

转移到串行寄存器之后（参见图10 ，其示出了水平定时，使该必要

脉冲，用于从存储区域转移到串行寄存器）的序列中，电荷被转换成一个信号

电压感测节点和缓冲带的双级的源极跟随。这三个串行寄存器通常是

时钟120度的相位差，每个串选通脉冲提供一个检测节点复位信号为1

的其他两个串行栅极。的读出定时，它包括三个串行脉冲和象素钳

在一个片外双相关采样电路中使用的脉冲，表示在图12的检测节点和

放大器被置于一定距离的存储区的边缘。因此， 12虚拟元件

被结合在各串行寄存器的末端跨越的距离。虚设元件的位置，

这被认为是该放大器的一部分，示出了功能方框图。的示意图

检测节点和放大器被示于图5 。

7.8

微米（H）的

主频屏障

φ -IAG

虚拟屏障

抗光晕门

虚拟恩

抗光晕

时钟级别

φ- ABG

光

13.6

微米（V）的

主频嘛

积累的电荷

图1.电荷积累过程

φ -PS

主频相

虚拟相

通道停止

图2.电荷转移过程

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TC213

1024-

512像素的CCD图像传感器

SOCS013B - 1989年8月 - 修订1991年12月

高分辨率，固态

帧传输图像传感器

13.5毫米的图像面积对角线

1000 (H)

510 （V ）有源的元素

影像感测区

方形像素

低暗电流

电子 - 空穴复合抗光晕

动态范围。。。 60dB以上

高灵敏度

高光响应均匀性

高蓝回应

单相时钟

固态可靠性无图像

烧机，残留成像，图像

失真，图像滞后，或颤

双列直插式封装

（ TOP VIEW ）

OUT1

AMP GND

OUT2

亚洲开发银行

子

RST2

RST1

国开行

SRG1

SRG2

TRG

1dB的

ABGS

SAG

ABGI

IAG

子

TDB

子

IAG

ABGI

SAG

ABGS

描述

在TC213是一帧传输的电荷耦合器件（ CCD）图像传感器，可提供非常高的分辨率的

为图像处理应用，如机器人视觉，医疗用X射线分析，和图像采集

计量。图像格式测量12.00毫米水平由6.12毫米垂直;图象区域对角线

为13.5毫米。图像区域的像素是12平方微米。的图像区域中包含与1000活跃510个有效行

每行的像素。两个附加的暗基准线共在图像区域512行给出，和24的附加

每行的暗基准像素得到总的每水平行1024个像素。

在TC213的存储部分包含512行，每行有1024个像素。这个区域从保护

曝光由铝光盾。即在该图像区域中产生光电荷

TC213可以转移到存储部，在不到500

图像捕捉（积分时间）后，

读出是通过传输电荷，一条线的时间，完成了进入位于下方两个串行寄存器

的存储区，其中每一个包含512个数据元素和12虚拟元件。一个串行寄存器时钟

出，则在摄像区域的像素的奇数列中产生的电荷;另一串行寄存器

从成像区域的偶数列处理费。典型的串行寄存器数据速率

每秒10百万像素。三个传输门用来隔离串行寄存器。如果存储区

或者存储和图像区域需要清除所有的费用，收费可能会迅速通过串行传输

寄存器并进入结算漏极，这是位于下方的串行寄存器部分。

该MOS器件包含有限的内置栅极保护。在储存或处理，设备引线应短接在一起

或装置应放置在导电泡沫。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到SUB 。在任何

情况应该引脚电压超过绝对最大额定值。避免短路OUTn的亚洲开发银行在操作过程中防止

放大器的损坏。该装置也被损坏，如果在输出端是反向偏置，过大的电流是

允许流动。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物

处理指南

静电放电敏感（ ESDS ）器件和组件

从德州仪器。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1991年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

2-1

TC213

1024-

512像素的CCD图像传感器

SOCS013B - 1989年8月 - 修订1991年12月

描述（续）

封闭式浮动扩散检测结构均采用与每个串行寄存器转换成电荷信号

电压。外部复位允许的离片相关钳采样和保持放大器的应用

低噪声性能。以提供高输出驱动能力，这两个输出通过低噪声缓冲

两阶段，源极跟随放大器。这两个输出信号可提供的每20百万像素的数据速率

第二个结合时关闭芯片。每秒30帧的一个场的每帧的输出是典型的。在室温

温度，读出噪声是55 elecrons和60dB的最小动态范围是可用的。

掺入传感器绽开保护基于重组过量电荷与电荷

相反极性的衬底。此抗光晕是通过提供时钟脉冲，以激活

抗光晕门，这是每一个图像传感元件的一个组成部分。存储区抗光晕栅

计时只在正常使用的电荷转移。

该TC213采用TI专有的虚拟相技术，提供设备与高建兰

响应，低暗信号，良好的均匀性，和单相时钟。

在TC213的特点是操作从-10℃到40℃ 。

功能框图

顶漏

TDB

IAG

ABGI

SAG

ABGS

亚洲开发银行

RST2

OUT2

RST1

OUT1

多路复用器，传输门，

和串行寄存器

放大器器

存储区域

1dB的

SRG2

SRG1

SAG

ABGS

图片区某

盛开的保护

24暗基准元素

IAG

ABGI

TRG

12 DUMMY

分子

AMP GND

国开行

清漏

2-2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TC213

1024-

512像素的CCD图像传感器

SOCS013B - 1989年8月 - 修订1991年12月

传感器拓扑图

1000像素

22个像素

1个像素

510线

2号线

512线

虚拟像素

511

终端功能

终奌站

名字

ABGI

ABGS

亚洲开发银行

AMP GND

国开行

IAG

1dB的

OUT1

OUT2

RST1

RST2

SAG

SRG1

SRG2

子

TDB

TRG

号

I / O

描述

对于图像区域抗光晕门

存储区域抗光晕门

电源电压放大器漏极偏置

功放接地

电源电压为结算漏极偏置

图像面积栅

电源电压输入二极管偏置

输出信号1

输出信号2

复位门1

复位门2

存储区域门

串行寄存器门1

串行寄存器2号门

基板和时钟回报

电源电压最高漏极偏置

传送门

同名的所有引脚都应该在外部连接在一起（即15引脚到引脚22 ，

引脚13至引脚24 ，等等）。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

2-3

TC213

1024-

512像素的CCD图像传感器

SOCS013B - 1989年8月 - 修订1991年12月

详细说明

在TC213由四个基本功能模块：（1）在图像感测区域，（2）的图像的存储区域，

（3）与串行寄存器和传输门复用器块，和（4）的低噪声信号处理

与电荷检测节点的功放块。每个块的位置在功能识别

框图。

图像传感和图像的存储区域

图1和图2示出的横截面与势阱图和图像感测元件的顶视图。如

光入射在所述图像感测区域中的硅中，产生和收集在潜在的自由电子

传感元件的孔中。在这段时间，开花的保护是通过将一个短脉冲激活

到抗光晕栅极输入每个水平消隐间隔。这防止光晕造成的溢出

电荷从过度元素融入到相邻的元素。整合完成后，该信号

电荷被传输到存储区（参见图5）。

有在图象传感区域的左边缘元件24全列，是根据入射光屏蔽

光;这些元件提供了在随后的视频处理电路中使用的暗基准来恢复

视频黑电平。也有在图像感应区域底部两个暗线，以防止充电

泄漏从图像感测区域划分为图像存储区域中。

复用传输门和串行寄存器

多路转换器和传输门从图像存储区域的列转移电荷逐行地进

相应的串行寄存器，并准备将其读出。图3示出了复用栅极的布局

该垂直分离的像素为输入到串行寄存器。图4示出的界面的布局

串行寄存器的栅极和传输门之间的区域。在水平复用被激活

消隐期间通过施加合适的脉冲来传输门和串行寄存器;所需要的脉冲

时序示于图6的漏极还包括以提供的能力来清除图像感应区域

不必要的费用。这样的电荷可以在成像器中的启动操作，或根据特殊堆积

情况下，当非标准定时是理想的。清澈的时序被作为并行传输的一部分

在图5中的时序。

串行寄存器的读出和图像处理

转移到串行寄存器之后，所述像素被正常读出180 °的相位差（见图7）。每

串行寄存器必须被复位到基准电平之前的下一个像素被读出。用于复位的定时和

它们对串行寄存器的脉冲的关系示于图8。图8还示出了用于像素的定时

夹紧和采样保持所需的片外双相关采样电路。这两个输出信号

当组合的断片能提供每秒20万像素的数据速率。后的电荷被置于

检测节点，其被缓冲并通过一个低噪声，双级的源极跟随放大。每个串行寄存器

包含用于跨越串行寄存器和输出之间的距离12虚设元件

放大器。的示意性示于图9中的虚拟元件，其被认为是所述的位置

所述放大器的一部分，示出了功能方框图。图10给出了一个单一的帧定时

视频。每秒30帧的一个场的每帧的输出是典型的。

2-4

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TC213

1024-

512像素的CCD图像传感器

SOCS013B - 1989年8月 - 修订1991年12月

微米（H）的

主频屏障

φ -IAG

虚拟屏障

抗光晕门

虚拟恩

抗光晕

时钟级别

φ- ABG

光

微米（V）的

主频嘛

积累的电荷

图1.电荷积累过程

φ -PS

主频相

虚拟相

通道停止

图2.电荷转移过程

通道停止

通道

停止

虚拟

WELL

主频

WELL

复

门

主频

威尔斯

SERIAL-

门

转让

门

图3.复栅布局

图4.接口区域布局

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

2-5

TC211

192-

165像素的CCD图像传感器

SOCS008B - 1990年1月

全帧操作

抗光晕能力

单相时钟的水平和

垂直转移

快速清除能力

动态范围。。。 60分贝典型

高蓝回应

高光响应均匀性

固态可靠性无图像

烧机，残留成像，图像

失真，图像滞后，或颤

6引脚双列直插式陶瓷封装

方形图像区域：

– 2640

由2640

- 192像素（高） 165像素（ V）

- 每个像素13.75

（H），由16

(V)

双列直插式封装

（ TOP VIEW ）

ABG

IAG

VSS

亚洲开发银行

SRG

OUT

描述

在TC211是一个全帧的电荷耦合器件（CCD）图像传感器，特别是用于工业设计

应用程序需要的耐用性和小尺寸。所述图像感测区域被构造成165水平

每行包含192个像素。在每一行的末尾，以建立一个暗数量为12个追加像素

参考和线夹。的抗光晕特征是通过提供时钟脉冲到抗光晕激活

门，每个图像感测元件的一个组成部分。的电荷被转换为4的信号电压

每

电子通过用内置的自动复位和一个电压基准发生器高性能的结构。该

信号由低噪声两级源极跟随放大器进一步缓冲，以提供高输出驱动

能力。

在TC211中，采用6针的双列直插式陶瓷封装约7.5毫米（0.3英寸）正方形供给。玻璃

窗口可以使用任何标准的方法来清洁光学组件或通过擦拭表面与待清洁

棉签浸泡于酒精。

在TC211的特点是操作从 - 10 ° C至45°C 。

该MOS器件包含有限的内置栅极保护。在储存或处理，设备引线应短接在一起

或装置应放置在导电泡沫。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到VSS 。在任何

情况应该引脚电压超过绝对最大额定值。避免短路输出到VSS的操作过程中，以防止

放大器的损坏。该装置也被损坏，如果在输出端是反向偏置，过大的电流是

允许流动。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物

处理指南

静电放电敏感（ ESDS ）器件和组件

从德州仪器。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1990年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

2-1

TC211

192-

165像素的CCD图像传感器

SOCS008B - 1990年1月

功能框图

165

ABG

IAG

亚洲开发银行

OUT

串行寄存器

清除门

12暗像素

192图像像素

6虚拟像素

192

SRG

VSS

终端功能

终奌站

名字

ABG

VSS

亚洲开发银行

OUT

SRG

IAG

号

I / O

描述

抗光晕门

功放接地

电源电压放大器漏极偏置

输出信号

串行寄存器门

图像面积栅极存储

功能说明

所述图像感测区域包括165水平图像行，每行包含192光敏元件

（像素）。每个像素都是13.75

（水平）由16.00

（垂直）。当光线进入的硅

图像感测区域中，产生并收集在势阱（参照图1）的自由电子。在这

时，抗光晕栅极通过施加短脉冲的每一个水平消隐间隔被激活。这

防止光晕所造成的费用由过度元素溢出到相邻的元素。该

抗光晕门通常是在读期间，中层电压举行。电荷收集在每个所述量

像素是入射光和曝光时间的线性函数。曝光后和黑暗条件下，

的电荷包从图像区域传送到串行寄存器的一个图象行的每率

每个时钟脉冲施加到图像面积栅极。一旦图像线条已经传送到串行寄存器，

串行寄存器的栅极的时钟频率，直到所有的电荷包被移出串行寄存器的向

充电检测节点到放大器输入端。

有12个暗像素，在每个图象行的192个像素的图像的右侧。这些暗的像素被屏蔽

从入射光和从它们衍生的信号可以被用来产生用于修复的暗基准

视频黑电平上的下一个图像行。

2-2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TC211

192-

165像素的CCD图像传感器

SOCS008B - 1990年1月

功能说明（续）

应用到图像区域栅极每个时钟脉冲导致自动快速清晰的图像192的像素和

下一个图像前行串行寄存器12的暗像素被传输到串行寄存器。（注意

六个伪像素在前面所述串行寄存器，其用于从串行传输电荷包

注册到放大器输入端，不是由图像区域栅极时钟清零。）所述的自动快速明确特征

可用于初始化图象区域通过将所有165图像行至串行寄存器栅极下暗

条件不定时串行寄存器大门。

壁垒

抗光晕门

垂直16

潜力

威尔斯

横

13.75

代表

像素的顶视图

通道停止

虚拟

相

主频

相

（图像 -

区域

门）

虚拟

相

主频

相

（图像 -

区域

门）

虚拟

相

主频

相

（图像 -

区域

门）

多晶硅刻蚀

绝缘氧化物

横截面

像素

硅

1个像素

IAG低

ABG低

ABG中级

横截面

势的

硅

IAG高

ABG高

垂直电荷转移方向

图1.电荷的积累与传递过程

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

2-3

TC211

192-

165像素的CCD图像传感器

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读

ABG

165周期

IAG

210周期

积分

SRG

IAG

SRG

tw1

tw2

图2.时序图，非隔行模式

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围为亚洲开发银行（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0 V至15 V

输入电压范围为IAG ， SRG ， ABG ，V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -15 V至5 V

工作自由空气的温度范围内。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 30 ° C至85°C

存储温度范围，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 30 ° C至85°C

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：所有的电压值是相对于VSS。

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推荐工作条件

民

电源电压，亚洲开发银行

基体偏压

高层

IAG

中级

低层

输入电压， VI§

电压

SRG

高层

低层

高层

ABG

IAG

时钟频率且fCLOCK

tW1

tW2

容性负载

SRG

ABG

时间间隔， SRG ↓到IAG ↑

时间间隔， IAG ↑到SRG传送脉冲

↑

脉冲持续时间， IAG高

脉冲持续时间， SRG转移脉冲高

时间间隔， IAG ↑到SRG传送脉冲

↓

时间间隔， SRG转移脉冲

↓

到SRG时钟脉冲

↑

OUT

350

中级

低层

1.5

–10

–11

1.5

–11

–3

– 7.5

喃

–5

– 10

4.5

–2.5

–7

2.5

–9

2.5

–9

–2

– 6.5

1.5

兆赫

最大

单位

经营自由的空气温度， TA

–10

°C

代数约定，其中，所述至少阳性（最负）的值被指定最小值，使用本数据表中对时钟电压

的水平。

调整所需的最佳性能。

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