TMS29F800T ， TMS29F800B
1048576 ×8位/ 524288 ×16位
闪存
SMJS835B - 1997年5月 - 修订1997年10月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
单电源供电，支持5 V 10 ％
读/写操作
组织。 。 。 1 048576由8位
524 288 （16位）
阵列阻断架构
- 一个16K字节/单8K字引导扇区
- 两个8K字节/ 4K字扇区参数
- 一个32K字节/ 16K字部门
- 十五64K字节/ 32K字部门
- 部门的任意组合
删除。支持整片擦除
- 部门的任意组合
标记为只读
引导扇区代码架构
- T =热门行业
- B =底部部门
扇区保护
- 硬件保护方法
禁止任何部门的结合
自写或擦除操作使用
标准的编程设备
嵌入式编程/擦除算法
- 自动预先计划和擦除
任何行业
- 自动编程和校验
程序数据在指定的地址
JEDEC标准
- 兼容JEDEC字节引出线
- 兼容JEDEC EEPROM
命令集
完全自动化的片擦除和
方案业务
10万编程/擦除周期
低功耗
- 40 mA典型有效的读的字节模式
- 50 mA典型有效的读的字
模式
- 60 mA典型编程/擦除电流
- 不到100 μA待机电流
– 5
A
在深度掉电模式
所有输入/输出TTL兼容
＆ QUOT ;
D
D
D
D
PIN NOMENCLATURE
A[0:18]
字节
DQ [ 0:14 ]
DQ15/A–1
CE
OE
NC
RESET
RY / BY
VCC
VSS
WE
地址输入
字节/字启用
数据输入/出
数据输入/输出（字宽模式）
低位地址（字节宽的模式）
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无内部连接
复位/深度掉电
就绪/忙输出
电源
地
写使能
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1997年，德州仪器
产品预览资料涉及产品的形成或
开发设计阶段。特征数据和其他
规格是设计目标。德州仪器公司保留权利，以
变更通知或不通知终止这些产品。
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
产品预览
D
擦除挂起/恢复
- 支持读取数据来源，或
编程数据来，一个部门不
被擦除
硬件复位引脚初始化
内部状态机来读
手术
封装选项
- 44引脚塑料小外形封装
（ PSOP ） （ DBJ后缀）
- 48引脚薄型小尺寸封装
（ TSOP ） （ DCD后缀）
检测编程/擦除操作
- 数据查询和切换位特征
编程/擦除周期结束
- 用于检测硬件方法
编程/擦除周期结束
通过就绪/忙（ RY / BY ）输出引脚
高速数据接入的5 - V V
CC
10%
在三种温度范围
= 80 ns的
商用。 。 。 0 ° C至70℃
= 90纳秒
商用。 。 。 0 ° C至70℃
= 100纳秒
扩展。 。 。 -40 ° C至85°C
= 120纳秒
汽车。 。 。 -40 ° C至125°C
＆ QUOT ;
TMS29F800T ， TMS29F800B
1048576 ×8位/ 524288 ×16位
闪存
SMJS835B - 1997年5月 - 修订1997年10月
44引脚PSOP
DBJ包装
（ TOP VIEW ）
产品预览
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
V
SS
OE
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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15
16
17
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44
43
42
41
40
39
38
37
36
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33
32
31
30
29
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27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
V
SS
DQ15/A
–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
描述
该TMS29F800T / B为1 048 576 8位/ 524 288 16位（ 8 388 608位） ， 5 V单电源，可编程
只读可被电擦除和重新编程的存储设备。该设备被组织成
1 048 576 8位或524 288 16位，分为19个扇区：
–
–
–
–
一个16K字节/ 8K字引导扇区
两个8K字节/ 4K字部门
一个32K字节/ 16K字部门
十五64K字节/ 32K字部门
扇区的任何组合可以被标记为只读或擦除。还支持全芯片擦除。
扇区数据保护被认为可以禁用扇区的任何组合从写或读的方法，得到
使用标准编程设备的操作。片上状态机提供了一个板载算法
自动预先计划和擦除任何部门，它会自动程序之前，验证程序
在任何指定的地址数据。设置该命令与联合电子设备的兼容
工程委员会（ JEDEC ）标准，并兼容JEDEC 8M位电可擦除，
可编程只读存储器（EEPROM）的命令集。暂停/恢复功能，允许访问
一节擦除操作过程中保持不变的存储器块。该器件的所有输出为TTL兼容。
此外，擦除/暂停/恢复功能，支持读取数据，或者编程数据，一个部门
一个没有被擦除。
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TMS29F800T ， TMS29F800B
1048576 ×8位/ 524288 ×16位
闪存
SMJS835B - 1997年5月 - 修订1997年10月
48针TSOP
DCD包装
（ TOP VIEW ）
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26
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描述（续）
设备操作都通过写JEDEC标准的命令到命令寄存器选择使用
标准的微处理器写时序。命令寄存器充当输入到一个内部状态机
这解释命令，控制擦除和编程操作，输出的状态
装置，输出存储在设备中的数据，并输出该设备算法选择代码。初次上电
时，器件默认为读模式。硬件复位引脚初始化内部状态机来读
操作。
该器件具有低功耗与一台40毫安有效的读的字节模式， 50毫安有效的读了
字模式，60毫安典型编程/擦除电流模式，并小于100-
m
待机电流5-
m
A
深度掉电模式。这些器件具有80 ，90 ， 100-和120 - ns访问时间。表1和
表2示出了扇区地址范围。该TMS29F800T / B提供了44引脚塑料小外形
封装（ PSOP ） （ DBJ后缀）和48引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ） （ DCD后缀） 。
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产品预览
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
A16
字节
V
SS
DQ15 / A
–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
V
SS
CE
A0
TMS29F800T ， TMS29F800B
1048576 ×8位/ 524288 ×16位
闪存
SMJS835B - 1997年5月 - 修订1997年10月
装置符号命名
TMS29F800
T
–90
C
DCD
L
温度范围
L =商业（ 0 ° C至70 ° C）
E =扩展（ - 40 ° C至85°C ）
Q =汽车（ - 40 ° C至125°C ）
封装标识
DCD = 48引脚塑料双小外形封装
DBJ = 44引脚塑料小外形封装
编程/擦除次数
C = 100 000次
B = 10 000次
速度选项
80 = 80 ns的
90 = 90纳秒
100 = 100纳秒
120 = 120纳秒
产品预览
引导代码架构的选择
T =热门行业
B =底界
设备号/说明
8M BITS
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TMS29F800T ， TMS29F800B
1048576 ×8位/ 524288 ×16位
闪存
SMJS835B - 1997年5月 - 修订1997年10月
44引脚封装逻辑符号
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
RY / BY
RESET
字节
CE
OE
WE
11
10
9
8
7
6
5
4
42
41
40
39
38
37
36
35
34
3
2
1
44
33
22
14
43
0
FL灰
内存
524288
×
16
A
0
524 287
18
G1
[ PWR DWN ]
G2 1,2 EN （ READ）
1C3 （写）
A， 3D
4
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15 / A- 1
15
17
19
21
24
26
28
30
16
18
20
22
25
27
29
31
A， Z4
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
显示引脚数都为DBJ包。
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产品预览
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