TMS29F040
524288 ×8位
FL灰内存
SMJS820C - 1996年4月 - 修订1998年6月
D
单电源供电： 5 V
±
10%
D
D
D
D
D
D
D
D
D
– 3.3 V
±
0.3 V - 见TMS29LF040 /
TMS29VF040数据表（文学
数SMJS825 ）
- 2.7 V至3.6 V - 见TMS29LF040 /
TMS29VF040数据表
组织。 。 。 524 288由8位
64K字节的八个相等的部门
- 部门的任意组合
删除
- 部门的任意组合
标记为只读
兼容JEDEC电
可擦可编程只读
存储器（EEPROM）命令集
完全自动化的片擦除和
字节编程操作
10万编程/擦除周期
擦除暂停/擦除恢复运行
兼容JEDEC字节宽度引脚排列
低电流消耗
- 主动阅读。 。 。 20毫安典型
- 主动编程/擦除。 。 。 30毫安典型
所有输入/输出TTL兼容
FM包装
（顶视图）
A12
A15
A16
A18
VCC
W
A17
4
3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
PIN NOMENCLATURE
A[0:18]
DQ [0：7 ]
E
G
VCC
VSS
W
地址输入
输入（编程） /输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
5 V电源
地
写使能
描述
该TMS29F040是524288由8位（ 4194304位） ， 5 -V的单电源，可编程只读存储器
可电擦除和重新编程。该设备被组织成八个独立的64K字节扇区
而在60纳秒到120纳秒之间提供了访问时间。
片上状态机控制编程和擦除操作。嵌入式字节的程序和
部门/芯片擦除功能是完全自动的。设置该命令与JEDEC 4M位的兼容
EEPROM的。暂停/恢复功能允许一个扇区擦除过程中获得不变的内存部门
操作。数据保护领域的任何组合使用硬件部门保护完成
功能。
设备操作都通过写JEDEC标准的命令到命令寄存器选择使用
标准的微处理器写时序。命令寄存器作为输入到一个内部状态机
解释该命令，控制所述擦除和编程操作，并输出该设备的状态，
存储在设备中的数据，并且设备的算法选择代码。在初始上电时的操作，该设备
默认为读模式。
该TMS29F040提供了32针塑料有引线芯片载体（ FM后缀）使用1.27毫米（ 50密耳）引线间距
和32引脚薄型小尺寸封装（ DD后缀） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1998年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
1
TMS29F040
524288 ×8位
FL灰内存
SMJS820C - 1996年4月 - 修订1998年6月
DD包
（顶视图）
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
V
CC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
装置符号命名
TMS29F040
-10
C5
FM
L
温度范围代号
L
=商业（ 0 ° C至70 ° C）
E
=扩展（ - 40 ° C至85°C ）
封装标识
FM =塑料有引线芯片载体
DD =薄型小尺寸封装
编程/擦除次数
C5 = 100 000次
速度代号
- 60 = 60 ns的
- 70 = 70纳秒
- 90 = 90纳秒
- 10 = 100纳秒
- 12 = 120纳秒
2
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TMS29F040
524288 ×8位
FL灰内存
SMJS820C - 1996年4月 - 修订1998年6月
框图
DQ0 - DQ7
VCC
VCC探测器
VSS
定时器
输入/输出缓冲器
命令寄存器
W
擦除电压
发电机
节目电压
发电机
数据锁存器
国家控制
E
G
芯片使能
输出使能
逻辑
A0 – A18
A
d
d
r
e
s
s
L
a
t
c
h
列解码器
列选通
64K
×
8位阵列
64K
×
8位阵列
64K
×
8位阵列
64K
×
8位阵列
行解码器
64K
×
8位阵列
64K
×
8位阵列
64K
×
8位阵列
64K
×
8位阵列
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3
TMS29F040
524288 ×8位
FL灰内存
SMJS820C - 1996年4月 - 修订1998年6月
内存部门架构
7FFFFh
64K字节扇区7
70000h
6FFFFh
64K字节扇区6
60000h
5FFFFh
64K字节扇区5
50000h
4FFFFh
64K字节扇区4
40000h
3FFFFh
64K字节扇区3
30000h
2FFFFh
64K字节扇区2
20000h
1FFFFh
64K字节扇区1
10000h
0FFFFh
64K字节扇区0
00000h
扇区0
部门1
2区
3部门
4区
部门5
6部门
7部门
A18
0
0
0
0
1
1
1
1
A17
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H 地址0FFFFh
10000H 1FFFFH
20000H 2FFFFh
30000H 3FFFFH
40000H 4FFFFh
50000H 5FFFFh
60000H 6FFFFh
70000h 7FFFFH
4
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TMS29F040
524288 ×8位
FL灰内存
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手术
表1总结了操作模式。
表1.操作模式
功能
模式
读
输出禁用
待机和写禁止
算法的选择模式
算法的选择
写？
部门protect§
部门保护verify§
部门unprotect§
部门撤消verify§
擦除操作
E
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIL
VIL
VID
VIL
VIL
G
VIL
VIH
X
VIL
VIH
VID
VIL
VID
VIL
VIH
W
VIH
VIH
X
VIH
VIL
VIL
VIH
VIL
VIH
SEE
注1
A0
A0
X
X
VIL
VIH
A0
X
VIL
X
VIL
SEE
注1
A1
A1
X
X
VIL
A1
X
VIH
X
VIH
SEE
注1
A6
A6
X
X
VIL
A6
X
VIL
VIH
VIH
SEE
注1
A9
A9
X
X
VID
A9
VID
VID
VID
VID
SEE
注1
DQ0 - DQ7
数据输出
高阻
高阻
制造商。等效代码01H
设备的等效代码A4H
DATA IN
X
数据输出
X
数据输出
见注1
X可以为VIL或VIH 。
在写（字节程序） ，请参阅表3为有效的地址和数据。
§运行在VCC = 5.0 V和TA = 25 ℃。
地址引脚A12和A16 = VIH 。
注1 ：参见图6，图7 ，图8 ，图9 。
读取模式
以读取TMS29F040的输出端，一个低逻辑电平信号被施加到E和G管脚。当两个或更多个
TMS29F040器件并联连接，可以读取的任何一个装置的输出，而不干扰。
电子脚为电源控制和用于设备的选择。对G管脚是输出控制，用于栅极的
数据输出到总线上从所选择的设备。
地址访问时间（t
AVQV
）是稳定的地址的延迟，以有效的输出数据。芯片使能访问
时间（t
ELQV
）是E = V延迟
IL
和稳定地址有效输出数据。输出使能访问时间
(t
GLQV
）为G = V中的延迟
IL
以有效的输出数据时， E = V
IL
和地址是稳定的，至少在
吨的持续时间
AVQV
– t
GLQV
.
待机模式
在我
CC
电源电流通过施加一个逻辑高电平上E至进入待机模式降低。在待机状态
模式中，输出被置于高阻抗状态。应用CMOS逻辑高电平关于电子商务降低了
至目前100
A
最大。关于电子商务应用TTL逻辑高电平降低至1 mA最大电流。
如果TMS29F040被擦除或编程过程中取消选择，该设备将继续吸引有功电流
直到操作完成。
输出禁用
当任一G = V
IH
或E = V
IH
，从设备输出被禁用，并且输出引脚（ DQ0 - DQ7 ）放置
在高阻抗状态。
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5
QQ：2881677436 复制
