TMS29F010
131072 ×8位
FL灰内存
SMJS840A - 1997年11月 - 修订1998年6月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
单电源供电
5 V
±
10%
组织。 。 。 131 072 8位
16K字节的八个相等的部门
- 部门的任意组合
删除
- 部门的任意组合
标记为只读
兼容JEDEC EEPROM
命令集
完全自动化的片擦除和
字节编程操作
10万编程/擦除周期
兼容JEDEC字节宽度引脚排列
低电流消耗
- 主动阅读。 。 。 20毫安典型
- 主动编程/擦除。 。 。 30毫安典型
所有输入/输出TTL兼容
FM包装
（顶视图）
A12
A15
A16
NC
VCC
W
NC
4
3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
PIN NOMENCLATURE
A[0:16]
DQ [0：7 ]
E
G
VCC
VSS
W
NC
地址输入
输入（编程） /输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
5 V电源
地
写使能
无连接
描述
该TMS29F010是131 072由8位
（ 1048 576位） ， 5 V单电源，可编程
只读，可以是电存储装置
擦除和重新编程。该装置是
组织为八个独立的16K字节扇区
并提供与存取时间70纳秒之间
和120纳秒。
片上状态机控制编程和擦除操作。嵌入式字节的程序和
部门/芯片擦除功能是完全自动的。设置该命令与JEDEC 1M位的兼容
EEPROM的。数据保护领域的任何组合使用硬件部门保护完成
功能。
设备操作都通过写JEDEC标准的命令到命令寄存器选择使用
标准的微处理器写时序。命令寄存器充当输入到一个内部状态机
解释该命令，控制所述擦除和编程操作时，输出的设备的状态，
存储在设备的输出数据，并输出该设备算法选择代码。在初始上电
操作时，该装置将默认为读模式。
该TMS29F010在使用1.27毫米（ 50密耳）引线间距32引脚塑料有引线芯片载体（ FM后缀）提供。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1998年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
1
TMS29F010
131072 ×8位
FL灰内存
SMJS840A - 1997年11月 - 修订1998年6月
装置符号命名
TMS29F010
-10
C5
FM
L
温度范围代号
L
=商业（ 0 ° C至70 ° C）
E
=扩展（ - 40 ° C至85°C ）
Q =汽车（ - 40 ° C至125°C ）
封装标识
FM =塑料有引线芯片载体
编程/擦除次数
C5 = 100 000次
速度代号
- 70 = 70纳秒
- 90 = 90纳秒
- 10 = 100纳秒
- 12 = 120纳秒
2
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TMS29F010
131072 ×8位
FL灰内存
SMJS840A - 1997年11月 - 修订1998年6月
框图
DQ0 - DQ7
VCC
VCC探测器
VSS
定时器
输入/输出缓冲器
命令寄存器
W
擦除电压
发电机
节目电压
发电机
数据锁存器
国家控制
E
G
芯片使能
输出使能
逻辑
A0 – A16
A
d
d
r
e
s
s
L
a
t
c
h
列解码器
列选通
16K
×
8位阵列
16K
×
8位阵列
16K
×
8位阵列
16K
×
8位阵列
行解码器
16K
×
8位阵列
16K
×
8位阵列
16K
×
8位阵列
16K
×
8位阵列
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3
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131072 ×8位
FL灰内存
SMJS840A - 1997年11月 - 修订1998年6月
内存部门架构
1FFFFh
16K字节扇区7
1C000h
1BFFFh
16K字节扇区6
18000h
17FFFh
16K字节扇区5
14000h
13FFFh
16K字节扇区4
10000h
0FFFFh
16K字节扇区3
0C000h
0BFFFh
16K字节扇区2
08000h
07FFFh
16K字节扇区1
04000h
03FFFh
16K字节扇区0
00000h
扇区0
部门1
2区
3部门
4区
部门5
6部门
7部门
A16
0
0
0
0
1
1
1
1
A15
0
0
1
1
0
0
1
1
A14
0
1
0
1
0
1
0
1
地址
00000h –
04000h –
08000h –
0C000h -
10000h –
14000h –
18000h –
1C000h -
范围
03FFFh
07FFFh
0BFFFh
0FFFFh
13FFFh
17FFFh
1BFFFh
1FFFFh
4
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131072 ×8位
FL灰内存
SMJS840A - 1997年11月 - 修订1998年6月
手术
表1总结了操作模式。
表1.操作模式
功能
模式
读
输出禁用
待机和写禁止
算法的选择模式
g
写？
部门protect§
部门保护verify§
部门unprotect§
（见注1 ）
部门撤消verify§
擦除操作
E
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIL
VIL
VID
VIL
VIL
G
VIL
VIH
X
VIL
VIH
VID
VIL
VID
VIL
VIH
W
VIH
VIH
X
VIH
VIL
VIL
VIH
VIL
VIH
SEE
注2
A0
A0
X
X
VIL
VIH
A0
X
VIL
X
VIL
SEE
注2
A1
A1
X
X
VIL
A1
X
VIH
X
VIH
SEE
注2
A6
A6
X
X
A9
A9
X
X
VID
A9
VID
VID
VID
VID
SEE
注2
DQ0 - DQ7
数据输出
高阻
高阻
制造商的等效代码
01h
设备的等效代码20H
A6
X
VIL
VIL
VIH
SEE
注2
DATA IN
X
数据输出
X
数据输出
见注2
X
X可以为VIL或VIH 。
见表3有效的地址和数据在写入（字节程序） 。
§运行在VCC = 5.0 V和TA = 25 ℃。
注： 1。地址引脚A7 ， A12 = VIH 。
2.参见图6至图9 。
读取模式
以读取TMS29F010的输出端，一个低逻辑电平信号被施加到E和G管脚。当两个或更多个
TMS29F010器件并联连接，可以读取的任何一个装置的输出，而不干扰。
电子脚为电源控制和用于设备的选择。对G管脚是输出控制，用于栅极的
数据输出到总线上从所选择的设备。
地址访问时间（t
AVQV
）是稳定的地址的延迟，以有效的输出数据。芯片使能访问
时间（t
ELQV
）是E = V延迟
IL
和稳定地址有效输出数据。输出使能访问时间
(t
GLQV
）为G = V中的延迟
IL
以有效的输出数据时， E = V
IL
和地址是稳定的，至少在
吨的持续时间
AVQV
– t
GLQV
.
待机模式
在我
CC
电源电流通过施加一个逻辑高电平上E至进入待机模式降低。在待机状态
模式中，输出被置于高阻抗状态。应用CMOS逻辑高电平关于电子商务降低了
至目前100
A
最大。关于电子商务应用TTL逻辑高电平降低至1 mA最大电流。
如果TMS29F010被擦除或编程过程中取消选择，该设备将继续吸引有功电流
直到操作完成。
输出禁用
当任一G = V
IH
或E = V
IH
，从设备输出被禁用，并且输出引脚（ DQ0 - DQ7 ）放置
在高阻抗状态。
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5
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