TMS29F002T ， TMS29F002B
262144 ×8位
闪存
SMJS848 - 1997年8月
D
D
D
D
D
D
PIN NOMENCLATURE
A0 – A17
DQ0 - DQ7
CE
OE
NC
VCC
VSS
WE
地址输入
数据输入/出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无内部连接
电源
地
写使能
D
D
描述
该TMS29F002T / B是262 144由8位（ 2 097 152位） ， 5 -V的单电源，可编程只读存储器
装置可被电擦除和重新编程。该设备被组织成262 144 ×8位，分
分为七个部门：
–
–
–
–
一个16K字节的保护引导扇区
两个8K字节扇区
一个32K字节的扇区
三64K字节扇区
扇区的任何组合可以被标记为只读或擦除。同时还支持整片擦除。
扇区数据保护被认为可以禁用扇区的任何组合从写或读的方法，得到
使用标准编程设备的操作。片上状态机提供了一个板载算法
自动预先计划和擦除任何部门，它会自动程序之前，验证程序
在任何指定的地址数据。设置该命令与联合电子设备的兼容
工程
要知道，一个重要的通知
和与兼容
保修期内，
2M字节的电可擦除
请
委员会（JEDEC ）的标准
有关可用性，标准
JEDEC
而在关键应用
德州仪器半导体
（EEPROM）中的命令集。暂停/恢复
数据表。
可编程只读存储器
产品和免责条款及其出现在本月底
功能允许访问
产品预览资料涉及产品的形成或
开发设计阶段。特征数据和其他
规格是设计目标。德州仪器公司保留权利，以
变更通知或不通知终止这些产品。
版权
1997年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
产品预览
单电源供电，支持5 V 10 ％
读/写操作
组织： 。 。 。 262 144由8位
阵列阻断架构
- 一个16K字节的保护引导扇区
- 两个8K字节的参数行业
- 一个32K字节扇区
- 三64K字节扇区
- 部门的任意组合
删除。支持整片擦除
- 部门的任意组合
标记为只读
引导扇区代码架构
- T =热门行业
- B =底部部门
扇区保护
- 硬件保护方法
禁止任何部门的结合
自写或擦除操作使用
标准的编程设备
嵌入式编程/擦除算法
- 自动预先计划和擦除
任何行业
- 自动编程和校验
程序数据在指定的地址
JEDEC标准
- 兼容JEDEC字节引出线
- 兼容JEDEC EEPROM
命令集
完全自动化的片擦除和
方案业务
＆ QUOT ;
D
D
D
D
D
D
D
D
10万编程/擦除周期
低功耗
低电流消耗
- 40 mA典型有效的读
- 60 mA典型编程/擦除电流
- 不到100 μA待机电流
所有输入/输出TTL兼容
擦除挂起/恢复
- 支持读取数据来源，或
编程数据来，一个部门不
被擦除
40引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）
（ DCD后缀）
检测编程/擦除操作
- 数据查询和切换位特征
编程/擦除周期结束
高速数据接入的5 - V V
CC
10%
- 70商用。 。 。 0 ° C至70℃
- 80扩展。 。 。 -40 ° C至85°C
＆ QUOT ;
TMS29F002T ， TMS29F002B
262144 ×8位
闪存
SMJS848 - 1997年8月
描述（续）
一节擦除操作过程中保持不变的存储器块。该器件的所有输出为TTL兼容。
此外，擦除/暂停/恢复功能，支持读取数据，或者编程数据，一个部门
一个没有被擦除。
设备操作都通过写JEDEC标准的命令到命令寄存器选择使用
标准的微处理器写时序。命令寄存器充当输入到一个内部状态机
这解释命令，控制擦除和编程操作，输出的状态
存储在设备装置中，输出数据，并输出该设备算法选择代码。初次上电时，
设备默认为读模式。
该器件具有低功耗与一台40毫安有效的读的字节模式， 60 mA的典型编程/擦除
当前模式，并且小于100-
m
待机电流。这些器件还具有70和80纳秒的存取时间。
表1和表2示出了扇区地址范围。该TMS29F002T / B提供了40针（ DCD后缀）
薄小外形封装。
装置符号命名
产品预览
TMS29Fxxx
T
–90
C
DCD
L
温度范围
L =商业（ 0 ° C至70 ° C）
E =扩展（ - 40 ° C至85°C ）
套餐类型
DCD =薄型小尺寸封装
编程/擦除次数
C = 100 000 CYC
B = 10 000 CYC
速度选项
-70 = 70纳秒
-80 = 80纳秒
引导代码架构的选择
T =热门行业
B =底界
设备号/说明
xxx = 002
2M位
2
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS29F002T ， TMS29F002B
262144 ×8位
闪存
SMJS848 - 1997年8月
逻辑符号
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
12
11
10
9
8
7
6
5
27
26
23
25
4
28
29
3
2
30
0
FL灰
内存
262 144
×
8
A
0
262 143
17
CE
OE
WE
22
24
31
G1
[ PWR DWN ]
G2
1 ， 2 EN （ READ）
1C3 （写）
A， 3D
4
A， Z4
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
13
14
15
17
18
19
20
21
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
显示引脚数是用于FM包。
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3
产品预览
TMS29F002T ， TMS29F002B
262144 ×8位
闪存
SMJS848 - 1997年8月
手术
参照表1和表2为TMS29F002T / B的扇区的地址范围。
表1.引导扇区地址范围
A17
SA6
SA5
SA4
SA3
SA2
SA1
SA0
1
1
1
1
1
0
0
A16
1
1
1
1
0
1
0
A15
1
1
1
0
X
X
0
A14
1
0
0
X
X
X
X
A13
X
1
0
X
X
X
X
扇区大小
16K-Byte
8K-Byte
8K-Byte
32K-Byte
64K-Byte
64K-Byte
64K-Byte
地址范围
30000H–3FFFFH
3A000H–3BFFFH
38000H–39FFFH
30000H–37FFFH
20000H–2FFFFH
10000H–1FFFFH
00000H–0FFFFH
的地址范围是A17 - A0 。
表2.底部引导扇区地址范围
A17
SA6
SA5
SA4
SA3
SA2
SA1
0
0
0
0
0
0
A16
1
1
0
0
0
0
A15
1
0
1
0
0
0
A14
X
X
X
1
0
0
0
A13
X
X
X
X
1
1
0
扇区大小
64K-Byte
64K-Byte
64K-Byte
32K-Byte
8K-Byte
8K-Byte
16K-Byte
地址范围
30000H–3FFFFH
20000H–2FFFFH
10000H–1FFFFH
08000H–0FFFFH
06000H–07FFFH
04000H–05FFFH
00000H–03FFFH
SA0
0
0
0
的地址范围是A17 - A0 。
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5
产品预览
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