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TMS28F008Axy,TMS28F800Axy
1 048 576 ×8位/ 524 288 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS851A - 1997年11月 - 修订1998年3月
D
D
组织。 。 。
D
D
D
D
D
D
D
D
1 048 576 8位
524 288 (16位)
阵列阻断架构
- 两个8K字节/ 4K字的参数块
- 一个96K字节/ 48K字主座
- 七128K字节/ 64K字块主
- 一个16K字节/ 8K字保护的引导
- 顶部或底部启动位置
所有输入/输出TTL兼容
最高访问/最小周期时间
5-V V
CC
3-V V
CC
“ 28F008Axy70 70纳秒
100纳秒
“ 28F008Axy80 80纳秒
120纳秒
“ 28F800Axy70 70纳秒
100纳秒
“ 28F800Axy80 80纳秒
120纳秒
(见表1 V
CC
/V
PP
电压
配置)
100 000-和10万编程/擦除周期
版本
三种温度范围
- 商业。 。 。 0 ° C至70℃
- 扩展。 。 。 - 40 ° C至85°C
- 汽车。 。 。 - 40 ° C至125°C
嵌入式编程/擦除算法
- 自动字节编程
- 自动字编程
- 自动块擦除
擦除暂停/删除恢复
自动省电模式
JEDEC标准兼容
- 兼容JEDEC字节/字
引脚配置
- 兼容JEDEC EEPROM
命令集
完全自动化的片擦除和
字节/字编程操作
D
D
D
D
D
封装选项
- 44引脚塑料小外形封装
( PSOP ) ( DBJ后缀)
- 40引脚薄型小尺寸封装
( TSOP ) ( DCD后缀)
- 48引脚TSOP ( DCD后缀)
- 48球微型球栅阵列
( μBGA
t
)可用
低功耗(V
CC
= 5.5 V )
- 主动写。 。 。 330毫瓦(字节写入)
- 主动阅读。 。 。 220毫瓦(字节读)
- 主动写。 。 。 330毫瓦(字写)
- 主动阅读。 。 。 275毫瓦(字读)
- 块擦除。 。 。 330毫瓦
- 待机。 。 。 0.55毫瓦( CMOS输入
级别)
- 深度掉电模式。 。 。 0.044毫瓦
写保护引导块
行业标准的命令状态机
( CSM )
擦除暂停/恢复
- 算法选择标识
灵活的V
PP
/电源电压组合
PIN NOMENCLATURE
A0 – A18
A0 – A19
字节
DQ0 - DQ14
DQ15 / A -1
CE
OE
NC
RP
VCC
VPP
VSS
WE
WP
地址输入
地址输入( 40针TSOP只)
字节使能
输入/输出数据
数据输入/输出(字宽模式) ,
低位地址(字节宽的模式)
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无内部连接
复位/深度掉电
电源
电源的编程/擦除
写使能
写保护( 40引脚和48引脚
只有TSOP )
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
μBGA
是Tessera公司,公司的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1998年,德州仪器
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休斯敦,得克萨斯州77251-1443
1
TMS28F008Axy,TMS28F800Axy
1 048 576 ×8位/ 524 288 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS851A - 1997年11月 - 修订1998年3月
目录
说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
读操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
编程操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
设备符号命名。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
擦除操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑符号TMS28F008Axy 40引脚封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
自动省电模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑符号TMS28F800Axy 44引脚封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
复位/深度掉电模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑符号TMS28F800Axy 48引脚封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
推荐工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
架构。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
字/字节典型的写入和块擦除性能。 。 。 。 。 。
块存储器映射。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引导块的数据保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
电和复位开关特性
参数块。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
TMS28F008ASy或“ AEY和
主块。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
TMS28F800ASy或“ AEY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
数据保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
电和复位开关特性
命令状态机( CSM ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
TMS28F008AVy或“ ALY和
TMS28F800AVy或“ ALY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
电和复位开关特性
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
TMS28F008AZy和TMS28F800AZy 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
状态寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
参数测量信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
字节宽度或字宽模式选择。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
机械数据
DBJ ( R- PDSO - G44 )
. . . . . . . . . . . . .
命令状态机( CSM)的操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
机械数据
DCD ( R- PDSO -G ** )
. . . . . . . . . . . . . .
清除状态寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
18
19
19
20
20
25
27
27
28
30
34
37
40
48
49
描述
该TMS28F800Axy是一个8 388 608位,引导块闪速存储器可以电块的擦除和
重新编程。该TMS28F800Axy组织在一个封锁的体系结构,包括:
D
D
D
D
一个16K字节/ 8K字保护的引导块
两个8K字节/ 4K字的参数块
一个96K字节/ 48K字块为主
七128K字节/ 64K字的主要模块
该装置可以在四个不同的电压配置(见表1)进行排序。运营为1024K字节
( 8位)或512K字( 16位)的组织是由用户定义。
嵌入方案和块擦除功能是由片上的写状态机( WSM)的全自动化,
简化这些操作,减轻这些次要任务系统微控制器。 WSM状态
可通过片上的状态寄存器进行监测,以确定节目的进度/擦除任务。该装置
具有用户可选的块擦除。
该TMS28F800AEy配置允许执行存储器中的用户读取使用2.7-3.6 -VV
CC
和5- V V
CC
为最佳功率消耗。擦除或编程装置可以完成与V
PP
= 3 V,
5伏,或12 -V 。这种配置是在商用温度范围提供的(0℃至70℃ ),并在扩展
温度范围(-40 ° C至85°C ) 。此外, TMS28F800ASy提供V
CC
= 3 - 3.6 V和V
CC
= 5 V ,以获得最佳
功耗。该TMS28F800ALy配置允许内存读取性能使用
V
CC
= 3.0 - 3.6 V ,以获得最佳的功耗。该TMS28F800AVy配置允许的性能
使用V内存读取
CC
= 2.7-3.6 V ,以获得最佳的功耗。
该TMS28F800AZy配置提供阅读3 V / 5 V / 12 -V编程和擦除一个5 -V的内存。这
配置提供三种温度范围: 0 ° C至70 ° C, - 40 ° C至85°C - 40 ° C至125°C 。
该TMS28F800Axy提供采用44引脚塑料小外形封装( PSOP )和48引脚薄型小尺寸
组织成封装( TSOP )的16位或8位。
该TMS28F008是功能等效“ F800 ,除了它的组织仅作为8位构成,
它只是在一个40引脚TSOP提供。
2
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TMS28F008Axy,TMS28F800Axy
1 048 576 ×8位/ 524 288 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS851A - 1997年11月 - 修订1998年3月
TMS28F800Axy
44引脚PSOP ( DBJ )
( TOP VIEW )
V
PP
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
V
SS
OE
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
TMS28F800Axy
48引脚TSOP ( DCD )
( TOP VIEW )
RP
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
V
SS
DQ15/A
–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RP
V
PP
WP
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
V
SS
DQ15 / A
–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
V
SS
CE
A0
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TMS28F008Axy,TMS28F800Axy
1 048 576 ×8位/ 524 288 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS851A - 1997年11月 - 修订1998年3月
TMS28F008Axy
40针TSOP ( DCD )
(顶视图)
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE
RP
V
PP
WP
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A17
V
SS
NC
A19
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
CC
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE
GND
CE
A0
TMS28F800Axy
48-BALL
μBGA
( TOP VIEW )
1
A
2
3
4
5
6
7
8
A13 A11
A8
VPP WP
RP
NC
D11
D12
D4
NC
A7
A5
A3
CE
D0
D1
A4
A2
A1
A0
VSS
OE
B
A14 A10 WE
A18 A17
NC
D2
D3
A6
D8
D9
C
A15 A12
A9
D5
D
A16 D14
E
BYTE D15 D6
F
VSS D7
D13
VCC D10
4
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TMS28F008Axy,TMS28F800Axy
1 048 576 ×8位/ 524 288 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS851A - 1997年11月 - 修订1998年3月
装置符号命名
TMS28FXXXA
X
T
70
C
DBJ
L
温度范围代号
L =商业( 0 ° C至70 ° C)
E =扩展( - 40 ° C至85°C )
Q =汽车( - 40 ° C至125°C )
封装标识
DBJ =塑料小外形封装( 44引脚)
DCD =塑料双小外形封装( 48引脚)
DCD =塑料双小外形封装( 40引脚)
编程/擦除次数
C = 100 000次
B = 10 000次
速度代号
70 = 70纳秒
80 = 80 ns的
10 = 100纳秒
12 = 120纳秒
引导块位置指示器
T =热门地点
B =底部位置
E = 2.7 - 3.6 V / 5 V的VCC和3 V / 5 V / 12 -V VPP
L = 3.0 - 3.6 V的VCC和3 V / 5 V / 12 -V VPP
S = 3.0 - 3.6 V / 5 V的VCC和3 V / 5 V / 12 -V VPP
V = 2.7-3.6 VCC和3 V / 5 V / 12 -V VPP
Z = 4.5 V- 5.5 V的VCC和3 V / 5 V / 12 -V VPP
(见注一)
008
800
注一: VCC和VPP的名义,除非另有说明。
表1. V
CC
/ V
PP
电压配置
设备CON组fi guration
TMS28F800AEy
TMS28F800AZy
TMS28F008AEy
TMS28F008AZy
TMS28F800ASy
TMS28F008ASy
TMS28F800AVy
TMS28F008AVy
TMS28F800ALy
TMS28F008ALy
读电压( VCC)的
2.7 V至3.6 V / 5 V
±
10 %
5 V
±
10 %
2.7 V至3.6 V / 5 V
±
10 %
5 V
±
10 %
3.3 V/5 V
±
10 %
3.3 V/5 V
±
10 %
2.7 V至3.6 V
2.7 V至3.6 V
3.3 V
±
10 %
3.3 V± 10 %
编程/擦除电压( VPP )
3 V/5 V
±
10%或12伏
3 V/5 V
±
10%或12伏
3 V/5 V
±
10%或12伏
±
5 %
& QUOT ;
5%
& QUOT ;
5%
3 V/5 V
±
10%或12伏
& QUOT ;
5%
3 V/5 V
±
10%或12伏
& QUOT ;
5%
3 V/5 V
±
10%或12伏
& QUOT ;
5%
3 V/5 V
±
10%或12伏
& QUOT ;
5%
3 V/5 V
±
10%或12伏
& QUOT ;
5%
3 V/5 V
±
10%或12伏
& QUOT ;
5%
3 V/5 V
±
10%或12伏
& QUOT ;
5%
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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