【TMS28F400BZT ， TMS28F400BZB524288 ×8位/ 262144 ×16位】,IC型号TMS28F400BZB90BDBJL,TMS28F400BZB90BDBJL PDF资料,TMS28F400BZB90BDBJL经销商,ic,电子元器件-51电子网

TMS28F400BZT ， TMS28F400BZB

524288 ×8位/ 262144 ×16位

引导块闪存

SMJS400E - 1994年6月 - 修订1998年1月

组织。。。

524 288由8位

262 144 16位

阵列阻断架构

- 两个8K字节的参数块

- 一个96K字节的主座

- 三128K字节的主块

- 一个16K字节的受保护的引导块

- 顶部或底部启动位置

所有输入/输出TTL兼容

最高访问/最小周期时间

10%

’28F400BZx80

80纳秒

’28F400BZx90

90纳秒

（X =顶部（T）或底部（B）中的引导块

配置命令）

10000编程/擦除周期

两个温度范围

- 商业。。。 0 ° C至70℃

- 扩展。。。 - 40 ° C至85°C

低功耗（V

= 5.5 V )

- 主动写。。。 330毫瓦（字节写入）

- 主动阅读。。。 330毫瓦（字节读）

- 主动写。。。 358毫瓦（字写）

- 主动阅读。。。 330毫瓦（字读）

- 块擦除。。。 165毫瓦

- 待机。。。 0.55毫瓦（ CMOS输入

级别）

- 深度掉电模式。。。 0.0066毫瓦

完全自动化的片擦除和

字/字节编程操作

写保护的引导块

工业标准命令状态机

（ CSM ）

擦除暂停/恢复

- 算法选择标识

DBJ包装

（顶视图）

A17

DQ0

DQ8

DQ1

DQ9

DQ2

DQ10

DQ3

DQ11

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

字节

DQ15/A

–1

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

PIN NOMENCLATURE

A0 – A17

字节

DQ0 - DQ14

DQ15 / A -1

VCC

VPP

VSS

地址输入

字节使能

输入/输出数据

数据输入/输出（字宽模式），

低位地址（字节宽的模式）

芯片使能

OUTPUT ENABLE

无内部连接

复位/深度掉电

5 V电源

12 -V电源的

编程/擦除

地

写使能

描述

该TMS28F400BZx是524 288 8位/ 262 144 16位（ 4 194 304位），启动块闪存，可

电块擦除和重新编程。该TMS28F400BZx被组织在一个封锁的体系结构

由一个16K字节的保护引导块，二8K字节的参数块，一个96K字节的主块和

3 128K字节的主块。该装置可以被排序，或者是顶部或底部的引导块的配置。

运营为512K字节（ 8位）或256K字（ 16位）的组织是由用户定义。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

版权

1998年，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

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休斯敦，得克萨斯州77251-1443

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引导块闪存

SMJS400E - 1994年6月 - 修订1998年1月

描述（续）

嵌入方案和块擦除功能是由一个片上写状态机（WSM ）的全自动化，

简化这些操作，减轻这些次要任务系统微控制器。 WSM状态

可通过片上的状态寄存器进行监测，以确定节目的进度/擦除任务。该装置

具有用户可选的块擦除。

该TMS28F400BZx闪存的44引脚PSOP提供。它是在两个温度范围内工作：

0 ° C至70 ° C和 - 40 ° C至85°C 。

装置符号命名

TMS28F400BZT

DBJ

温度范围代号

L =

0 ° C至70℃

E = - 40 ° C至85°C

封装标识

DBJ =塑料小外形封装

编程/擦除次数

B = 10 000次

引导块位置指示器

T =热门地点

B =底部位置

速度代号

80 = 80纳秒（ ± 10 ％容差VCC ）

90 = 90纳秒（ ± 10 ％容差VCC ）

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功能框图

DQ8 - DQ15 / A -1

DQ15 / A -1

输入缓冲器

产量

卜FF器

DQ0 - DQ7

产量

卜FF器

输入

卜FF器

输入

卜FF器

数据

鉴定

产量

多路复用器

状态

I / O逻辑

字节

命令

状态

机

A0 – 18

A17

输入

卜FF器

电源 -

减少

控制

数据

比较

写

状态

机

计划/

抹去

电压

开关

VPP

地址

LATCH

Y译码

16K-Byte

BOOT

块

门控/传感

8K-Byte

参数参数

块

96K-Byte

主

块

128K字节128K字节128K字节

主

块

地址

计数器

X解码器

架构

该TMS28F400BZx使用阻塞架构，使所选的内存块独立擦除。该

块来擦除被选择用在该块内的任何有效地址。

块存储器映射

该TMS28F400BZx可与映射有两种配置的模块结构：引导

块位于顶部或在所述存储器阵列的底部，所要求的不同的微处理器。该

TMS28F400BZB （底部引导块）被映射到位于低位地址的16K字节的引导块

范围（ 00000H到01FFFH ）。该TMS28F400BZT （顶部引导块）被反转相对于所述

TMS28F400BZB （底部引导块），因为引导块位于高位地址范围（ 3E000h

到3FFFFH ）。这两个地址范围为字宽模式。图1和图2显示了存储器

地图这些配置。

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块存储器映射（续）

地址

范围

7FFFFh

7C000h

7BFFFh

7A000h

79FFFh

78000h

77FFFh

60000h

5FFFFh

40000h

3FFFFh

20000h

1FFFFh

00000h

×8

CON组fi guration

BOOT BLOCK

16K地址

参数块

8K地址

参数块

8K地址

主座

96K地址

主座

128K地址

主座

128K地址

主座

128K地址

×16

CON组fi guration

BOOT BLOCK

8K地址

参数块

4K地址

参数块

4K地址

主座

48K地址

主座

64K地址

主座

64K地址

主座

64K地址

A0为LSB地址

地址

范围

3FFFFh

3E000h

3DFFFh

3D000h

3CFFFh

3C000h

3BFFFh

30000h

2FFFFh

20000h

1FFFFh

10000h

0FFFFh

00000h

DQ15 / A -1 LSB地址

图1. TMS28F400BZT （顶部引导块）内存映射

地址

范围

7FFFFh

60000h

5FFFFh

40000h

3FFFFh

20000h

1FFFFh

08000h

07FFFh

06000h

05FFFh

04000h

03FFFh

00000h

×8

CON组fi guration

主座

128K地址

主座

128K地址

主座

128K地址

主座

96K地址

参数块

8K地址

参数块

8K地址

BOOT BLOCK

16K地址

×16

CON组fi guration

主座

64K地址

主座

64K地址

主座

64K地址

主座

48K地址

参数块

4K地址

参数块

4K地址

BOOT BLOCK

8K地址

A0为LSB地址

地址

范围

3FFFFh

30000h

2FFFFh

20000h

1FFFFh

10000h

0FFFFh

04000h

03FFFh

03000h

02FFFh

02000h

01FFFh

00000h

DQ15 / A -1 LSB地址

图2. TMS28F400BZB （底部引导块）内存映射

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引导块闪存

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引导块的数据保护

在16K字节的引导块可以被用于存储在正常工作很少改变密钥的系统数据。对

此存储器扇区内保护数据， RP的销可以被用来提供一个锁定，以消除任何误

擦除或编程操作。当RP与普通TTL / CMOS逻辑电平操作，的内容

引导块不能被擦除或编程。只能更改了引导块中的内容

当RP是在V

（标称12伏），在正常的写入/擦除操作。

参数块

每个8K字节的两个参数的块可被用作便笺式存储频繁更新的数据。

或者，参数块可用于附加自举或主模块的数据。如果一个参数块

用于存储额外的引导块数据时，应谨慎行事，因为该参数块不

具有引导块的数据保护的安全功能。

主座

在TMS28F400BZx主内存位于四个主要区块。三个块存储有

为128K字节，并且在第四块容量具有存储容量为96K字节。

命令状态机

命令发出使用标准的微处理器写时序的CSM 。 CSM的充当接口

之间的外部微处理器和内部WSM 。可用的命令列于表1和

这些命令的描述示于表2中。当编程或擦除命令被发布到

CSM的WSM控制内部序列和CSM只响应状态的读取。在WSM后

完成其任务后， WSM状态位（ SB7 ）被设置为逻辑高电平（1），使CSM向回应

完整的命令重新设置。

手术

设备操作输入JEDEC标准的8位命令码与传统的选择

微处理器时机成片CSM通过I / O引脚DQ0 - DQ7 。当设备通电时，

内部复位电路初始化芯片操作的一个读阵列模式。改变操作的模式

要求将输入到CSM的命令代码。表1列出了CSM的代码操作的所有模式。

芯片上的状态寄存器可以监测各种操作的进度。状态寄存器是

通过输入审问读状态寄存器命令进入CSM （周期1 ）和读取寄存器数据

在I / O引脚DQ0 - DQ7 （周2 ）。状态寄存器位通过SB7 SB0对应DQ0通过DQ7 。

表1.命令状态机编码设备模式选择

命令

CODE ON

DQ0 - DQ7

00h

10h

20h

40h

50h

70h

90h

B0h

D0h

FFH

DEVICE模式

无效/保留

备用安装程序

块擦除设置

项目设置

清除状态寄存器

读状态寄存器

算法选择

擦除暂停

擦除恢复/块擦除确认

读阵列

DQ0是最显著位。 DQ8 - DQ15可以是任何有效的2态

的水平。

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