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TMS28F002Axy , TMS28F200Axy
262144 ×8位/ 131072 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS826D - 1996年1月 - 修订1997年9月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
262 144 8位S
131 072 16位
阵列阻断架构
- 一个16K字节的受保护的引导块
- 两个8K字节的参数块
- 一个96K字节的主座
- 一个128K字节的主座
- 顶部或底部启动位置
“ 28F200Axy提供用户定义的8位
(字节)或16位(字)组织
“ 28F002Axy仅提供8位(字节)
组织
最高访问/最小周期时间
- 商业和扩展
10 %或3.3 V V
CC
0.3 V
5-V V
CC
5V
3.3 V
“ 28F002Axy / 200Axy60 60 ns的110纳秒
“ 28F002Axy / 200Axy70 70 ns的130纳秒
“ 28F002Axy / 200Axy80 80 ns的150纳秒
汽车
5-V V
CC
10%
’28F200Axy70
70纳秒
’28F200Axy80
80纳秒
’28F200Axy90
90纳秒
( X = S, E,F ,Z或M根据V
CC
/V
PP
电压配置)
(Y = T的顶部或B的底部引导块
配置)
100 000-和10万编程/擦除周期
版本
三种温度范围
- 商业。 。 。 0 ° C至70℃
- 扩展。 。 。 - 40 ° C至85°C
- 汽车。 。 。 - 40 ° C至125°C
工业标准封装可供选择的
- 40引脚薄型小尺寸封装
( TSOP )
- 44引脚塑料小外形封装
( PSOP )
- 48引脚TSOP
低功耗(V
CC
= 5.5 V )
- 主动阅读。 。 。 330毫瓦(字节读)
- 主动写。 。 。 248毫瓦(字节写入)
- 主动阅读。 。 。 330毫瓦(字读)
- 主动写。 。 。 248毫瓦(字写)
- 块擦除。 。 。 165毫瓦
- 待机。 。 。 0.72毫瓦( CMOS输入
级别)
组织。 。 。
DBJ包装
(顶视图)
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
V
PP
DU / WP
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
V
SS
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RP
W
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
V
SS
DQ15/A
–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
PIN NOMENCLATURE
A0 – A16
A17
字节
DQ0 - DQ14
DQ15 / A -1
E
G
NC
RP
VCC
VPP
VSS
W
DU / WP
地址输入
地址输入( 40引脚封装)
字节使能
输入/输出数据
数据输入/输出(字宽模式) ,
低位地址(字节宽的模式)
芯片使能
输出使能
无内部连接
复位/深度掉电
电源
电源的编程/擦除
写使能
不要使用AMY或AZY /写保护
D
D
D
D
D
完全自动化的片擦除和
字/字节编程操作
写保护引导块
行业标准的命令状态机
( CSM )
擦除暂停/恢复
- 算法选择标识
供应五种不同的组合
电压参团
所有输入/输出TTL兼容
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年,德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦,得克萨斯州77251-1443
1
TMS28F002Axy , TMS28F200Axy
262144 ×8位/ 131072 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS826D - 1996年1月 - 修订1997年9月
40引脚封装DCD
(顶视图)
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
W
RP
V
PP
DU / WP
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
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25
24
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22
21
A17
V
SS
NC
NC
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
CC
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
G
V
SS
E
A0
48引脚封装DCD
( TOP VIEW )
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
W
RP
V
PP
DU / WP
NC
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
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6
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8
9
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11
12
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24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
V
SS
DQ15 / A
–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
G
V
SS
E
A0
2
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休斯敦,得克萨斯州77251-1443
TMS28F002Axy , TMS28F200Axy
262144 ×8位/ 131072 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS826D - 1996年1月 - 修订1997年9月
目录
说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
读操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
设备符号命名。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
编程操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
擦除操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
架构。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
自动省电模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
块存储器映射。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
复位/深度掉电模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
引导块的数据保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
电源检测。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
参数块。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
常见的电气参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
主块。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
数据保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
命令状态机( CSM ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
TMS28F002ASy和TMS28F200ASy 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
TMS28F002AEy和TMS28F200AEy 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
TMS28F002AMy和TMS28F200AMy 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
状态寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
TMS28F002AFy和TMS28F200AFy 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
字节宽度或字宽模式选择。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
TMS28F002AZy和TMS28F200AZy 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
命令状态机的操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
参数测量信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
清除状态寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 NO TAG
描述
该TMS28F200Axy是262 144由8位/ 131 072和16位(2 097 152位) ,引导块闪速存储器可以
电块擦除和重新编程。该TMS28F200Axy被组织在一个封锁的体系结构
组成:
D
D
D
D
一个16K字节的保护引导块
两个8K字节参数块
一个96K字节的主块
一个128K字节的主块
该设备可以在五个不同的电压配置(见表1)进行排序。操作作为一个256K字节( 8比特)的
或128K字( 16位)的组织是由用户定义。
该TMS28F002Axy是只有256K字节的组织提供。该设备的操作是一样的
该TMS28F200Axy并在相同的电压的配置提供。 TMS28F002Axy可以取代
字节宽TMS28F200Axy ,而后者是此设备的家庭的总称。
嵌入方案和块擦除功能是由片上的写状态机( WSM)的全自动化,
从而简化这些操作,减轻这些次要任务系统微控制器。 WSM
状态可以通过片上的状态寄存器进行监测,以确定节目的进度/擦除任务。该
器件具有用户可选的块擦除。
配置如下:
D
该TMS28F002ASy和TMS28F200ASy配置具有自动选择功能,可以让
另一种读取和编程/擦除电压。内存读取可以使用3.3 V V进行
CC
最佳功耗或5 - V V
CC
,对于器件的性能。擦除或编程设备
可以完成与5 - V V
PP
,这消除了必须使用一个12 -V的源和/或在系统电压
转换器。可替代地, 12 - V V
PP
存在已经有12 V电源系统的运行,
它提供了更快的编程和擦除时间。这些配置提供在两个不同的
温度范围: 0 ° C至70° C和 - 40 ° C至85°C 。
该TMS28F002AEy和TMS28F200AEy配置提供的自动选择功能
TMS28F200ASy与扩展V
CC
以低2.7 V至3.6 V范围内( 3 -V标称值) 。内存读取可
使用3 - V V进行
CC
,从而允许更有效的电力消耗比' ASY设备。
D
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休斯敦,得克萨斯州77251-1443
3
TMS28F002Axy , TMS28F200Axy
262144 ×8位/ 131072 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS826D - 1996年1月 - 修订1997年9月
D
D
D
该TMS28F002AMy和TMS28F200AMy配置提供阅读12 -V 3 V或5 V内存
编程和擦除。这些配置的目的是为低的3.3V读取和快速编程
提供与the12 - V V
PP
和5- V V
CC
。这些配置提供在两个不同的温度
范围: 0 ° C至70° C和 - 40 ° C至85°C 。
该TMS28F002AFy和TMS28F200AFy配置提供阅读与5 V或12 V 5 -V内存
编程和擦除。这些配置适用于采用5 V单电源供电系统。该
配置提供三种温度范围: 0 ° C至70 ° C, - 40 ° C至85° C和 - 40 ° C至125°C 。
该TMS28F002AZy和TMS28F200AZy配置提供阅读12 -V程序中的5 -V内存和
一个12 -V擦除的快速编程和擦除时间。这些配置提供三种温度
范围: 0 ° C至70 ° C, - 40 ° C至85° C和 - 40 ° C至125°C 。
在TMS28F200Axy的所有配置均提供44引脚塑料小外形封装( PSOP )和
48引脚薄型小尺寸封装( TSOP ) 。该TMS28F002Axy是唯一一个40针TSOP提供。无论是40针
和48引脚TSOP供0° C至70 ° C和 - 40 ° C至85° C的温度范围内只。
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休斯敦,得克萨斯州77251-1443
TMS28F002Axy , TMS28F200Axy
262144 ×8位/ 131072 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS826D - 1996年1月 - 修订1997年9月
装置符号命名
TMS28F200AS
T
60
C
DBJ
L
温度范围代号
L =
0 ° C至70℃
E = - 40 ° C至85°C
Q = - 40 ° C至125°C
封装标识
DBJ = 44引脚PSOP
DCD = 40引脚TSOP ( F002只)
DCD = 48引脚TSOP ( F200只)
编程/擦除次数
C = 100 000次
B = 10 000次
引导块位置指示器
T =热门地点
B =底部位置
速度代号
60 = 60纳秒
70 = 70纳秒
80 = 80 ns的
90 = 90纳秒
S
E
M
F
Z
= (3.3 V
±
0.3 V或5 V
±
10%) VCC和( 5伏
±
10%或12伏
±
5%) VPP
= ( 2.7 V至3.6 V或5 V
±
10%) VCC和( 5伏
±
10%或12伏
±
5%) VPP
= (3.3 V
±
0.3 V或5 V
±
10%)的VCC和12伏
±
5 % VPP
= 5 V
±
10%的VCC和( 5伏
±
10%或12伏
±
5%) VPP
= 5 V
±
10 % VCC和12 V
±
5 % VPP
组织
200 = 128K ×16位或256K ×8位
002 = 256K ×8位
表1. V
CC
-/ V
PP
- 电压配置
设备
CON组fi guration
TMS28F200ASy
TMS28F200AEy
TMS28F200AMy
读电压( VCC)的
3.3 V
±
0.3 V或
5 V
±
10 %
2.7 V至3.6 V或
5 V
±
10 %
3.3 V
±
0.3 V或
5 V
±
10 %
5 V
±
10 %
编程/擦除
电压( VPP)的
5 V
±
10%或
12 V
±
5 %
5 V
±
10%或
12 V
±
5 %
12 V
±
5 %
5 V
±
10%或
12 V
±
5 %
工作自由空气
温度(Ta )
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 40 ° C至125°C
0 ° C至70℃
TMS28F200AZy
5 V
±
10 %
12 V
±
5 %
- 40 ° C至85°C
- 40 ° C至125°C
可在TMS28F002Axy (只有8位)和顶部或底部启动所有配置。
40 ° C至125 ° C的温度范围 - 只有44引脚PSOP在所提供的。
访问速度
5 V ( 3.3 V ) VCC
60 (110) 70 (130) ,80( 150)毫微秒
60 (110) 70 (130) ,80( 150)毫微秒
60 (110) 70 (130) ,80( 150)毫微秒
60 (110) 70 (130) ,80( 150)毫微秒
60 (110) 70 (130) ,80( 150)毫微秒
60 (110) 70 (130) ,80( 150)毫微秒
60 ,70, 80纳秒
60 ,70, 80纳秒
70 , 80 , 90纳秒
60 ,70, 80纳秒
60 ,70, 80纳秒
70 , 80 , 90纳秒
TMS28F200AFy
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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