TMS28F200BZT ， TMS28F200BZB
262144 ×8位/ 131072 ×16位
引导块闪存
SMJS200E - 1994年6月 - 修订1998年1月
D
D
组织。 。 。
D
D
D
D
D
D
D
D
262 144 8位S
131 072 16位
阵列阻断架构
- 两个8K字节的参数块
- 一个96K字节的主座
- 一个128K字节的主座
- 一个16K字节的受保护的引导块
- 顶部或底部启动位置
所有输入/输出TTL兼容
最高访问/最小周期时间
V
CC
±
10%
’28F200BZx70
70纳秒
’28F200BZx80
80纳秒
’28F200BZx90
90纳秒
（X =顶部（T）或底部（B）中的引导块
配置命令）
10000编程/擦除周期
三种温度范围
- 商业。 。 。 0 ° C至70℃
- 扩展。 。 。 - 40 ° C至85°C
- 汽车。 。 。 - 40 ° C至125°C
低功耗（V
CC
= 5.5 V )
- 主动写。 。 。 330毫瓦（字节写入）
- 主动阅读。 。 。 330毫瓦（字节读）
- 主动写。 。 。 358毫瓦（字写）
- 主动阅读。 。 。 330毫瓦（字读）
- 块擦除。 。 。 165毫瓦
- 待机。 。 。 0.55毫瓦（ CMOS输入
级别）
- 深度掉电模式。 。 。 0.0066毫瓦
完全自动化的片擦除和
字/字节编程操作
写保护引导块
工业标准命令状态机
（ CSM ）
- 擦除暂停/恢复
- 算法选择标识
DBJ包装
（顶视图）
V
PP
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
V
SS
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RP
W
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
V
SS
DQ15/A
–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
PIN NOMENCLATURE
A0 – A16
字节
DQ0 - DQ14
DQ15 / A -1
E
G
NC
RP
VCC
VPP
VSS
W
地址输入
字节使能
输入/输出数据
数据输入/输出（字宽模式） ，
低位地址（字节宽的模式）
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无内部连接
复位/深度掉电
5 V电源
12 -V电源的编程/擦除
地
写使能
描述
该TMS28F200BZx是262 144 8位/ 131 072 16位（ 2 097 152位） ，启动块闪存，可
电块擦除和重新编程。该TMS28F200BZx被组织在一个封锁的体系结构
由一个16K字节的保护引导块，二8K字节的参数块，一个96K字节的主块和
1 128K字节的主块。该装置可以被排序，或者是顶部或底部的引导块的配置。
运营为256K - 8位或128K - by16位组织是用户自定义的。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1998年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
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TMS28F200BZT ， TMS28F200BZB
262144 ×8位/ 131072 ×16位
引导块闪存
SMJS200E - 1994年6月 - 修订1998年1月
描述（续）
嵌入方案和块擦除功能是由一个片上写状态机（WSM ）的全自动化，
简化这些操作，减轻这些次要任务系统微控制器。 WSM状态
可通过片上的状态寄存器进行监测，以确定节目的进度/擦除任务。该装置
具有用户可选的块擦除。
该TMS28F200BZx闪存的44引脚PSOP提供。它是在两个温度范围内工作：
0 ° C至70 ° C和 - 40 ° C至85°C 。
装置符号命名
TMS28F200BZT
70
B
DBJ
L
温度范围代号
L =
0 ° C至70℃
E = - 40 ° C至85°C
封装标识
DBJ =塑料小外形封装
编程/擦除次数
B = 10 000次
引导块位置指示器
T =热门地点
B =底部位置
速度代号
70 = 70纳秒（ ± 10 ％容差VCC ）
80 = 80纳秒（ ± 10 ％容差VCC ）
90 = 90纳秒（ ± 10 ％容差VCC ）
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262144 ×8位/ 131072 ×16位
引导块闪存
SMJS200E - 1994年6月 - 修订1998年1月
功能框图
DQ8 - DQ15 / A -1
8
8
8
DQ15 / A -1
输入缓冲器
产量
卜FF器
DQ0 - DQ7
产量
卜FF器
输入
卜FF器
输入
卜FF器
数据
注册
鉴定
注册
产量
多路复用器
状态
注册
I / O逻辑
字节
E
W
G
RP
命令
状态
机
A0 – 17
A16
输入
卜FF器
电源 -
减少
控制
数据
比较
写
状态
机
计划/
抹去
电压
开关
VPP
地址
LATCH
Y译码
16K-Byte
BOOT
块
门控/传感
8K-Byte
8K-Byte
参数参数
块
块
96K-Byte
主
块
128K-Byte
主
块
地址
计数器
X解码器
架构
该TMS28F200BZx使用阻塞架构，使所选的内存独立擦除blocks.The
块来擦除被选择用在该块内的任何有效地址。
块存储器映射
该TMS28F200BZx可与映射有两种配置的模块结构：引导
块位于顶部或在所述存储器阵列的底部，所要求的不同的微处理器。该
TMS28F200BZB （底部引导块）被映射到位于低位地址的16K字节的引导块
范围（ 00000H到01FFFH ） 。该TMS28F200BZT （顶部引导块）被反转相对于所述
TMS28F200BZB与位于高位地址范围（ 1E000h到1FFFFH ）引导块。这两种
地址范围为字宽模式。图1和图2显示了这些内存映射
精读网络gurations 。
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引导块闪存
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块存储器映射（续）
地址
范围
3FFFFh
3C000h
3BFFFh
3A000h
39FFFh
38000h
37FFFh
20000h
1FFFFh
00000h
×8
CON组fi guration
BOOT BLOCK
16K地址
参数块
8K地址
参数块
8K地址
主座
96K地址
主座
128K地址
×16
CON组fi guration
BOOT BLOCK
8K地址
参数块
4K地址
参数块
4K地址
主座
48K地址
主座
64K地址
A0为LSB地址
地址
范围
1FFFFh
1E000h
1DFFFh
1D000h
1CFFFh
1C000h
1BFFFh
10000h
0FFFFh
00000h
DQ15 / A -1 LSB地址
图1. TMS28F200BZT （顶部引导块）内存映射
地址
范围
3FFFFh
20000h
1FFFFh
08000h
07FFFh
06000h
05FFFh
04000h
03FFFh
00000h
×8
CON组fi guration
主座
128K地址
主座
96K地址
参数块
8K地址
参数块
8K地址
BOOT BLOCK
16K地址
×16
CON组fi guration
主座
64K地址
主座
48K地址
参数块
4K地址
参数块
4K地址
BOOT BLOCK
8K地址
A0为LSB地址
地址
范围
1FFFFh
10000h
0FFFFh
04000h
03FFFh
03000h
02FFFh
02000h
01FFFh
00000h
DQ15 / A -1 LSB地址
图2. TMS28F200BZB （底部引导块）内存映射
引导块的数据保护
在16K字节的引导块可以被用于存储在正常工作很少改变密钥的系统数据。对
此存储器扇区内保护数据， RP的销可以被用来提供一个锁定，以消除任何误
擦除或编程操作。当RP与普通TTL / CMOS逻辑电平操作，的内容
引导块不能被擦除或编程。只能更改了引导块中的内容
当RP是在V
HH
（标称12伏），在正常的写入/擦除操作。
参数块
每个8K字节的两个参数块可用于像一个便笺本，存储频繁更新的数据。
或者，参数块可用于附加自举或主模块的数据。如果一个参数块
用于存储额外的引导块数据时，应谨慎行事，因为该参数块不
具有引导块的数据保护的安全功能。
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引导块闪存
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主座
在TMS28F200BZx主存储器位于两个主要模块。一个块具有存储容量
为128K字节，而另一个块有一个存储容量为96K字节。
命令状态机
命令发出使用标准的微处理器写时序的CSM 。 CSM的充当接口
之间的外部微处理器和内部WSM 。可用的命令列于表1和
这些命令的描述示于表2中。当编程或擦除命令被发布到
CSM的WSM控制内部序列和CSM只响应状态的读取。在WSM后
完成其任务后， WSM状态位（ SB7 ）被设置为逻辑高电平（1） ，使CSM向回应
完整的命令重新设置。
手术
设备操作输入JEDEC标准的8位命令码与传统的选择
微处理器时机成片CSM通过I / O引脚DQ0 - DQ7 。当设备通电时，
内部复位电路初始化芯片操作的一个读阵列模式。改变操作的模式
要求将输入到CSM的命令代码。表1列出了CSM的代码操作的所有模式。
芯片上的状态寄存器可以监测各种操作的进度。状态寄存器是
通过输入审问读状态寄存器命令进入CSM （周期1 ）和读取寄存器数据
在I / O引脚DQ0 - DQ7 （周2 ） 。状态寄存器位通过SB7 SB0对应DQ0通过DQ7 。
表1.命令状态机编码设备模式选择
命令
CODE ON
DQ0 - DQ7
00h
10h
20h
40h
50h
70h
90h
B0h
D0h
FFH
DEVICE模式
无效/保留
备用安装程序
块擦除设置
项目设置
清除状态寄存器
读状态寄存器
算法选择
擦除暂停
擦除恢复/块擦除确认
读阵列
DQ0是最显著位。 DQ8 - DQ15可以是任何有效的2态
的水平。
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D
D
组织。 。 。
D
D
D
D
D
D
D
D
262 144 8位S
131 072 16位
阵列阻断架构
- 两个8K字节的参数块
- 一个96K字节的主座
- 一个128K字节的主座
- 一个16K字节的受保护的引导块
- 顶部或底部启动位置
所有输入/输出TTL兼容
最高访问/最小周期时间
V
CC
±
10%
’28F200BZx70
70纳秒
’28F200BZx80
80纳秒
’28F200BZx90
90纳秒
（X =顶部（T）或底部（B）中的引导块
配置命令）
10000编程/擦除周期
三种温度范围
- 商业。 。 。 0 ° C至70℃
- 扩展。 。 。 - 40 ° C至85°C
- 汽车。 。 。 - 40 ° C至125°C
低功耗（V
CC
= 5.5 V )
- 主动写。 。 。 330毫瓦（字节写入）
- 主动阅读。 。 。 330毫瓦（字节读）
- 主动写。 。 。 358毫瓦（字写）
- 主动阅读。 。 。 330毫瓦（字读）
- 块擦除。 。 。 165毫瓦
- 待机。 。 。 0.55毫瓦（ CMOS输入
级别）
- 深度掉电模式。 。 。 0.0066毫瓦
完全自动化的片擦除和
字/字节编程操作
写保护引导块
工业标准命令状态机
（ CSM ）
- 擦除暂停/恢复
- 算法选择标识
DBJ包装
（顶视图）
V
PP
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
V
SS
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RP
W
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
V
SS
DQ15/A
–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
PIN NOMENCLATURE
A0 – A16
字节
DQ0 - DQ14
DQ15 / A -1
E
G
NC
RP
VCC
VPP
VSS
W
地址输入
字节使能
输入/输出数据
数据输入/输出（字宽模式） ，
低位地址（字节宽的模式）
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无内部连接
复位/深度掉电
5 V电源
12 -V电源的编程/擦除
地
写使能
描述
该TMS28F200BZx是262 144 8位/ 131 072 16位（ 2 097 152位） ，启动块闪存，可
电块擦除和重新编程。该TMS28F200BZx被组织在一个封锁的体系结构
由一个16K字节的保护引导块，二8K字节的参数块，一个96K字节的主块和
1 128K字节的主块。该装置可以被排序，或者是顶部或底部的引导块的配置。
运营为256K - 8位或128K - by16位组织是用户自定义的。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1998年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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描述（续）
嵌入方案和块擦除功能是由一个片上写状态机（WSM ）的全自动化，
简化这些操作，减轻这些次要任务系统微控制器。 WSM状态
可通过片上的状态寄存器进行监测，以确定节目的进度/擦除任务。该装置
具有用户可选的块擦除。
该TMS28F200BZx闪存的44引脚PSOP提供。它是在两个温度范围内工作：
0 ° C至70 ° C和 - 40 ° C至85°C 。
装置符号命名
TMS28F200BZT
70
B
DBJ
L
温度范围代号
L =
0 ° C至70℃
E = - 40 ° C至85°C
封装标识
DBJ =塑料小外形封装
编程/擦除次数
B = 10 000次
引导块位置指示器
T =热门地点
B =底部位置
速度代号
70 = 70纳秒（ ± 10 ％容差VCC ）
80 = 80纳秒（ ± 10 ％容差VCC ）
90 = 90纳秒（ ± 10 ％容差VCC ）
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功能框图
DQ8 - DQ15 / A -1
8
8
8
DQ15 / A -1
输入缓冲器
产量
卜FF器
DQ0 - DQ7
产量
卜FF器
输入
卜FF器
输入
卜FF器
数据
注册
鉴定
注册
产量
多路复用器
状态
注册
I / O逻辑
字节
E
W
G
RP
命令
状态
机
A0 – 17
A16
输入
卜FF器
电源 -
减少
控制
数据
比较
写
状态
机
计划/
抹去
电压
开关
VPP
地址
LATCH
Y译码
16K-Byte
BOOT
块
门控/传感
8K-Byte
8K-Byte
参数参数
块
块
96K-Byte
主
块
128K-Byte
主
块
地址
计数器
X解码器
架构
该TMS28F200BZx使用阻塞架构，使所选的内存独立擦除blocks.The
块来擦除被选择用在该块内的任何有效地址。
块存储器映射
该TMS28F200BZx可与映射有两种配置的模块结构：引导
块位于顶部或在所述存储器阵列的底部，所要求的不同的微处理器。该
TMS28F200BZB （底部引导块）被映射到位于低位地址的16K字节的引导块
范围（ 00000H到01FFFH ） 。该TMS28F200BZT （顶部引导块）被反转相对于所述
TMS28F200BZB与位于高位地址范围（ 1E000h到1FFFFH ）引导块。这两种
地址范围为字宽模式。图1和图2显示了这些内存映射
精读网络gurations 。
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引导块闪存
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块存储器映射（续）
地址
范围
3FFFFh
3C000h
3BFFFh
3A000h
39FFFh
38000h
37FFFh
20000h
1FFFFh
00000h
×8
CON组fi guration
BOOT BLOCK
16K地址
参数块
8K地址
参数块
8K地址
主座
96K地址
主座
128K地址
×16
CON组fi guration
BOOT BLOCK
8K地址
参数块
4K地址
参数块
4K地址
主座
48K地址
主座
64K地址
A0为LSB地址
地址
范围
1FFFFh
1E000h
1DFFFh
1D000h
1CFFFh
1C000h
1BFFFh
10000h
0FFFFh
00000h
DQ15 / A -1 LSB地址
图1. TMS28F200BZT （顶部引导块）内存映射
地址
范围
3FFFFh
20000h
1FFFFh
08000h
07FFFh
06000h
05FFFh
04000h
03FFFh
00000h
×8
CON组fi guration
主座
128K地址
主座
96K地址
参数块
8K地址
参数块
8K地址
BOOT BLOCK
16K地址
×16
CON组fi guration
主座
64K地址
主座
48K地址
参数块
4K地址
参数块
4K地址
BOOT BLOCK
8K地址
A0为LSB地址
地址
范围
1FFFFh
10000h
0FFFFh
04000h
03FFFh
03000h
02FFFh
02000h
01FFFh
00000h
DQ15 / A -1 LSB地址
图2. TMS28F200BZB （底部引导块）内存映射
引导块的数据保护
在16K字节的引导块可以被用于存储在正常工作很少改变密钥的系统数据。对
此存储器扇区内保护数据， RP的销可以被用来提供一个锁定，以消除任何误
擦除或编程操作。当RP与普通TTL / CMOS逻辑电平操作，的内容
引导块不能被擦除或编程。只能更改了引导块中的内容
当RP是在V
HH
（标称12伏），在正常的写入/擦除操作。
参数块
每个8K字节的两个参数块可用于像一个便笺本，存储频繁更新的数据。
或者，参数块可用于附加自举或主模块的数据。如果一个参数块
用于存储额外的引导块数据时，应谨慎行事，因为该参数块不
具有引导块的数据保护的安全功能。
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262144 ×8位/ 131072 ×16位
引导块闪存
SMJS200E - 1994年6月 - 修订1998年1月
主座
在TMS28F200BZx主存储器位于两个主要模块。一个块具有存储容量
为128K字节，而另一个块有一个存储容量为96K字节。
命令状态机
命令发出使用标准的微处理器写时序的CSM 。 CSM的充当接口
之间的外部微处理器和内部WSM 。可用的命令列于表1和
这些命令的描述示于表2中。当编程或擦除命令被发布到
CSM的WSM控制内部序列和CSM只响应状态的读取。在WSM后
完成其任务后， WSM状态位（ SB7 ）被设置为逻辑高电平（1） ，使CSM向回应
完整的命令重新设置。
手术
设备操作输入JEDEC标准的8位命令码与传统的选择
微处理器时机成片CSM通过I / O引脚DQ0 - DQ7 。当设备通电时，
内部复位电路初始化芯片操作的一个读阵列模式。改变操作的模式
要求将输入到CSM的命令代码。表1列出了CSM的代码操作的所有模式。
芯片上的状态寄存器可以监测各种操作的进度。状态寄存器是
通过输入审问读状态寄存器命令进入CSM （周期1 ）和读取寄存器数据
在I / O引脚DQ0 - DQ7 （周2 ） 。状态寄存器位通过SB7 SB0对应DQ0通过DQ7 。
表1.命令状态机编码设备模式选择
命令
CODE ON
DQ0 - DQ7
00h
10h
20h
40h
50h
70h
90h
B0h
D0h
FFH
DEVICE模式
无效/保留
备用安装程序
块擦除设置
项目设置
清除状态寄存器
读状态寄存器
算法选择
擦除暂停
擦除恢复/块擦除确认
读阵列
DQ0是最显著位。 DQ8 - DQ15可以是任何有效的2态
的水平。
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