TMS28F010B
131072 ×8位
FL灰内存
SMJS824B - 1995年5月 - 修订1997年8月
D
D
D
A12
A15
A16
VPP
VCC
W
NC
4
3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
D
D
D
D
D
D
D
D
组织。 。 。 131 072 8位
引脚兼容现有的1兆位
的EPROM
V
CC
公差
±10%
所有输入/输出TTL兼容
最高访问/最小周期时间
’28F010B-90
90纳秒
’28F010B-10
100纳秒
’28F010B-12
120纳秒
’28F010B-15
150纳秒
工业标准编程算法
PEP4版本可提供168小时
烧机，和操作的选择
温度范围
100 000 10 000编程/擦除周期
可用版本
250毫安的所有输入闭锁免疫
输出线
低功耗（V
CC
= 5.5 V )
-active写。 。 。 55毫瓦
- 主动阅读。 。 。 165毫瓦
- 电力擦除。 。 。 82.5毫瓦
-Standby 。 。 。 0.55毫瓦
（ CMOS输入电平）
汽车级温度范围
- 40 ° C至125°C
FM包装
（顶视图）
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
PIN NOMENCLATURE
A0 – A16
DQ0 - DQ7
E
G
NC
VCC
VPP
VSS
W
地址输入
输入（编程） /输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无内部连接
5 V电源
12 -V电源
地
写使能
描述
只有在编程模式
该TMS28F010B是131 072由8位（ 104 8 576位） ，可编程只读存储器，可以是电
批量擦除和重新编程。它采用100万和1万次编程/擦除耐久性周期
的版本。
该TMS28F010B闪存提供的32引脚塑料有引线芯片载体封装（如上图所示）
采用1.25毫米（ 50密耳）引线间距（ FM后缀） ， 32引脚薄型小尺寸封装（后缀DD ）和反向
引出线TSOP封装（ DU后缀）下页上都显示。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1997年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
1
TMS28F010B
131072 ×8位
FL灰内存
SMJS824B - 1995年5月 - 修订1997年8月
DD包
（顶视图）
A11
A9
A8
A13
A14
NC
W
V
CC
V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
杜包
反向引脚
（顶视图）
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
W
V
CC
V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS28F010B
131072 ×8位
FL灰内存
SMJS824B - 1995年5月 - 修订1997年8月
装置符号命名
TMS28F010B
-12
C5
FM
L
温度范围代号
L
=
0 ° C至70℃
E
= - 40 ° C至85°C
Q = - 40 ° C至125°C
封装标识
FM =塑料有引线芯片载体
DD =薄型小尺寸封装
DU =薄型小尺寸封装，
反向引脚
编程/擦除次数
C5 = 100 000次
C4 = 10 000次
速度代号
-90 = 90纳秒
-10 = 100纳秒
-12 = 120纳秒
-15 = 150纳秒
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
TMS28F010B
131072 ×8位
FL灰内存
SMJS824B - 1995年5月 - 修订1997年8月
逻辑符号
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
E
G
W
12
11
10
9
8
7
6
5
27
26
23
25
4
28
29
3
2
22
24
31
0
FL灰
内存
131 072
×
8
A
0
131 071
16
G1
[ PWR DWN ]
G2
1 ， 2 EN （ READ）
1C3 （写）
A， 3D
4
DQ0
13
A， Z4
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
14
15
17
18
19
20
21
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
显示引脚数是用于FM包。
4
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS28F010B
131072 ×8位
FL灰内存
SMJS824B - 1995年5月 - 修订1997年8月
功能框图
DQ0 - DQ7
8
VPP
W
国家控制
阵列
编程/擦除
停止定时器
节目电压
开关
机顶盒
E
G
芯片使能和
输出使能
逻辑
数据锁存器
擦除电压开关
输入/输出缓冲器
命令寄存器
机顶盒
A
d
d
r
e
s
s
L
a
t
c
h
列解码器
列门
A0 – A16
17
行解码器
1 048 576位
数组矩阵
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
5
TMS28F010B
131072 ×8位
FL灰内存
SMJS824B - 1995年5月 - 修订1997年8月
D
D
D
A12
A15
A16
VPP
VCC
W
NC
4
3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
D
D
D
D
D
D
D
D
组织。 。 。 131 072 8位
引脚兼容现有的1兆位
的EPROM
V
CC
公差
±10%
所有输入/输出TTL兼容
最高访问/最小周期时间
’28F010B-90
90纳秒
’28F010B-10
100纳秒
’28F010B-12
120纳秒
’28F010B-15
150纳秒
工业标准编程算法
PEP4版本可提供168小时
烧机，和操作的选择
温度范围
100 000 10 000编程/擦除周期
可用版本
250毫安的所有输入闭锁免疫
输出线
低功耗（V
CC
= 5.5 V )
-active写。 。 。 55毫瓦
- 主动阅读。 。 。 165毫瓦
- 电力擦除。 。 。 82.5毫瓦
-Standby 。 。 。 0.55毫瓦
（ CMOS输入电平）
汽车级温度范围
- 40 ° C至125°C
FM包装
（顶视图）
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
PIN NOMENCLATURE
A0 – A16
DQ0 - DQ7
E
G
NC
VCC
VPP
VSS
W
地址输入
输入（编程） /输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无内部连接
5 V电源
12 -V电源
地
写使能
描述
只有在编程模式
该TMS28F010B是131 072由8位（ 104 8 576位） ，可编程只读存储器，可以是电
批量擦除和重新编程。它采用100万和1万次编程/擦除耐久性周期
的版本。
该TMS28F010B闪存提供的32引脚塑料有引线芯片载体封装（如上图所示）
采用1.25毫米（ 50密耳）引线间距（ FM后缀） ， 32引脚薄型小尺寸封装（后缀DD ）和反向
引出线TSOP封装（ DU后缀）下页上都显示。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1997年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
1
TMS28F010B
131072 ×8位
FL灰内存
SMJS824B - 1995年5月 - 修订1997年8月
DD包
（顶视图）
A11
A9
A8
A13
A14
NC
W
V
CC
V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
杜包
反向引脚
（顶视图）
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
W
V
CC
V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS28F010B
131072 ×8位
FL灰内存
SMJS824B - 1995年5月 - 修订1997年8月
装置符号命名
TMS28F010B
-12
C5
FM
L
温度范围代号
L
=
0 ° C至70℃
E
= - 40 ° C至85°C
Q = - 40 ° C至125°C
封装标识
FM =塑料有引线芯片载体
DD =薄型小尺寸封装
DU =薄型小尺寸封装，
反向引脚
编程/擦除次数
C5 = 100 000次
C4 = 10 000次
速度代号
-90 = 90纳秒
-10 = 100纳秒
-12 = 120纳秒
-15 = 150纳秒
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
TMS28F010B
131072 ×8位
FL灰内存
SMJS824B - 1995年5月 - 修订1997年8月
逻辑符号
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
E
G
W
12
11
10
9
8
7
6
5
27
26
23
25
4
28
29
3
2
22
24
31
0
FL灰
内存
131 072
×
8
A
0
131 071
16
G1
[ PWR DWN ]
G2
1 ， 2 EN （ READ）
1C3 （写）
A， 3D
4
DQ0
13
A， Z4
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
14
15
17
18
19
20
21
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
显示引脚数是用于FM包。
4
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS28F010B
131072 ×8位
FL灰内存
SMJS824B - 1995年5月 - 修订1997年8月
功能框图
DQ0 - DQ7
8
VPP
W
国家控制
阵列
编程/擦除
停止定时器
节目电压
开关
机顶盒
E
G
芯片使能和
输出使能
逻辑
数据锁存器
擦除电压开关
输入/输出缓冲器
命令寄存器
机顶盒
A
d
d
r
e
s
s
L
a
t
c
h
列解码器
列门
A0 – A16
17
行解码器
1 048 576位
数组矩阵
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
5
QQ：2880707522 复制
