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TMS28F004Axy , TMS28F400Axy
524288 ×8位/ 262144 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS829A - 1996年1月 - 修订1997年8月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
524 288由8位
262 144 16位
阵列阻断架构
- 一个16K字节的受保护的引导块
- 两个8K字节的参数块
- 一个96K字节的主座
- 三128K字节的主块
- 顶部或底部启动位置
“ 28F400Axy提供用户定义的8位
(字节)或16位(字)组织
“ 28F004Axy仅提供8位
组织
最高访问/最小周期时间
- 商业和扩展
5-V V
CC
±
10%
3.3-V V
CC
±
0.3 V
“ 28F400Axy60 60 ns的110纳秒
“ 28F400Axy70 70纳秒为130ns
“ 28F400Axy80 80 ns的150纳秒
- 汽车(供只有5 - V V
CC
电压配置)
5-V V
CC
±
10%
“ 28F400Axy70 70纳秒
“ 28F400Axy80 80纳秒
“ 28F400Axy90 90纳秒
( X = S,E , F,M或Z根据V
CC
/ V
PP
配置)
(Y = T或B的顶部或底部引导块
配置)
100 000 10 000编程/擦除周期
版本
三种温度范围
- 商业。 。 。 0 ° C至70℃
- 扩展。 。 。 - 40 ° C至85°C
- 汽车。 。 。 - 40 ° C至125°C
工业标准封装可供选择的
- 40引脚TSOP ( DCD后缀)
- 44引脚PSOP ( DBJ后缀)
- 48引脚TSOP ( DCD后缀)
低功耗(V
CC
= 5.5 V )
- 主动写。 。 。 248毫瓦(字节写入)
- 主动阅读。 。 。 330毫瓦(字节读)
- 主动写。 。 。 248毫瓦(字写)
- 主动阅读。 。 。 330毫瓦(字读)
- 块擦除。 。 。 165毫瓦
- 待机。 。 。 0.72毫瓦( CMOS输入
级别)
组织。 。 。
DBJ包装
(顶视图)
V
PP
DU / WP
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
V
SS
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RP
W
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
V
SS
DQ15/A
–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
PIN NOMENCLATURE
A0 – A17
字节
DQ0 - DQ14
DQ15 / A -1
E
G
NC
RP
VCC
VPP
VSS
W
DU / WP
地址输入
字节使能
输入/输出数据
数据输入/输出(字宽模式) ,
低位地址(字节宽的模式)
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无内部连接
复位/深度掉电
电源
电源的编程/擦除
写使能
不要使用“艾米或' AZY /写保护
D
D
D
D
D
完全自动化的片擦除和
字/字节编程操作
写保护的引导块
行业标准的命令状态机
( CSM )
擦除暂停/恢复
- 算法选择标识
供应三种不同的组合
电压参团
所有输入/输出TTL兼容
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年,德州仪器
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休斯敦,得克萨斯州77251-1443
1
TMS28F004Axy , TMS28F400Axy
524288 ×8位/ 262144 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS829A - 1996年1月 - 修订1997年8月
DCD封装, 40针
( TOP VIEW )
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
W
RP
V
PP
DU / WP
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
DCD封装, 48引脚
( TOP VIEW )
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A17
GND
NC
NC
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
CC
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
G
GND
E
A0
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
W
RP
V
PP
DU / WP
NC
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
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6
7
8
9
10
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48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
GND
DQ15/A
– 1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
G
GND
E
A0
2
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TMS28F004Axy , TMS28F400Axy
524288 ×8位/ 262144 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS829A - 1996年1月 - 修订1997年8月
目录
说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
读操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
设备符号命名。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
编程操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
擦除操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
架构。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
自动省电模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
块存储器映射。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
复位/深度掉电模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引导块的数据保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
电源检测。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
参数块。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
主块。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
数据保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
TMS28F004ASy和TMS28F400ASy 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
命令状态机( CSM ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
TMS28F004AEy和TMS28F400AEy 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
TMS28F004AMy和TMS28F400AMy 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
TMS28F004AFy和TMS28F400AFy 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
状态寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
TMS28F004AZy和TMS28F400AZy 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
字节宽度或字宽模式选择。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
参数测量信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
命令状态机( CSM)的操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
机械数据 - DBJ ( R- PDSO - G44 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
清除状态寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
机械数据 - DCD ( R- PDSO -G ** ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
14
14
15
15
15
16
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23
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52
62
71
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79
描述
该TMS28F400Axy是524 288由8位/ 262 144由16位( 4 194 304位) ,引导块闪速存储器可以
电块擦除和重新编程。该TMS28F400Axy被组织在一个封锁的体系结构
组成:
D
D
D
D
一个16K字节的保护引导块
两个8K字节参数块
一个96K字节的主块
三128K字节的主块
表1列出了五个不同的电压的配置可用于排序。运营为512K字节( 8位)或
一个256K字( 16位)的组织是由用户定义。
表1. V
CC
/V
PP
配置电压,温度和速度矩阵
设备CON组fi guration
设备
TMS28F400ASy
TMS28F400AEy
TMS28F400AMy
READ( VCC)的
3.3
3 3 V± 0 3 V或5 V± 10 %
0.3
2.7 3 6
2 7 3.6 V或5 V± 10 %
3.3
3 3 V± 0 3 V或5 V± 10 %
0.3
编程/擦除( VPP )
5伏±10%或12伏± 5%的
5伏±10%或12伏± 5%的
12 V±10%
温度
(TA)
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
TMS28F400AFy
5 V±10%
5伏±10%或12伏± 5%的
-40 ° C至85°C
-40 ° C至125 ° C
0 ° C至70℃
TMS28F400AZy
5 V±10%
12 V±10%
-40 ° C至85°C
-40 ° C至125 ° C
只有44引脚PSOP在-40° C至125 ° C的温度范围内提供。
注1 :所有的配置都可以在TMS28F004Axy (只有8位配置)和顶部或底部启动。
访问速度 - 5 V ( 3.3 V ) VCC
60 (110) 70 (130) ,80( 150)毫微秒
60 (110) 70 (130) ,80( 150)毫微秒
60 (110) 70 (130) ,80( 150)毫微秒
60 (110) 70 (130) ,80( 150)毫微秒
60 (110) 70 (130) ,80( 150)毫微秒
60 (110) 70 (130) ,80( 150)毫微秒
60 ,70, 80纳秒
60 ,70, 80纳秒
70 , 80 , 90纳秒
60 ,70, 80纳秒
60 ,70, 80纳秒
70 , 80 , 90纳秒
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TMS28F004Axy , TMS28F400Axy
524288 ×8位/ 262144 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS829A - 1996年1月 - 修订1997年8月
描述(续)
该TMS28F004Axy是只有512K字节的组织提供。该设备的操作是一样的
该TMS28F400Axy并在相同的电压的配置提供。 TMS28F004Axy可以取代
字节宽TMS28F400Axy而后者是此设备系列的通用名称。
嵌入方案和块擦除功能是由片上的写状态机(WSM )的全自动化,
简化这些操作,减轻了二级任务系统微控制器。 WSM状态可以是
通过片上的状态寄存器监视,以确定节目的进度/擦除任务。该设备的特点
用户可选择的块擦除。
的结构如下:
D
该TMS28F400ASy配置具有自动选择功能,可让用户另一种读和
编程/擦除电压。内存读取可以使用3.3 V V进行
CC
最佳电源
消费或5 V V
CC
对于器件的性能。擦除或编程的器件可实现
与5- V V
PP
,这消除了必须使用一个12 -V的源和/或在系统电压的转换器。
可替代地, 12 - V V
PP
存在系统的操作,已经有12 V电源,它提供
更快的编程和擦除时间。这种配置提供两种温度范围: 0 ℃ 70℃
和-40 ° C至85°C 。
该TMS28F400AEy配置提供了TMS28F400ASy的自动选择功能与扩展
V
CC
范围为2.7 V至3.6 V( 3 -V标称值) 。内存读取可以使用3 - V V进行
CC
为更有效地
功耗比' ASY设备。
该TMS28F400AMy配置提供阅读12 -V编程和擦除一个3 -V或5 V内存。这
结构是用于低3.3V的读取和快速编程提供了与12 -VV
PP
和5 -V的
V
CC
。这种配置提供两种温度范围: 0 ° C至70° C和 - 40 ° C至85°C 。
该TMS28F400AFy配置提供阅读5 V或12 V编程和擦除一个5 -V的内存。这
配置适用于采用5 V单电源供电系统。这种配置提供三种
温度范围: 0 ° C至70 ° C, - 40 ° C至85° C和 - 40 ° C至125°C 。
该TMS28F400AZy配置提供阅读12 -V程序中的5 -V的内存和擦除速度快
编程和擦除时间。这种配置提供三种温度范围: 0 ° C至70° C,
- 40 ° C至85° C和 - 40 ° C至125°C 。
D
D
D
D
在设备名称中的y表示的顶部或B的底部启动块配置一吨。
在TMS28F400Axy的所有配置均提供44引脚塑料小外形封装( PSOP )和
48引脚薄型小尺寸封装( TSOP ) 。该TMS28F004Axy是唯一一个40针TSOP提供。无论是40针
和48引脚TSOP供0° C至70 ° C和 - 40 ° C至85° C的温度范围内只。
4
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TMS28F004Axy , TMS28F400Axy
524288 ×8位/ 262144 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS829A - 1996年1月 - 修订1997年8月
装置符号命名
TMS28F400AS
T
60
C
DBJ
L
温度范围代号
L =
0 ° C至70℃
E = - 40 ° C至85°C
Q = - 40 ° C至125°C
编程/擦除次数
C = 100 000次
B = 10 000次
引导块位置指示器
T =热门地点
B =底部位置
封装标识
DBJ = 44引脚PSOP
DCD = 40引脚TSOP
DCD = 48引脚TSOP
速度代号
60 = 60纳秒
70 = 70纳秒
80 = 80 ns的
90 = 90纳秒
S
E
M
F
Z
= (3.3 V
±
0.3 V或5 V
±
10%) VCC和( 5伏
±
10%或12伏
±
5%) VPP
= ( 2.7 V至3.6 V或5 V
±
10%) VCC和( 5伏
±
10%或12伏
±
5%) VPP
= (3.3 V
±
0.3 V或5 V
±
10%) VCC和( 12伏
±
5%) VPP
= 5 V
±
10%的VCC和( 5伏
±
10%或12伏
±
5%) VPP
= 5 V
±
10 % VCC和12V
±
5 % VPP
CON组fi guration
400 = 256K 16位或512K的8位
004 = 512K 8位
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    -
    -
    -
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    电话:18922805453
    联系人:连
    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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