TMS27C512 65536 ×8位紫外线擦除
TMS27PC512 65536 ×8位
可编程只读存储器
SMLS512G - 1985年11月 - 修订1997年9月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织。 。 。 65 536 8位
采用5 V单电源供电
引脚兼容现有的512K MOS
ROM， PROM中，与EPROM的
所有输入/输出完全兼容TTL
最大接入/最小周期时间
V
CC
±
10%
’27C/PC512-10
100纳秒
’27C/PC512-12
120纳秒
’27C/PC512-15
150纳秒
’27C/PC512-20
200纳秒
’27C/PC512-25
250纳秒
省电的CMOS技术
非常高速的SNAP ！脉冲
程序设计
3态输出缓冲器
400 mV的最小DC抗噪性
标准TTL负载
250毫安的所有输入闭锁免疫
输出线
低功耗（V
CC
= 5.25 V )
- 主动。 。 。 158 mW的最坏情况
- 待机。 。 。 1.4毫瓦最坏情况
（ CMOS输入电平）
温度范围选项
512K EPROM可提供符合MIL -STD- 883C
B级的高可靠性处理
(SMJ27C512)
套餐
（顶视图）
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
G / V
PP
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
FM包装
（顶视图）
描述
该TMS27C512系列65 536 ×8位
（ 524 288位） ，紫外（ UV）光可擦除，
电可编程只读存储器
（ EPROM中） 。
该TMS27PC512系列65 536 ×8位
（ 524 288位） ，一次性可编程（ OTP ）
电可编程只读存储器
（ PROM中） 。
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ0
A7
A12
A15
NU
VCC
A14
A13
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17 18 19 20
3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
G / V
PP
A10
E
DQ7
DQ6
PIN NOMENCLATURE
A0 – A15
E
DQ0 - DQ7
G / VPP
GND
NC
NU
VCC
地址输入
芯片使能/关机
输入（编程） /输出
13 -V编程电源
地
无内部连接
不作任何外部连接
5 V电源
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1997年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ1
DQ2
GND
NU
DQ3
DQ4
DQ5
1
TMS27C512 65536 ×8位紫外线擦除
TMS27PC512 65536 ×8位
可编程只读存储器
SMLS512G - 1985年11月 - 修订1997年9月
描述（续）
这些设备所使用的省电CMOS技术为高速且简单的界面捏造
MOS和双极性电路。所有的投入（包括程序数据输入）可以通过74系列TTL电路驱动
无需使用外部上拉电阻。每个输出可以驱动一个74系列TTL电路，无需外部
电阻器。
的数据输出是三态，用于连接多个设备到一个共同的总线上。该TMS27C512和
TMS27PC512的引脚与28引脚512K MOS ROM， PROM中，与EPROM的兼容。
该TMS27C512 EPROM是提供在一个双列直插式陶瓷封装（J后缀）在设计用于插
安装孔排在15.2毫米（ 600密耳）中心。该TMS27PC512 OTP PROM是在一个32引脚提供
采用1.25毫米（ 50密耳）引线间距（ FM后缀）塑料有引线芯片载体封装。
该TMS27C512和TMS27PC512提供两种选择的0 ℃的温度范围内，以70℃（ JL和
FML后缀）和 - 40 ° C至85°C （ JE和FME后缀） 。见表1 。
所有封装形式符合JEDEC标准。
表1.温度范围后缀
EPROM
和
OTP PROM
TMS27C512-xxx
TMS27PC512-xxx
后缀操作
自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
JL
FML
- 40 ° C至85°C
JE
FME
这些的EPROM和OTP PROM中从单一5V电源（在读模式）操作，因此非常适合使用
在基于微处理器的系统。另外一个13 - V电源需要进行编程。所有的编程信号
是TTL电平。对器件进行编程使用SNAP ！脉冲编程算法。在SNAP ！脉冲
规划算法采用的是V
PP
13 V和V
CC
将6.5V为七秒的标称编程时间。
到体系外的编程中，现有的EPROM编程器都可以使用。位置可以是
单独地编程，以块或随机的。
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS27C512 65536 ×8位紫外线擦除
TMS27PC512 65536 ×8位
可编程只读存储器
SMLS512G - 1985年11月 - 修订1997年9月
手术
操作的七种模式列于表2中读出模式，需要一个单一的5V电源。所有的输入都是
除了V TTL电平
PP
在编程时（ 13 V的SNAP ！脉冲）和12 V的A9签字模式。
表2.操作模式
模式？
功能
E
G / VPP
VCC
A9
A0
DQ0 - DQ7
X可以为VIL或VIH 。
VH = 12 V
±
0.5 V.
读
VIL
VIL
VCC
X
X
数据输出
产量
关闭
VIL
VIH
VCC
X
X
高阻
待机
VIH
X
VCC
X
X
高阻
程序设计
VIL
VPP
VCC
X
X
DATA IN
VERIFY
VIL
VIL
VCC
X
X
数据输出
节目
抑制
VIH
VPP
VCC
X
X
高阻
VH ？
VIL
CODE
MFG
97
设备
85
签名
模式
VIL
VIL
VCC
VH ？
VIH
读/输出禁止
当两种或更多种TMS27C512s或TMS27PC512s的输出并联连接在同一总线上，
在电路中的任何特定设备的输出可以从竞争的输出中读取与无干扰
的其它设备。读取单个装置的输出端，一个低电平信号被施加到E和G / V
PP
销。
在电路中的所有其他设备应禁用通过施加高电平信号的输出，以这些中的一个
销。输出数据通过DQ7访问的管脚DQ0 。
闭锁抗扰度
在TMS27C512和TMS27PC512闭锁抗扰度是所有输入和输出至少250毫安。
此功能提供闭锁免疫力超出了任何潜在的瞬变电脑板级时设备
接口是业界标准的TTL或MOS逻辑器件。输入输出的布局方式控制闭锁
而不会影响性能或包装密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可以减少为30 mA至500
A
（TTL电平输入）或250
A
（ CMOS电平
输入），通过施加高TTL / CMOS信号到E销。在这种模式下的所有输出处于高阻抗
状态。
擦除（ TMS27C512 ）
在编程之前，所述TMS27C512 EPROM是通过在透明盖露出芯片擦除
到高强度的紫外光（波长2537埃） 。 EPROM擦除之前编程
必要的，以确保所有的位是在逻辑高状态。逻辑低点被编程到所希望的位置。
编程的逻辑低电平只能通过紫外线擦除。建议的最低照射剂量
（紫外线强度
×
曝光时间）是15 Ws /厘米
2
。一个典型的12毫瓦/平方厘米
2
，滤波紫外线灯擦除设备
21分钟。该灯应放置约2.5cm擦除在芯片上方。但是应当注意的是
正常的环境光中包含了正确的波长擦除。因此，在使用TMS27C512时，该
窗口应覆盖不透明的标签。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
TMS27C512 65536 ×8位紫外线擦除
TMS27PC512 65536 ×8位
可编程只读存储器
SMLS512G - 1985年11月 - 修订1997年9月
初始化（ TMS27PC512 ）
一次性可编程TMS27PC512 PROM具备了逻辑高电平状态的所有位，那么逻辑低点
被编程到所希望的位置。编程到一个PROM的逻辑低点不能被擦除。
SNAP ！脉冲编程
512K的EPROM和OTP PROM使用TI SNAP编程的！脉冲编程算法
由图1中的流程图，其中在七秒的标称时间的程序所示。实际编程
时间变化所使用的程序装置的功能。
在SNAP ！脉冲编程算法使用100微秒（ μs）内，接着一个字节的初始脉冲
验证，以确定何时寻址的字节已被成功编程。多达10 （ 10 ）100- μs的
提供每字节脉冲之前失败是公认的。
编程模式实现了与G / V
PP
= 13 V, V
CC
= 6.5 V ，和E = V
IL
。数据被呈现在平行
（ 8位）引脚DQ0到DQ7 。一旦地址和数据是稳定的，E是脉冲的。
多个设备可以与该设备连接在并行编程。位置可以是
以任意顺序进行编程。当SNAP ！脉冲编程程序完成后，所有的位与验证
V
CC
= 5 V ，G / V
PP
= V
白细胞介素，
和E = V
IL
.
禁止程序
编程可以通过保持在E引脚高电平输入被禁止。
程序校验
位编程可以验证当G / V
PP
和E = V
IL
.
签名模式
签名方式提供访问二进制代码，用于识别生产商和类型。此模式是
当A9被迫12 V.两个标志字节激活是通过切换A0访问。必须所有其他地址
保持低电平。对这些设备的签名代码是9785. A0选择的制造商代码97 （十六进制） ，并
A0高选择设备代码85 ，如表3所示。
表3.签名模式
标识符
制造商代码
器件代码
引脚
A0
VIL
VIH
DQ7
1
1
DQ6
0
0
DQ5
0
0
DQ4
1
0
DQ3
0
0
DQ2
1
1
DQ1
1
0
DQ0
1
1
（十六进制）
97
85
E = G = VIL ， A9 = VH ， A1 - A8 = VIL ， A10 - A15 = VIL ， PGM = VIH或VIL 。
4
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS27C512 65536 ×8位紫外线擦除
TMS27PC512 65536 ×8位
可编程只读存储器
SMLS512G - 1985年11月 - 修订1997年9月
开始
ADDRESS =第一个位置
VCC = 6.5 V
±
0.25 V， G / VPP = 13 V
±
0.25 V
方案一脉冲= TW = 100
s
增量地址
节目
模式
LAST
地址
?
是的
No
ADDRESS =第一个位置
X=0
方案一脉冲= TW = 100
s
No
增量
地址
VERIFY
一个字节
失败
X=X+1
X = 10?
互动
模式
通
No
LAST
地址
?
是的
是的
设备失败
VCC = 5 V
±
0.5 V ， G / VPP = VIL
比较
所有字节
原
数据
通
设备传递
失败
最终科幻
验证
图1. SNAP ！脉冲编程流程图
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
5
QQ：800888908 复制
