TMS27C256 32768 ×8位紫外线擦除
TMS27PC256 32768 ×8位
可编程只读存储器
SMLS256H- 1984年9月 - 修订1997年11月
D
组织。 。 。 32 768由8位
D
采用5 V单电源供电
D
引脚兼容现有的256K MOS
D
D
ROM， PROM中，与EPROM的
所有输入/输出完全兼容TTL
最大接入/最小周期时间
V
CC
±
10%
' 27C / PC256-10
100纳秒
' 27C / PC256-12
120纳秒
' 27C / PC256-15
150纳秒
' 27C / PC256-17
170纳秒
' 27C / PC256-20
200纳秒
' 27C / PC256-25
250纳秒
省电的CMOS技术
非常高速的SNAP ！脉冲
程序设计
3态输出缓冲器
400 mV的最小DC抗噪性
标准TTL负载
250毫安的所有输入闭锁免疫
输出线
低功耗（V
CC
= 5.5 V )
- 主动。 。 。 165 mW的最坏情况
- 待机。 。 。 1.4毫瓦最坏情况
（ CMOS输入电平）
温度范围选项
256K EPROM可提供符合MIL -STD- 883C
B级的高可靠性处理
(SMJ27C256)
套餐
（顶视图）
D
D
D
D
D
D
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
FM包装
（顶视图）
A7
A12
VPP
NU
VCC
A14
A13
4
3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
D
D
描述
该TMS27C256系列是32 768 ×8位
（ 262 144位） ，紫外（ UV）光可擦除，
电可编程只读存储器
（ EPROM中） 。
该TMS27PC256系列是32 768 ×8位
（ 262 144位） ，一次性programmmable （ OTP ）
电可编程只读存储器
（ PROM中） 。
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A8
A9
A11
NC
G
A10
E
DQ7
DQ6
PIN NOMENCLATURE
A0 A14
DQ0 -DQ7
E
G
GND
NC
NU
VCC
VPP
地址输入
输入（编程） /输出
芯片使能/掉电
OUTPUT ENABLE
地
无内部连接
不作任何外部连接
5 V电源
13 -V电源
只有在编程模式
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ1
DQ2
GND
NU
DQ3
DQ4
DQ5
版权
1997年，德州仪器
1
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TMS27C256 32768 ×8位紫外线擦除
TMS27PC256 32768 ×8位
可编程只读存储器
描述（续）
这些设备所使用的省电CMOS技术为高速且简单的界面捏造
MOS和双极性电路。所有的投入（包括程序数据输入）可以通过74系列TTL电路驱动
无需使用外部上拉电阻器。每个输出可以驱动一个74系列TTL电路，无需外部
电阻器。
的数据输出是三态，用于连接多个设备到一个共同的总线上。该TMS27C256和
TMS27PC256的引脚与28引脚256K MOS ROM， PROM中，与EPROM的兼容。
该TMS27C256 EPROM是提供在一个双列直插式陶瓷封装（J后缀）在设计用于插
安装孔排在15.2毫米（ 600密耳）中心。该TMS27PC256 OTP PROM是在一个32引脚提供
采用1.25毫米（ 50密耳）引线间距（ FM后缀）塑料有引线芯片载体封装。
该TMS27C256和TMS27PC256提供两种选择的0 ℃的温度范围内，以70℃（ JL和
FML后缀）和 - 40 ° C至85°C （ JE和FME后缀） 。见表1 。
所有封装形式符合JEDEC标准。
表1.温度范围后缀
EPROM
和
OTP PROM
TMS27C512-xxx
TMS27PC512-xxx
后缀操作
自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
JL
FML
- 40 ° C至85°C
JE
FME
这些的EPROM和OTP PROM中从单一5V电源（在读模式）操作，因此非常适合使用
在基于微处理器的系统。另外一个13 - V电源需要进行编程。所有的编程信号
是TTL电平。这些器件是可编程的SNAP ！脉冲编程算法。在SNAP ！脉冲
规划算法采用的是V
PP
13 V和V
CC
将6.5V为4秒的标称编程时间。
到体系外的编程中，现有的EPROM编程器都可以使用。位置可以是
单独地编程，以块或随机的。
2
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可编程只读存储器
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手术
操作的七种模式列于表2中读出模式，需要一个单一的5V电源。所有的输入都是
除了V TTL电平
PP
在编程时（ 13 V的SNAP ！脉冲） ，以及12 V A9上的签名模式。
表2.操作模式
模式
功能
E
G
VPP
VCC
A9
A0
读
VIL
VIL
VCC
VCC
X
X
产量
关闭
VIL
VIH
VCC
VCC
X
X
待机
VIH
X
VCC
VCC
X
X
程序设计
VIL
VIH
VPP
VCC
X
X
VERIFY
VIH
VIL
VPP
VCC
X
X
节目
抑制
VIH
X
VPP
VCC
X
X
VH ？
VIL
CODE
DQ0 -DQ7
X可以为VIL或VIH 。
VH = 12 V
±
0.5 V.
数据输出
高阻
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
MFG
97
设备
04
签名
模式
VIL
VIL
VCC
VCC
VH ？
VIH
读/输出禁止
当两种或更多种TMS27C256s或TMS27PC256s的输出并联连接在同一总线上，
在电路中的任何特定设备的输出可以从竞争的输出中读取与无干扰
的其它设备。读取单个装置的输出端，一个低电平信号被施加到E和G管脚。所有
电路中的其它器件应该禁止通过施加高电平信号的输出，以这些中的一个
销。输出数据通过DQ7访问的管脚DQ0 。
闭锁抗扰度
在TMS27C256和TMS27PC256闭锁抗扰度是所有输入和输出至少250毫安。
此功能提供闭锁免疫力超出了任何潜在的瞬变电脑板级时设备
接口是业界标准的TTL或MOS逻辑器件。输入输出的布局方式控制闭锁
而不会影响性能或包装密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可以减少为30 mA至500
A
（TTL电平输入）或250
A
（ CMOS电平
输入），通过施加高TTL或CMOS信号到E销。在这种模式下的所有输出处于高阻抗
状态。
擦除（ TMS27C256 ）
在编程之前，所述TMS27C256 EPROM是通过在透明盖露出芯片擦除
到高强度的紫外光（波长2537埃） 。在编程前的EPROM擦除要
确保所有位在逻辑高电平状态。逻辑低点被编程到所希望的位置。一
编程的逻辑低，只能被紫外光擦除。建议的最低曝光量（UV
强度
×
曝光时间）是15 Ws /厘米
2
。一个典型的12毫瓦/平方厘米
2
，滤波紫外线灯擦除设备21
分钟。该灯应放置约2.5cm擦除在芯片上方。但是应当注意的是，正常
环境光包含正确的波长擦除。因此，在使用TMS27C256时，窗口
应覆盖不透明的标签。
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可编程只读存储器
初始化（ TMS27PC256 ）
一次性可编程TMS27PC256 PROM具备了逻辑高电平状态的所有位，那么逻辑低点
被编程到所希望的位置。编程到OTP的PROM的逻辑低点不能被擦除。
SNAP ！脉冲编程
在256K EPROM和OTP PROM使用TI SNAP编程的！脉冲编程算法
由图1中的流程图，其中在4秒的标称时间的程序所示。实际编程
时间变化所使用的程序装置的功能。
数据被呈现在并行（8位）上的引脚DQ0到DQ7的。一旦地址和数据是稳定的，E是脉冲的。
在SNAP ！脉冲编程算法使用100微秒（ μs）内，接着一个字节的初始脉冲
验证，以确定何时寻址的字节已被成功编程。多达10 （ 10 ）100- μs的
提供每字节脉冲之前失败是公认的。
编程模式，实现当V
PP
= 13 V, V
CC
= 6.5 V ，G = V
IH
和E = V
IL
。一个以上的设备
当器件被并联连接可以被编程。位置可以按照任何顺序进行编程。
当SNAP ！脉冲编程程序完成后，所有的位与V验证
CC
= V
PP
= 5 V.
禁止程序
编程可以通过保持在E引脚高电平输入被禁止。
程序校验
编程位可以用V验证
PP
= 13 V时， G = V
IL
和E = V
IH
.
签名模式
签名方式提供访问二进制代码，用于识别生产商和类型。此模式是
当A9被迫12 V.两个标志字节激活是通过切换A0访问。必须所有其他地址
保持低电平。对于这些装置的签名代码是9704. A0选择的制造商代码97 （十六进制） ，并
A0高选择设备代码04 ，如表3所示。
表3.签名模式
标识符
制造商代码
器件代码
引脚
A0
VIL
VIH
DQ7
1
0
DQ6
0
0
DQ5
0
0
DQ4
1
0
DQ3
0
0
DQ2
1
1
DQ1
1
0
DQ0
1
0
（十六进制）
97
04
E = G = VIL ， A9 = VH ， A1 A8 = VIL ， A10 -A15 = VIL ， VPP = VCC ， PGM = VIH或VIL 。
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开始
ADDRESS =第一个位置
VCC = 6.5 V ， VPP = 13 V
方案一脉冲= TW = 100
s
增量地址
节目
模式
LAST
地址？
No
是的
ADDRESS =第一个位置
X=0
方案一脉冲= TW = 100
s
No
增量
地址
VERIFY
一个字节
失败
X=X+1
X = 10?
互动
模式
通
No
LAST
地址？
是的
VCC = VPP = 5 V
±10%
是的
设备失败
比较
所有字节
原
数据
通
设备传递
失败
最终科幻
验证
图1. SNAP ！脉冲编程流程
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