TMS27C210A 65536除以16位的紫外线擦除
TMS27PC210A 65536 ×16位
可编程只读存储器
SMLS310D- 1990年11月 - 修订1997年9月
D
D
D
D
D
D
D
组织。 。 。 65 536 16位
采用5 V单电源供电
操作上兼容现有的
兆比特的EPROM
40引脚双列直插式封装和44引脚
塑料有引线芯片载体
所有输入/输出完全兼容TTL
±10%
V
CC
公差
最高访问/最小周期时间
’27C/PC210A-10
' 27C / PC210A - 12
' 27C / PC210A - 15
' 27C / PC210A - 20
' 27C / PC210A -25
100
120
150
200
250
ns
ns
ns
ns
ns
套餐
(顶视图)
VPP
E
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
GND¤
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
G
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
D
D
D
D
D
D
D
D
D
16位输出用于
基于微处理器的系统
非常高速的SNAP !脉冲
程序设计
省电的CMOS技术
3态输出缓冲器
400 mV的最小DC抗噪性
标准TTL负载
250毫安的所有输入闭锁免疫
输出引脚
无需上拉电阻
低功耗
- 主动。 。 。 275 mW的最坏情况
- 待机。 。 。 0.55毫瓦最坏情况
( CMOS输入电平)
温度范围选项
PIN NOMENCLATURE
VCC
PGM
NC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
GND¤
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
FN包装
(顶视图)
DQ13
DQ14
DQ15
E
VPP
NC
VCC
6 5
4
3
2 1 44 43 42 41 40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
PGM
NC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
GND¤
NC
A8
A7
A6
A5
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
GND¤
NC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
A0 – A15
DQ0 DQ15
E
G
GND
NC
PGM
VCC
VPP
地址输入
输入(编程) /输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
地
无内部连接
节目
5 V电源
13 -V电源
引脚11和30 (J封装)和12引脚和34 ( FN
包),必须从外部连接到地。
只有在编程模式
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1997年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱1443
休斯敦,得克萨斯州77251-1443
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
G
NC
A0
A1
A2
A3
A4
1
TMS27C210A 65536除以16位的紫外线擦除
TMS27PC210A 65536 ×16位
可编程只读存储器
SMLS310D- 1990年11月 - 修订1997年9月
描述
该TMS27C210A系列65 536 ×16位( 1 048 576位) ,紫外光擦除,电
可编程只读存储器(EPROM ) 。
该TMS27PC210A系列65 536 ×16位( 1 048 576位) ,一次性可编程( OTP )电
可编程只读存储器( PROM中) 。
这些设备所使用的省电CMOS技术为高速且简单的界面捏造
MOS和双极性电路。所有的投入(包括程序数据输入)可以通过74系列TTL电路驱动
无需使用外部上拉电阻。每个输出可以驱动一个74系列TTL电路,无需外部
电阻器。
该TMS27C210A EPROM是提供在一个双列直插式陶瓷封装(J后缀)在设计用于插
安装孔排在15.2毫米( 600密耳)中心。该TMS27C210A提供有两种选择
温度范围, 0 ° C至70 ° C( JL后缀)和 - 40 ° C至85°C ( JE后缀) 。见表1 。
该TMS27PC210A OTP PROM提供使用1.25毫米44引脚塑料有引线芯片载体封装
( 50密耳)引线间距( FN后缀) 。该TMS27PC210A提供两种选择的温度范围内,
0 ° C至70 ° C(民解后缀)和-40°C至85°C ( FNE后缀) 。见表1 。
表1.温度范围后缀
EPROM
和
OTP PROM
TMS27C210A-xx
TMS27PC210A-xx
后缀操作
自由空气的温度
范围
0 ° C至70℃
JL
民族解放力量
- 40 ° C至85°C
JE
FNE
这些的EPROM和OTP PROM中从5 V单电源供电(在读模式) ,它们是理想选择
在微处理器为基础的系统。一个其它(13 V)的电源,需要进行编程。所有的编程信号
是TTL电平。到体系外的编程中,现有的EPROM编程器都可以使用。
手术
在7种工作模式的TMS27C210A和TMS27PC210A列于表2中。读出模式
需要一个5V电源。所有的输入是TTL电平,除了V
PP
关于编程(13 V)和12伏时
A9签字模式。
2
邮政信箱1443
休斯敦,得克萨斯州77251-1443
TMS27C210A 65536除以16位的紫外线擦除
TMS27PC210A 65536 ×16位
可编程只读存储器
SMLS310D- 1990年11月 - 修订1997年9月
表2.操作模式
模式?
功能
E
G
PGM
VPP
VCC
A9
A0
读
VIL
VIL
X
VCC
VCC
X
X
产量
关闭
VIL
VIH
X
VCC
VCC
X
X
待机
VIH
X
X
VCC
VCC
X
X
程序设计
VIL
VIH
VIL
VPP
VCC
X
X
VERIFY
VIL
VIL
VIH
VPP
VCC
X
X
节目
抑制
VIH
X
X
VPP
VCC
X
X
VH ?
VIL
CODE
DQ0 DQ15
数据输出
高阻
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
MFG
97
X可以为VIL或VIH 。
VH = 12 V
±
0.5 V.
设备
AB
签名模式
VIL
VIL
X
VCC
VCC
VH ?
VIH
读/输出禁止
当两种或更多种TMS27C210As或TMS27PC210As的输出并联连接在同一总线上,
在电路中的任何特定设备的输出可以从竞争的输出中读取与无干扰
其他设备。读取单个装置的输出端,一个低电平信号被施加到E和G管脚。所有其他
在该电路装置必须禁用通过施加高电平信号给其中一个引脚它们的输出。
闭锁抗扰度
在TMS27C210A和TMS27PC210A闭锁抗扰度是所有输入和输出至少250毫安。
此功能提供闭锁免疫力超出了任何潜在的瞬变电脑板级时, EPROM
接口采用行业标准的TTL或MOS逻辑器件。输入/输出布局的方法控制闭锁
而不会影响性能或包装密度。
欲了解更多信息,请参阅申请报告SMLA001 , “设计
注意事项;的闭锁免疫
HVCMOS EPROM家庭“ ,
可通过TI销售办事处。
掉电
我主动
CC
电源电流可以减少为50 mA至500
A
通过E和以应用高TTL输入
100
A
通过施加高的CMOS输入上E.在这种模式下所有的输出均处于高阻抗状态。
擦除( TMS27C210A )
在编程之前,所述TMS27C210A是通过在透明盖露出芯片以高擦除
强度紫外线(波长2537埃) 。建议的最低照射剂量(紫外线强度
×
曝光时间)是15 Ws /厘米
2
。一个典型的12毫瓦/平方厘米
2
,滤波紫外线灯擦除设备中的21分钟。该
灯应位于约2.5cm擦除在芯片上方。擦除之后,所有的位都处于高状态。
正常的环境光中包含了正确的波长擦除;因此,使用TMS27C210A当
窗口应覆盖不透明的标签。
初始化( TMS27PC210A )
该OTP TMS27PC210A PROM具备了逻辑高电平状态的所有位,然后逻辑低点编程
到所需的位置。编程到OTP的PROM的逻辑低点不能被擦除。
邮政信箱1443
休斯敦,得克萨斯州77251-1443
3
TMS27C210A 65536除以16位的紫外线擦除
TMS27PC210A 65536 ×16位
可编程只读存储器
SMLS310D- 1990年11月 - 修订1997年9月
SNAP !脉冲编程
该TMS27C210A和TMS27PC210A使用的是TI SNAP编程!脉冲编程算法
(所示的流程图如图1所示) ,它可以在七秒的标称时间编程。实际
编程时间变化所使用的程序装置的功能。
在SNAP !脉冲编程算法使用100微秒( μs)内的初始脉冲后跟一个字节
验证,以确定何时寻址的字节已被成功编程。多达10 ( 10 )100- μs的
提供每字节脉冲之前失败是公认的。
编程模式,实现当V
PP
= 13 V, V
CC
= 6.5 V,E = V
IL
,G = V
IH
。数据被呈现在平行
( 16位)引脚DQ0通过DQ15 。一旦地址和数据是稳定的,铂族金属是脉冲的低电平。
多个设备可以与该设备连接在并行编程。位置可以是
以任意顺序进行编程。当SNAP !脉冲编程程序完成后,所有的位与验证
V
CC
= V
PP
= 5 V
±
10%.
禁止程序
编程可以通过保持在E或PGM引脚输入高电平受到抑制。
程序校验
编程位可以用V验证
PP
= 13 V时, G = V
IL
,E = V
IL
和PGM = V
IH 。
签名模式
签名方式提供访问二进制代码,用于识别生产商和类型。此模式是
当A9被迫12 V.两个标志字节激活是通过切换A0访问。 DQ0 - DQ7包含
有效的代码。所有其他地址必须保持低电平。这些设备的签名代码97AB 。 A0选择低
制造商的代码97 (十六进制) ,和A0高选择设备代码B(十六进制) ,如表3所示。
表3.签名模式
标识符
制造商代码
器件代码
引脚
A0
VIL
VIH
DQ7
1
1
DQ6
0
0
DQ5
0
1
DQ4
1
0
DQ3
0
1
DQ2
1
0
DQ1
1
1
DQ0
1
1
(十六进制)
97
AB
E = G = VIL , A9 = VH , A1 - A8 = VIL , A10 - A15 = VIL , VPP = VCC , PGM = VIH或VIL 。
4
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TMS27C210A 65536除以16位的紫外线擦除
TMS27PC210A 65536 ×16位
可编程只读存储器
SMLS310D- 1990年11月 - 修订1997年9月
开始
ADDRESS =第一个位置
VCC = 6.5 V
±
0.25 V, VPP = 13 V
±
0.25 V
方案一脉冲= TW = 100
s
增量地址
节目
模式
LAST
地址?
No
是的
ADDRESS =第一个位置
X=0
方案一脉冲= TW = 100
s
No
增量
地址
VERIFY
一个字节
失败
X=X+1
X = 10?
互动
模式
通
No
LAST
地址?
是的
VCC = VPP = 5 V
±
0.5 V
是的
设备失败
比较
所有字节
原
数据
通
设备传递
失败
最终科幻
验证
图1. SNAP !脉冲编程流程
邮政信箱1443
休斯敦,得克萨斯州77251-1443
5
TMS27C210A 65536除以16位的紫外线擦除
TMS27PC210A 65536 ×16位
可编程只读存储器
SMLS310D- 1990年11月 - 修订1997年9月
D
D
D
D
D
D
D
组织。 。 。 65 536 16位
采用5 V单电源供电
操作上兼容现有的
兆比特的EPROM
40引脚双列直插式封装和44引脚
塑料有引线芯片载体
所有输入/输出完全兼容TTL
±10%
V
CC
公差
最高访问/最小周期时间
’27C/PC210A-10
' 27C / PC210A - 12
' 27C / PC210A - 15
' 27C / PC210A - 20
' 27C / PC210A -25
100
120
150
200
250
ns
ns
ns
ns
ns
套餐
(顶视图)
VPP
E
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
GND¤
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
G
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
D
D
D
D
D
D
D
D
D
16位输出用于
基于微处理器的系统
非常高速的SNAP !脉冲
程序设计
省电的CMOS技术
3态输出缓冲器
400 mV的最小DC抗噪性
标准TTL负载
250毫安的所有输入闭锁免疫
输出引脚
无需上拉电阻
低功耗
- 主动。 。 。 275 mW的最坏情况
- 待机。 。 。 0.55毫瓦最坏情况
( CMOS输入电平)
温度范围选项
PIN NOMENCLATURE
VCC
PGM
NC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
GND¤
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
FN包装
(顶视图)
DQ13
DQ14
DQ15
E
VPP
NC
VCC
6 5
4
3
2 1 44 43 42 41 40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
PGM
NC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
GND¤
NC
A8
A7
A6
A5
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
GND¤
NC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
A0 – A15
DQ0 DQ15
E
G
GND
NC
PGM
VCC
VPP
地址输入
输入(编程) /输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
地
无内部连接
节目
5 V电源
13 -V电源
引脚11和30 (J封装)和12引脚和34 ( FN
包),必须从外部连接到地。
只有在编程模式
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1997年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
G
NC
A0
A1
A2
A3
A4
1
TMS27C210A 65536除以16位的紫外线擦除
TMS27PC210A 65536 ×16位
可编程只读存储器
SMLS310D- 1990年11月 - 修订1997年9月
描述
该TMS27C210A系列65 536 ×16位( 1 048 576位) ,紫外光擦除,电
可编程只读存储器(EPROM ) 。
该TMS27PC210A系列65 536 ×16位( 1 048 576位) ,一次性可编程( OTP )电
可编程只读存储器( PROM中) 。
这些设备所使用的省电CMOS技术为高速且简单的界面捏造
MOS和双极性电路。所有的投入(包括程序数据输入)可以通过74系列TTL电路驱动
无需使用外部上拉电阻。每个输出可以驱动一个74系列TTL电路,无需外部
电阻器。
该TMS27C210A EPROM是提供在一个双列直插式陶瓷封装(J后缀)在设计用于插
安装孔排在15.2毫米( 600密耳)中心。该TMS27C210A提供有两种选择
温度范围, 0 ° C至70 ° C( JL后缀)和 - 40 ° C至85°C ( JE后缀) 。见表1 。
该TMS27PC210A OTP PROM提供使用1.25毫米44引脚塑料有引线芯片载体封装
( 50密耳)引线间距( FN后缀) 。该TMS27PC210A提供两种选择的温度范围内,
0 ° C至70 ° C(民解后缀)和-40°C至85°C ( FNE后缀) 。见表1 。
表1.温度范围后缀
EPROM
和
OTP PROM
TMS27C210A-xx
TMS27PC210A-xx
后缀操作
自由空气的温度
范围
0 ° C至70℃
JL
民族解放力量
- 40 ° C至85°C
JE
FNE
这些的EPROM和OTP PROM中从5 V单电源供电(在读模式) ,它们是理想选择
在微处理器为基础的系统。一个其它(13 V)的电源,需要进行编程。所有的编程信号
是TTL电平。到体系外的编程中,现有的EPROM编程器都可以使用。
手术
在7种工作模式的TMS27C210A和TMS27PC210A列于表2中。读出模式
需要一个5V电源。所有的输入是TTL电平,除了V
PP
关于编程(13 V)和12伏时
A9签字模式。
2
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休斯敦,得克萨斯州77251-1443
TMS27C210A 65536除以16位的紫外线擦除
TMS27PC210A 65536 ×16位
可编程只读存储器
SMLS310D- 1990年11月 - 修订1997年9月
表2.操作模式
模式?
功能
E
G
PGM
VPP
VCC
A9
A0
读
VIL
VIL
X
VCC
VCC
X
X
产量
关闭
VIL
VIH
X
VCC
VCC
X
X
待机
VIH
X
X
VCC
VCC
X
X
程序设计
VIL
VIH
VIL
VPP
VCC
X
X
VERIFY
VIL
VIL
VIH
VPP
VCC
X
X
节目
抑制
VIH
X
X
VPP
VCC
X
X
VH ?
VIL
CODE
DQ0 DQ15
数据输出
高阻
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
MFG
97
X可以为VIL或VIH 。
VH = 12 V
±
0.5 V.
设备
AB
签名模式
VIL
VIL
X
VCC
VCC
VH ?
VIH
读/输出禁止
当两种或更多种TMS27C210As或TMS27PC210As的输出并联连接在同一总线上,
在电路中的任何特定设备的输出可以从竞争的输出中读取与无干扰
其他设备。读取单个装置的输出端,一个低电平信号被施加到E和G管脚。所有其他
在该电路装置必须禁用通过施加高电平信号给其中一个引脚它们的输出。
闭锁抗扰度
在TMS27C210A和TMS27PC210A闭锁抗扰度是所有输入和输出至少250毫安。
此功能提供闭锁免疫力超出了任何潜在的瞬变电脑板级时, EPROM
接口采用行业标准的TTL或MOS逻辑器件。输入/输出布局的方法控制闭锁
而不会影响性能或包装密度。
欲了解更多信息,请参阅申请报告SMLA001 , “设计
注意事项;的闭锁免疫
HVCMOS EPROM家庭“ ,
可通过TI销售办事处。
掉电
我主动
CC
电源电流可以减少为50 mA至500
A
通过E和以应用高TTL输入
100
A
通过施加高的CMOS输入上E.在这种模式下所有的输出均处于高阻抗状态。
擦除( TMS27C210A )
在编程之前,所述TMS27C210A是通过在透明盖露出芯片以高擦除
强度紫外线(波长2537埃) 。建议的最低照射剂量(紫外线强度
×
曝光时间)是15 Ws /厘米
2
。一个典型的12毫瓦/平方厘米
2
,滤波紫外线灯擦除设备中的21分钟。该
灯应位于约2.5cm擦除在芯片上方。擦除之后,所有的位都处于高状态。
正常的环境光中包含了正确的波长擦除;因此,使用TMS27C210A当
窗口应覆盖不透明的标签。
初始化( TMS27PC210A )
该OTP TMS27PC210A PROM具备了逻辑高电平状态的所有位,然后逻辑低点编程
到所需的位置。编程到OTP的PROM的逻辑低点不能被擦除。
邮政信箱1443
休斯敦,得克萨斯州77251-1443
3
TMS27C210A 65536除以16位的紫外线擦除
TMS27PC210A 65536 ×16位
可编程只读存储器
SMLS310D- 1990年11月 - 修订1997年9月
SNAP !脉冲编程
该TMS27C210A和TMS27PC210A使用的是TI SNAP编程!脉冲编程算法
(所示的流程图如图1所示) ,它可以在七秒的标称时间编程。实际
编程时间变化所使用的程序装置的功能。
在SNAP !脉冲编程算法使用100微秒( μs)内的初始脉冲后跟一个字节
验证,以确定何时寻址的字节已被成功编程。多达10 ( 10 )100- μs的
提供每字节脉冲之前失败是公认的。
编程模式,实现当V
PP
= 13 V, V
CC
= 6.5 V,E = V
IL
,G = V
IH
。数据被呈现在平行
( 16位)引脚DQ0通过DQ15 。一旦地址和数据是稳定的,铂族金属是脉冲的低电平。
多个设备可以与该设备连接在并行编程。位置可以是
以任意顺序进行编程。当SNAP !脉冲编程程序完成后,所有的位与验证
V
CC
= V
PP
= 5 V
±
10%.
禁止程序
编程可以通过保持在E或PGM引脚输入高电平受到抑制。
程序校验
编程位可以用V验证
PP
= 13 V时, G = V
IL
,E = V
IL
和PGM = V
IH 。
签名模式
签名方式提供访问二进制代码,用于识别生产商和类型。此模式是
当A9被迫12 V.两个标志字节激活是通过切换A0访问。 DQ0 - DQ7包含
有效的代码。所有其他地址必须保持低电平。这些设备的签名代码97AB 。 A0选择低
制造商的代码97 (十六进制) ,和A0高选择设备代码B(十六进制) ,如表3所示。
表3.签名模式
标识符
制造商代码
器件代码
引脚
A0
VIL
VIH
DQ7
1
1
DQ6
0
0
DQ5
0
1
DQ4
1
0
DQ3
0
1
DQ2
1
0
DQ1
1
1
DQ0
1
1
(十六进制)
97
AB
E = G = VIL , A9 = VH , A1 - A8 = VIL , A10 - A15 = VIL , VPP = VCC , PGM = VIH或VIL 。
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邮政信箱1443
休斯敦,得克萨斯州77251-1443
TMS27C210A 65536除以16位的紫外线擦除
TMS27PC210A 65536 ×16位
可编程只读存储器
SMLS310D- 1990年11月 - 修订1997年9月
开始
ADDRESS =第一个位置
VCC = 6.5 V
±
0.25 V, VPP = 13 V
±
0.25 V
方案一脉冲= TW = 100
s
增量地址
节目
模式
LAST
地址?
No
是的
ADDRESS =第一个位置
X=0
方案一脉冲= TW = 100
s
No
增量
地址
VERIFY
一个字节
失败
X=X+1
X = 10?
互动
模式
通
No
LAST
地址?
是的
VCC = VPP = 5 V
±
0.5 V
是的
设备失败
比较
所有字节
原
数据
通
设备传递
失败
最终科幻
验证
图1. SNAP !脉冲编程流程
邮政信箱1443
休斯敦,得克萨斯州77251-1443
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