TMS27C010A 131 072 ×8位紫外线擦除
TMS27PC010A 131 072 8位
可编程只读存储器
SMLS110C - 1990年11月 - 修订1997年9月
读/输出禁止
当两种或更多种TMS27C010As或TMS27PC010As的输出并联连接在同一总线上，
在电路中的任何特定设备的输出可以从竞争的输出中读取与无干扰
其他设备。读取单个装置的输出端，一个低电平信号被施加到E和G管脚。所有其他
在该电路装置应禁用通过施加高电平信号给其中一个引脚它们的输出。
闭锁抗扰度
在TMS27C010A和TMS27PC010A闭锁抗扰度是所有输入和输出至少250毫安。
此功能提供闭锁免疫力超出了任何潜在的瞬变电脑板级时设备
接口是行业标准的TTL或MOS逻辑器件。输入/输出布局的方法的控制
闭锁而不会影响性能或包装密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可以减少为30 mA至500
A
通过E和以应用高TTL输入
100
A
通过施加高的CMOS输入上E.在这种模式下所有的输出均处于高阻抗状态。
擦除（ TMS27C010A ）
programmig前， TMS27C010A EPROM是通过在透明盖到暴露在芯片擦除
高强度UV光（波长2537埃） 。建议的最低照射剂量（紫外线强度
×
曝光时间）是15 Ws /厘米
2
。一个典型的12毫瓦/平方厘米
2
，滤波紫外线灯擦除设备中的21分钟。该
灯应位于约2.5cm擦除在芯片上方。擦除之后，所有的位都处于高状态。
正常环境光包含正确波长为擦除，因此，使用TMS27C010A时，该
窗口必须被覆盖有一个不透明的标签。删除（在逻辑高电平状态的所有位）后，逻辑低点是
编程到所希望的位置。编程的低只能通过紫外线擦除。
初始化（ TMS27PC010A ）
在一次性可编程TMS27PC010A的PROM中的逻辑高状态提供的所有位，然后逻辑
低点被编程到所希望的位置。编程到OTP的PROM的逻辑低点不能被擦除。
SNAP ！脉冲编程
该TMS27C010A和TMS27PC010A使用的是TI SNAP编程！脉冲编程算法
由图1中的流程图中，这在13秒标称时间的程序所示。实际
编程时间变化所使用的程序装置的功能。
在SNAP ！脉冲编程算法使用100微秒（ μs）内的初始脉冲后跟一个字节
验证，以确定何时寻址的字节已被成功编程。多达10 （ 10 ）100- μs的
提供每字节脉冲之前失败是公认的。
编程模式，实现当V
PP
= 13 V, V
CC
= 6.5 V，E = V
IL
，G = V
IH
。数据被呈现在平行
（ 8位）引脚DQ0通过DQ7 。一旦地址和数据是稳定的，铂族金属是脉冲的低电平。
多个设备可以与该设备连接在并行编程。位置可以是
以任意顺序进行编程。当SNAP ！脉冲编程程序完成后，所有的位与验证
V
CC
= V
PP
= 5 V
±
10%.
禁止程序
编程可以通过保持在E或PGM引脚输入高电平受到抑制。
程序校验
编程位可以用V验证
PP
= 13 V时， G = V
IL
，E = V
IL
和PGM = V
IH
.
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