TMS27C128 131 072 - BIT UV可擦除可编程只读存储器
TMS27PC128 131 072位可编程只读存储器
SMLS128E - 1984年10月修订的1993年1月
读/输出禁止
当两种或更多种TMS27C128s或TMS27PC128s的输出并联连接在同一总线上，
在电路中的任何特定设备的输出可以从竞争的输出中读取与无干扰
的其它设备。读取单个装置的输出端，一个低电平信号被施加到E和G管脚。
在电路中的所有其他设备应禁用通过施加高电平信号的输出，以这些中的一个
销。输出数据通过DQ7访问的管脚DQ0 。
闭锁抗扰度
在TMS27C128和TMS27PC128闭锁抗扰度是所有输入和输出至少250毫安。
此功能提供闭锁免疫力超出了任何潜在的瞬变电脑板级时设备
接口是业界标准的TTL或MOS逻辑器件。输入/输出的布局方式控制闭锁
而不会影响性能或包装密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可以减少为30 mA至500
A
（TTL电平输入）或250
A
（ CMOS电平输入）
通过施加高TTL或CMOS信号到E销。在这种模式下所有的输出均处于高阻抗状态。
擦除（ TMS27C128 ）
在编程之前，所述TMS27C128 EPROM是通过在透明盖到暴露在芯片擦除
高强度的紫外光（波长2537埃） 。在编程前的EPROM擦除要
保证所有的位都处于逻辑高电平。逻辑低点被编程到所希望的位置。一
编程的逻辑低，只能被紫外光擦除。建议的最低紫外线
照射剂量（紫外线强度
×
曝光时间）是15 Ws /厘米
2
。一个典型的12毫瓦/平方厘米
2
，滤波紫外线灯
擦除设备中的21分钟。该灯应放置约2.5cm擦除在芯片上方。它
应当指出的是在正常环境光包含正确波长为擦除。因此，当
使用TMS27C128 ，窗口应覆盖有不透明的标签。
初始化（ TMS27PC128 ）
在一次性可编程PROM TMS27PC128设置有所有比特处于逻辑高电平。逻辑低点
被编程到所希望的位置。编程到一个PROM的逻辑低点不能被擦除。
SNAP ！脉冲编程
在128K EPROM和PROM使用TI SNAP编程！脉冲编程算法，图文并茂
由图1中的流程图，其中在两秒钟的标称时间的程序。实际的编程时间
有所不同，所使用的编程器的功能。
数据被呈现在并行（8位）上的引脚DQ0到DQ7的。一旦地址和数据是稳定的，铂族金属是
脉冲。
在SNAP ！脉冲编程算法使用100微秒（ μs）内，接着一个字节的初始脉冲
验证，以确定何时寻址的字节已被成功编程。多达10 （ 10 ）100- μs的
提供每字节脉冲之前失败是公认的。
编程模式，实现当V
PP
= 13 V, V
CC
= 6.5 V ，G = V
IH
和E = V
IL
。多于
一个设备可以与该设备连接在并行编程。位置可以是
以任意顺序进行编程。当SNAP ！脉冲编程程序完成，所有位被验证
随着V
CC
= V
PP
= 5 V.
禁止程序
编程可通过保持在E或PGM引脚高电平输入被禁止。
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77251–1443
