TMS27C020 262144 ×8位紫外线擦除
TMS27PC020 262144 ×8位
可编程只读存储器
SMLS020C - 1990年11月 - 修订1997年9月
读/输出禁止
当两种或更多种TMS27C020s或TMS27PC020s的输出并联连接在同一总线上，
在电路中的任何特定设备的输出可以从竞争的输出中读取与无干扰
其他设备。读取单个装置的输出端，一个低电平信号被施加到E和G管脚。所有其他
在该电路装置应禁用通过施加高电平信号给其中一个引脚它们的输出。
闭锁抗扰度
在TMS27C020和TMS72PC020闭锁抗扰度是所有输入和输出至少250毫安。
此功能提供闭锁免疫力超出了任何潜在的瞬变电脑板级时， EPROM
接口采用行业标准的TTL或MOS逻辑器件。输入/输出布局的方法控制闭锁
而不会影响性能或包装密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可以减少为30 mA至500
A
通过E和以应用高TTL输入
100
A
通过施加高的CMOS输入上E.在这种模式下所有的输出均处于高阻抗状态。
删除
在编程之前，所述TMS27C020是通过在透明盖露出芯片以高擦除
强度紫外线（波长2537埃） 。建议的最低照射剂量
（紫外线强度
×
曝光时间）是15 Ws /厘米
2
。一个典型的12毫瓦/平方厘米
2
，滤波紫外线灯擦除设备
21分钟。该灯应放置约2.5cm擦除在芯片上方。擦除之后，所有的位都
在高状态。但是应当注意的是，正常的环境光包含正确波长为擦除。
因此，在使用TMS27C020时，窗口应覆盖有不透明的标签。擦除后（全
在逻辑高状态）位，逻辑低点被编程到所希望的位置。编程的低可擦除
仅通过紫外光。
SNAP ！脉冲编程
该TMS27C020和TMS27PC020使用的是TI SNAP编程！脉冲编程算法，
由图1中的流程图中，这在26秒标称时间的程序所示。实际
编程时间变化所使用的程序装置的功能。
在SNAP ！脉冲编程算法使用100微秒（ μs）内的初始脉冲后跟一个字节
验证，以确定何时寻址的字节已被成功编程。截至10 100 μs的脉冲
每个字节提供前一个故障是公认的。
编程模式，实现当V
PP
等于13 V ，V
CC
= 6.5 V，E = V
IL
，G = V
IH
。数据被呈现
并行（ 8位）引脚通过DQ7 DQ0 。一旦地址和数据是稳定的，铂族金属是脉冲的低电平。
多个设备可以与该设备连接在并行编程。位置可以是
以任意顺序进行编程。当SNAP ！脉冲编程程序完成后，所有的位与验证
V
CC
= V
PP
= 5 V
±
10%.
禁止程序
编程可以通过保持在E或PGM引脚输入高电平受到抑制。
程序校验
编程位可以用V验证
PP
等于13 V当G = V
IL
，E = V
IL
和PGM = V
IH
.
签名模式
签名方式提供访问二进制代码，用于识别生产商和类型。此模式是
当A9 （引脚26 ）被强制为12V。两个标识符字节活化是通过切换A0访问。所有其他
地址必须保持为低电平。为TMS27C020签名代码是9732. A0低选择的制造商的
代码97 （十六进制） ，和A0高选择设备代码32 （十六进制） ，如表3所示。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
QQ：2880707522 复制
