【TMS27C010A 131 072 ×8位紫外线擦除TMS27PC010A 131 072 ×8位】,IC型号TMS27C010A,TMS27C010A PDF资料,TMS27C010A经销商,ic,电子元器件-51电子网

TMS27C010A 131 072 ×8位紫外线擦除

TMS27PC010A 131 072 ×8位

可编程只读存储器

SMLS110C - 1990年11月 - 修订1997年9月

组织。。。 131 072 8位

采用5 V单电源供电

操作上兼容现有的

兆比特的EPROM

行业标准32脚双列直插式

封装和32引脚塑封有引线芯片

支架

所有输入/输出完全兼容TTL

最高访问/最小周期时间

10%

' 27C / PC010A - 10为100 ns

' 27C / PC010A - 12 120纳秒

' 27C / PC010A - 15 150纳秒

' 27C / PC010A - 20 200纳秒

8位输出用于

基于微处理器的系统

非常高速的SNAP ！脉冲

程序设计

省电的CMOS技术

3态输出缓冲器

400 mV的最小DC抗噪性

标准TTL负载

250毫安的所有输入闭锁免疫

输出引脚

无需上拉电阻

低功耗（V

= 5.5 V)

- 主动。。。 165 mW的最坏情况

- 待机。。。 0.55毫瓦最坏情况

（ CMOS输入电平）

温度范围选项

套餐

（顶视图）

A16

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

GND

PGM

A14

A13

A11

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

FM包装

（顶视图）

3 2 1 32 31 30

DQ0

A16

VPP

VCC

PGM

A14

A13

A11

A10

DQ7

14 15 16 17 18 19 20

描述

该TMS27C010A系列131 072 ×8位

（ 1 048 576位），紫外（ UV）光可擦除，

电可编程只读存储器

（ EPROM中）。

该TMS27PC010A系列131 072 ×8位

（ 1 048 576位），一次性可编程（ OTP ）

电可编程只读存储器

（ PROM中）。

A0 – A16

DQ0 - DQ7

GND

PGM

VCC

VPP

PIN NOMENCLATURE

地址输入

输入（编程） /输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

地

无内部连接

节目

5 V电源

13 -V电源

只有在编程模式

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

版权

1997年，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

DQ1

DQ2

GND

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

A12

A15

TMS27C010A 131 072 ×8位紫外线擦除

TMS27PC010A 131 072 ×8位

可编程只读存储器

SMLS110C - 1990年11月 - 修订1997年9月

描述（续）

这些设备所使用的省电CMOS技术为高速且简单的界面捏造

MOS和双极性电路。所有的投入（包括程序数据输入）可以通过74系列TTL电路驱动

无需使用外部上拉电阻。每个输出可以驱动一个74系列TTL电路，无需外部

电阻器。

该TMS27C010A EPROM是提供在一个双列直插式陶瓷封装（J后缀）在设计用于插

安装孔排在15.2毫米（ 600密耳）中心。该TMS27C010A还提供有两种选择

温度范围， 0 ° C至70 ° C（ JL后缀）和 - 40 ° C至85°C （ JE后缀）。见表1 。

该TMS27PC010A OTP PROM提供了32针，塑料有引线芯片载体封装采用1,25毫米

（ 50密耳）引线间距（ FM后缀）。该TMS27PC010A提供两种选择的温度范围内， 0℃下

至70° C（ FML后缀）和 - 40 ° C至85°C （ FME后缀）。见表1 。

表1.温度范围后缀

EPROM

和

OTP PROM

TMS27C010A-xxx

TMS27PC010A-xxx

后缀为OPERATING FREE-

空气温度范围

0 ° C至70℃

FML

- 40 ° C至85°C

FME

这些的EPROM和OTP PROM中从单一5V电源（在读模式）操作，因此非常适合使用

在基于微处理器的系统。另外一个13 - V电源需要进行编程。所有的编程信号

是TTL电平。这些器件是可编程的使用SNAP ！脉冲编程算法。在SNAP ！

脉冲编程算法采用的是V

13 V和V

将6.5V为13的标称的编程时间

秒。到体系外的编程中，现有的EPROM编程器都可以使用。位置可以是

单独地编程，以块或随机的。

手术

操作的七种模式列于表2中读出模式，需要一个单一的5V电源。所有的输入都是

除了V TTL电平

在编程时（ 13 V的SNAP ！脉冲），以及12 V的A9签字模式。

表2.操作模式

模式？

功能

PGM

VPP

VCC

DQ0 - DQ7

读

VIL

VCC

数据输出

产量

关闭

VIL

VIH

VCC

高阻

待机

VIH

VCC

高阻

程序设计

VIL

VIH

VIL

VPP

VCC

DATA IN

VERIFY

VIL

VIH

VPP

VCC

数据输出

节目

抑制

VIH

VPP

VCC

高阻

VH ？

VIL

CODE

MFG

X可以为VIL或VIH 。

VH = 12 V

0.5 V.

设备

签名模式

VIL

VCC

VH ？

VIH

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

TMS27C010A 131 072 ×8位紫外线擦除

TMS27PC010A 131 072 ×8位

可编程只读存储器

SMLS110C - 1990年11月 - 修订1997年9月

读/输出禁止

当两种或更多种TMS27C010As或TMS27PC010As的输出并联连接在同一总线上，

在电路中的任何特定设备的输出可以从竞争的输出中读取与无干扰

其他设备。读取单个装置的输出端，一个低电平信号被施加到E和G管脚。所有其他

在该电路装置应禁用通过施加高电平信号给其中一个引脚它们的输出。

闭锁抗扰度

在TMS27C010A和TMS27PC010A闭锁抗扰度是所有输入和输出至少250毫安。

此功能提供闭锁免疫力超出了任何潜在的瞬变电脑板级时设备

接口是行业标准的TTL或MOS逻辑器件。输入/输出布局的方法的控制

闭锁而不会影响性能或包装密度。

掉电

我主动

电源电流可以减少为30 mA至500

通过E和以应用高TTL输入

100

通过施加高的CMOS输入上E.在这种模式下所有的输出均处于高阻抗状态。

擦除（ TMS27C010A ）

programmig前， TMS27C010A EPROM是通过在透明盖到暴露在芯片擦除

高强度UV光（波长2537埃）。建议的最低照射剂量（紫外线强度

曝光时间）是15 Ws /厘米

。一个典型的12毫瓦/平方厘米

，滤波紫外线灯擦除设备中的21分钟。该

灯应位于约2.5cm擦除在芯片上方。擦除之后，所有的位都处于高状态。

正常环境光包含正确波长为擦除，因此，使用TMS27C010A时，该

窗口必须被覆盖有一个不透明的标签。删除（在逻辑高电平状态的所有位）后，逻辑低点是

编程到所希望的位置。编程的低只能通过紫外线擦除。

初始化（ TMS27PC010A ）

在一次性可编程TMS27PC010A的PROM中的逻辑高状态提供的所有位，然后逻辑

低点被编程到所希望的位置。编程到OTP的PROM的逻辑低点不能被擦除。

SNAP ！脉冲编程

该TMS27C010A和TMS27PC010A使用的是TI SNAP编程！脉冲编程算法

由图1中的流程图中，这在13秒标称时间的程序所示。实际

编程时间变化所使用的程序装置的功能。

在SNAP ！脉冲编程算法使用100微秒（ μs）内的初始脉冲后跟一个字节

验证，以确定何时寻址的字节已被成功编程。多达10 （ 10 ）100- μs的

提供每字节脉冲之前失败是公认的。

编程模式，实现当V

= 13 V, V

= 6.5 V，E = V

，G = V

。数据被呈现在平行

（ 8位）引脚DQ0通过DQ7 。一旦地址和数据是稳定的，铂族金属是脉冲的低电平。

多个设备可以与该设备连接在并行编程。位置可以是

以任意顺序进行编程。当SNAP ！脉冲编程程序完成后，所有的位与验证

= V

= 5 V

10%.

禁止程序

编程可以通过保持在E或PGM引脚输入高电平受到抑制。

程序校验

编程位可以用V验证

= 13 V时， G = V

，E = V

和PGM = V

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

TMS27C010A 131 072 ×8位紫外线擦除

TMS27PC010A 131 072 ×8位

可编程只读存储器

SMLS110C - 1990年11月 - 修订1997年9月

开始

ADDRESS =第一个位置

VCC = 6.5 V

0.25 V， VPP = 13 V

0.25 V

方案一脉冲= TW = 100

增量地址

节目

模式

LAST

地址？

是的

ADDRESS =第一个位置

X=0

方案一脉冲= TW = 100

增量

地址

VERIFY

一个字节

失败

X=X+1

X = 10?

互动

模式

通

LAST

地址？

是的

VCC = VPP = 5 V

0.5 V

是的

设备失败

比较

所有字节

原

数据

通

设备传递

失败

最终科幻

验证

图1. SNAP ！脉冲编程流程

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

TMS27C010A 131 072 ×8位紫外线擦除

TMS27PC010A 131 072 ×8位

可编程只读存储器

SMLS110C - 1990年11月 - 修订1997年9月

签名模式

签名方式提供访问二进制代码，用于识别生产商和类型。此模式是

当A9 （引脚26 ）被强制为12V。两个标识符字节活化是通过切换A0访问。所有其他

地址必须保持为低电平。这些设备的签名代码97D6 。 A0低选择的制造商的

代码97 （十六进制），和A0高选择器件代码D6 （十六进制），如表3所示。

表3.签名模式

标识符

制造商代码

引脚

VIL

VIH

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

DQ0

（十六进制）

器件代码

E = G = VIL ， A1 - A8 = VIL ， A9 = VH ， A10 - A16 = VIL ， VPP = VCC 。

逻辑符号

EPROM 131 072

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

131 071

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

[ PWR DOWN]

＆放大器;

这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC

出版617-12 。包装说明。

邮政信箱1443

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TMS27C010A 131 072 ×8位紫外线擦除

TMS27PC010A 131 072 ×8位

可编程只读存储器

SMLS110C - 1990年11月 - 修订1997年9月

组织。。。 131 072 8位

采用5 V单电源供电

操作上兼容现有的

兆比特的EPROM

行业标准32脚双列直插式

封装和32引脚塑封有引线芯片

支架

所有输入/输出完全兼容TTL

最高访问/最小周期时间

10%

' 27C / PC010A - 10为100 ns

' 27C / PC010A - 12 120纳秒

' 27C / PC010A - 15 150纳秒

' 27C / PC010A - 20 200纳秒

8位输出用于

基于微处理器的系统

非常高速的SNAP ！脉冲

程序设计

省电的CMOS技术

3态输出缓冲器

400 mV的最小DC抗噪性

标准TTL负载

250毫安的所有输入闭锁免疫

输出引脚

无需上拉电阻

低功耗（V

= 5.5 V)

- 主动。。。 165 mW的最坏情况

- 待机。。。 0.55毫瓦最坏情况

（ CMOS输入电平）

温度范围选项

套餐

（顶视图）

A16

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

GND

PGM

A14

A13

A11

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

FM包装

（顶视图）

3 2 1 32 31 30

DQ0

A16

VPP

VCC

PGM

A14

A13

A11

A10

DQ7

14 15 16 17 18 19 20

描述

该TMS27C010A系列131 072 ×8位

（ 1 048 576位），紫外（ UV）光可擦除，

电可编程只读存储器

（ EPROM中）。

该TMS27PC010A系列131 072 ×8位

（ 1 048 576位），一次性可编程（ OTP ）

电可编程只读存储器

（ PROM中）。

A0 – A16

DQ0 - DQ7

GND

PGM

VCC

VPP

PIN NOMENCLATURE

地址输入

输入（编程） /输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

地

无内部连接

节目

5 V电源

13 -V电源

只有在编程模式

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

版权

1997年，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

邮政信箱1443

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DQ1

DQ2

GND

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

A12

A15

TMS27C010A 131 072 ×8位紫外线擦除

TMS27PC010A 131 072 ×8位

可编程只读存储器

SMLS110C - 1990年11月 - 修订1997年9月

描述（续）

这些设备所使用的省电CMOS技术为高速且简单的界面捏造

MOS和双极性电路。所有的投入（包括程序数据输入）可以通过74系列TTL电路驱动

无需使用外部上拉电阻。每个输出可以驱动一个74系列TTL电路，无需外部

电阻器。

该TMS27C010A EPROM是提供在一个双列直插式陶瓷封装（J后缀）在设计用于插

安装孔排在15.2毫米（ 600密耳）中心。该TMS27C010A还提供有两种选择

温度范围， 0 ° C至70 ° C（ JL后缀）和 - 40 ° C至85°C （ JE后缀）。见表1 。

该TMS27PC010A OTP PROM提供了32针，塑料有引线芯片载体封装采用1,25毫米

（ 50密耳）引线间距（ FM后缀）。该TMS27PC010A提供两种选择的温度范围内， 0℃下

至70° C（ FML后缀）和 - 40 ° C至85°C （ FME后缀）。见表1 。

表1.温度范围后缀

EPROM

和

OTP PROM

TMS27C010A-xxx

TMS27PC010A-xxx

后缀为OPERATING FREE-

空气温度范围

0 ° C至70℃

FML

- 40 ° C至85°C

FME

这些的EPROM和OTP PROM中从单一5V电源（在读模式）操作，因此非常适合使用

在基于微处理器的系统。另外一个13 - V电源需要进行编程。所有的编程信号

是TTL电平。这些器件是可编程的使用SNAP ！脉冲编程算法。在SNAP ！

脉冲编程算法采用的是V

13 V和V

将6.5V为13的标称的编程时间

秒。到体系外的编程中，现有的EPROM编程器都可以使用。位置可以是

单独地编程，以块或随机的。

手术

操作的七种模式列于表2中读出模式，需要一个单一的5V电源。所有的输入都是

除了V TTL电平

在编程时（ 13 V的SNAP ！脉冲），以及12 V的A9签字模式。

表2.操作模式

模式？

功能

PGM

VPP

VCC

DQ0 - DQ7

读

VIL

VCC

数据输出

产量

关闭

VIL

VIH

VCC

高阻

待机

VIH

VCC

高阻

程序设计

VIL

VIH

VIL

VPP

VCC

DATA IN

VERIFY

VIL

VIH

VPP

VCC

数据输出

节目

抑制

VIH

VPP

VCC

高阻

VH ？

VIL

CODE

MFG

X可以为VIL或VIH 。

VH = 12 V

0.5 V.

设备

签名模式

VIL

VCC

VH ？

VIH

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TMS27C010A 131 072 ×8位紫外线擦除

TMS27PC010A 131 072 ×8位

可编程只读存储器

SMLS110C - 1990年11月 - 修订1997年9月

读/输出禁止

当两种或更多种TMS27C010As或TMS27PC010As的输出并联连接在同一总线上，

在电路中的任何特定设备的输出可以从竞争的输出中读取与无干扰

其他设备。读取单个装置的输出端，一个低电平信号被施加到E和G管脚。所有其他

在该电路装置应禁用通过施加高电平信号给其中一个引脚它们的输出。

闭锁抗扰度

在TMS27C010A和TMS27PC010A闭锁抗扰度是所有输入和输出至少250毫安。

此功能提供闭锁免疫力超出了任何潜在的瞬变电脑板级时设备

接口是行业标准的TTL或MOS逻辑器件。输入/输出布局的方法的控制

闭锁而不会影响性能或包装密度。

掉电

我主动

电源电流可以减少为30 mA至500

通过E和以应用高TTL输入

100

通过施加高的CMOS输入上E.在这种模式下所有的输出均处于高阻抗状态。

擦除（ TMS27C010A ）

programmig前， TMS27C010A EPROM是通过在透明盖到暴露在芯片擦除

高强度UV光（波长2537埃）。建议的最低照射剂量（紫外线强度

曝光时间）是15 Ws /厘米

。一个典型的12毫瓦/平方厘米

，滤波紫外线灯擦除设备中的21分钟。该

灯应位于约2.5cm擦除在芯片上方。擦除之后，所有的位都处于高状态。

正常环境光包含正确波长为擦除，因此，使用TMS27C010A时，该

窗口必须被覆盖有一个不透明的标签。删除（在逻辑高电平状态的所有位）后，逻辑低点是

编程到所希望的位置。编程的低只能通过紫外线擦除。

初始化（ TMS27PC010A ）

在一次性可编程TMS27PC010A的PROM中的逻辑高状态提供的所有位，然后逻辑

低点被编程到所希望的位置。编程到OTP的PROM的逻辑低点不能被擦除。

SNAP ！脉冲编程

该TMS27C010A和TMS27PC010A使用的是TI SNAP编程！脉冲编程算法

由图1中的流程图中，这在13秒标称时间的程序所示。实际

编程时间变化所使用的程序装置的功能。

在SNAP ！脉冲编程算法使用100微秒（ μs）内的初始脉冲后跟一个字节

验证，以确定何时寻址的字节已被成功编程。多达10 （ 10 ）100- μs的

提供每字节脉冲之前失败是公认的。

编程模式，实现当V

= 13 V, V

= 6.5 V，E = V

，G = V

。数据被呈现在平行

（ 8位）引脚DQ0通过DQ7 。一旦地址和数据是稳定的，铂族金属是脉冲的低电平。

多个设备可以与该设备连接在并行编程。位置可以是

以任意顺序进行编程。当SNAP ！脉冲编程程序完成后，所有的位与验证

= V

= 5 V

10%.

禁止程序

编程可以通过保持在E或PGM引脚输入高电平受到抑制。

程序校验

编程位可以用V验证

= 13 V时， G = V

，E = V

和PGM = V

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TMS27C010A 131 072 ×8位紫外线擦除

TMS27PC010A 131 072 ×8位

可编程只读存储器

SMLS110C - 1990年11月 - 修订1997年9月

开始

ADDRESS =第一个位置

VCC = 6.5 V

0.25 V， VPP = 13 V

0.25 V

方案一脉冲= TW = 100

增量地址

节目

模式

LAST

地址？

是的

ADDRESS =第一个位置

X=0

方案一脉冲= TW = 100

增量

地址

VERIFY

一个字节

失败

X=X+1

X = 10?

互动

模式

通

LAST

地址？

是的

VCC = VPP = 5 V

0.5 V

是的

设备失败

比较

所有字节

原

数据

通

设备传递

失败

最终科幻

验证

图1. SNAP ！脉冲编程流程

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TMS27C010A 131 072 ×8位紫外线擦除

TMS27PC010A 131 072 ×8位

可编程只读存储器

SMLS110C - 1990年11月 - 修订1997年9月

签名模式

签名方式提供访问二进制代码，用于识别生产商和类型。此模式是

当A9 （引脚26 ）被强制为12V。两个标识符字节活化是通过切换A0访问。所有其他

地址必须保持为低电平。这些设备的签名代码97D6 。 A0低选择的制造商的

代码97 （十六进制），和A0高选择器件代码D6 （十六进制），如表3所示。

表3.签名模式

标识符

制造商代码

引脚

VIL

VIH

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

DQ0

（十六进制）

器件代码

E = G = VIL ， A1 - A8 = VIL ， A9 = VH ， A10 - A16 = VIL ， VPP = VCC 。

逻辑符号

EPROM 131 072

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

131 071

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

[ PWR DOWN]

＆放大器;

这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC

出版617-12 。包装说明。

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