TMP86FS49AIUG
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。 021023 _丁
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，
在一般的半导体器件可能发生故障或由于其固有的电灵敏度失败和
漏洞的物理应力。
它是利用东芝产品时买家的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并且避免出现在其中一个发生故障
或如东芝的产品故障可能导致的生命损失，人身伤害或损坏
财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的操作使用
范围作为在最近的东芝产品规格阐述。
另外，请记住所列的注意事项和条件
“处理
指南
半导体器件“或
“东芝
半导体可靠性手册“等021023_A
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，国内
电器等） 。
这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的质量和/或可靠性或者故障或失灵而可能引起的损失
人的生命或身体伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制
仪器仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器，
燃烧控制仪器，医疗仪器，各类安全装置等意外
本文档中列出的东芝产品的使用应在客户自己的风险进行。 021023_B
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品
其中，制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
060106_Q
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或第三的其他权利的任何侵犯
当事人可能导致其使用。无许可下的任何牌照以暗示或其他方式
东芝或他人的专利或专利的权利。 021023_C
本文档中介绍的产品可能包括产品受外汇和
外贸法律。 021023_F
对于如何微控制器的可靠性可以预见的讨论，请参见第1.3节
的一章题为质量和可靠性保证/注意事项。 030619_S
2006 TOSHIBA CORPORATION
版权所有
第2页
TMP86FS49AIUG
产品差异
在功能差异
86CH49
只读存储器
内存
DBR(note1)
I / O
大电流端口
打断
定时器/计数器
UART
SIO
I2C
键唤醒时
10位AD转换器
16字节
（ MASK）
512个字节
86CM49
32字节
（ MASK）
1字节
86PM49
32字节
（ OTP）的
1字节
86CS49
60字节
（ MASK）
2字节
86FS49A
60字节
（ FLASH ）
2字节
86FS49AI
128字节
（ Flash控制寄存器不包含）
56针
13引脚（沉开漏）
外部： 5中断，内部： 19中断
16位：2通道
8位： 4通道
2通道
2通道
1路
4个通道
16个通道
VDD
无保护二极管
在VDD端
R
不拉
下电阻
128字节
（ Flash控制寄存器包含）
VDD
R
R
IN
R
VDD
的Structurer
TEST引脚
R
R
IN
不拉
下电阻
仿真芯片
P-QFP64-
1414-0.80A
P-QFP64-1414-0.80A
P-LQFP64-1010-0.50D
P-SDIP64-750-1.78
TMP86C949XB
P-QFP64-1414-0.80A
P-LQFP64-1010-0.50D
包
–
注1 ：使用闪存的产品（ 86FS49A ， 86FS49AI ）包含Flash控制寄存器（ FLSCR ）在0FFFH在DBR
区。与掩膜ROM或OTP及仿真芯片的产品所不具备的FLSCR寄存器。在这些装置中，
因此，访问该FLSCR寄存器不能正常工作的程序（执行不同的如在一个的情况下
闪存产品） 。
TMP86FS49AIUG
在电气特性的差异
86CH49
86CM49
86PM49
[V]
5.5
4.5
3.6
(a)
[V]
5.5
4.5
3.6
3.0
2.7
2.0
1.8
0.030
0.034
0.030
0.034
1
4.2
8
16 [兆赫]
86CS49
86FS49A
86FS49AI
[V]
5.5
4.5
(a)
3.6
3.0
2.7
(b)
（注1 ）
1
4.2
8
16 [兆赫]
1.8
0.030
0.034
1
4.2
8
16 [兆赫]
(b)
（注2 ）
(a)
[V]
5.5
4.5
3.6
3.0
(a)
READ /
取
3.0
2.7
1.8
1.8
0.030
0.034
1
4.2
8
16 [兆赫]
Operat-
ING
条件
（ MCU
模式）
（一） 1.8 V至5.5 V （ -40 85
°C)
（一） 2.0 V至5.5 V （ -40 85
°C)
（二） 1.8至2.0V （-20到85
°C)
（一） 3.0 V至5.5 V （ -40 85
°C)
（二） 2.7 V至3.0 V（ -2085
°C)
[V]
5.5
4.5
3.6
（一） 3.0 V至5.5 V （ -40 85
°C)
(a)
擦除/
节目
–
–
3.0
2.7
1.8
0.030
0.034
1
4.2
8
16 [兆赫]
（一） 4.5 V至5.5 V （ -10 40
°C)
[V]
5.5
4.5
3.6
(a)
工作条件
（串行PROM
模式）
–
–
3.0
2.7
1.8
0.030
0.034
2
4.2
8
16 [兆赫]
（一） 4.5 V至5.5 V （ -10 40
°C)
工作电流随每个产品。有关详细信息，请参阅各产品的数据表（电气特性） 。
工作电流
（注3）
注1：随着86CS49 ，工作温度（范围Topr ）为-20
°C
85
°C
当电源电压VDD低于
2.0 V.
注2 ：用86FS49A ，工作温度（范围Topr ）为-20
°C
85
°C
当电源电压VDD低于
3.0 V.
注3 ：用86FS49A和86FS49AI ，当一个程序被执行在闪存或者当数据被读出
从闪存，闪存工作在间歇方式造成的峰值电流在Flash
存储器瞬间，如图。在这种情况下，供给电流I DD （在正常1 ，正常2和
SLOW1模式）被定义为平均峰值电流和MCU的电流的总和。
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