TMP86FH47ADUG
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。 021023 _丁
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，
在一般的半导体器件可能发生故障或由于其固有的电灵敏度失败和
漏洞的物理应力。
它是利用东芝产品时买家的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并且避免出现在其中一个发生故障
或如东芝的产品故障可能导致的生命损失，人身伤害或损坏
财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的操作使用
范围作为在最近的东芝产品规格阐述。
另外，请记住所列的注意事项和条件
“处理
指南
半导体器件“或
“东芝
半导体可靠性手册“等021023_A
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，国内
电器等） 。
这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的质量和/或可靠性或者故障或失灵而可能引起的损失
人的生命或身体伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制
仪器仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器，
燃烧控制仪器，医疗仪器，各类安全装置等意外
本文档中列出的东芝产品的使用应在客户自己的风险进行。 021023_B
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品
其中，制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
060106_Q
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或第三的其他权利的任何侵犯
当事人可能导致其使用。无许可下的任何牌照以暗示或其他方式
东芝或他人的专利或专利的权利。 021023_C
本文档中介绍的产品可能包括产品受外汇和
外贸法律。 021023_F
对于如何微控制器的可靠性可以预见的讨论，请参见第1.3节
的一章题为质量和可靠性保证/注意事项。 030619_S
2006 TOSHIBA CORPORATION
版权所有
第2页
TMP86FH47ADUG
产品之间的差异（ TMP86xx46系列）
86C846
只读存储器
内存
DBR(note1)
I / O
大电流
产量
打断
定时器计数器
UART
SIO
键唤醒
10位AD转换器
VDD
86CH46
86CH46A
16384bytes
（ MASK）
512bytes
86CM46
86CM46A
32768bytes
（ MASK）
1024bytes
86PH46
16384bytes
（ OTP）的
512bytes
－
86PM46
86PM46A
32768bytes
（ OTP）的
1024bytes
86FH46
16384bytes
（ FLASH ）
512bytes
86FH46A
8192bytes
（ MASK）
512bytes
512bytes
128bytes
（ Flash控制寄存器
包含）
33pins
19pins
（直接驱动LED ）
18interrupt来源
（外部：内部6 ：12）
16位定时器计数器：1通道
8位定时器计数器： 2通道
8位UART ：1通道
高速串口：1通道
4ch
模拟输入： 8CH
无保护二极管
在VDD端
R
不拉
下电阻
VDD
R
R
IN
R
VDD
结构
TEST引脚
R
R
IN
不拉
下电阻
终端
串行PROM
MODE(note2)
仿真芯片
包
－
TMP86C947XB
P-SDIP42-600-1.78
BOOT1/RXD(P10)
BOOT2/TXD(P11)
BOOT/RXD(P02)
TXD(P03)
注1 ：使用闪存的产品（ 86FH46,86FH46A ）包含Flash控制寄存器（ FLSCR ）在0FFFH在DBR
区。与掩膜ROM或OTP及仿真芯片的产品所不具备的FLSCR寄存器。在这些
设备，因此，对访问FLSCR寄存器不能正常运行的程序（执行不同的如
情况下，闪存产品） 。
注2 ：在串行PROM模式中所用的TXD和RXD引脚86FH46和86FH46A之间有所不同。考虑到这个CON-
sideration在电路板设计，当您更换产品。该函数的细节请参考的章节
86FH46,86FH46A数据表。
第3页
TMP86FH47ADUG
产品之间的差异（ TMP86xx47系列）
86C847
只读存储器
内存
DBR(note1)
I / O
大电流
产量
打断
定时器计数器
UART
SIO
键唤醒
10位AD转换器
VDD
86CH47
86CH47A
16384bytes
（ MASK）
512bytes
86CM47
86CM47A
32768bytes
（ MASK）
1024bytes
86PH47
16384bytes
（ OTP）的
512bytes
－
86PM47
86PM47A
32768bytes
（ OTP）的
1024bytes
86FH47
16384bytes
（ FLASH ）
512bytes
86FH47A
8192bytes
（ MASK）
512bytes
512bytes
128bytes
（ Flash控制寄存器
包含）
35pins
19pins
（直接驱动LED ）
18interrupt来源
（外部：内部6 ：12）
16位定时器计数器：1通道
8位定时器计数器： 2通道
8位UART ：1通道
高速串口：1通道
4ch
模拟输入： 8CH
无保护二极管
在VDD端
R
不拉
下电阻
VDD
R
R
IN
R
VDD
结构
TEST引脚
R
R
IN
不拉
下电阻
终端
串行PROM
MODE(note2)
仿真芯片
包
(P-LQFP44-1010-
0.80A)
包
(P-LQFP44-1010-
0.80B)
可用的
可用的
(86CH47)
可用的
(86CH47A)
－
TMP86C947XB
可用的
不适用
可用的
BOOT1/RXD(P10)
BOOT2/TXD(P11)
BOOT/RXD(P02)
TXD(P03)
可用的
不适用
不适用
不适用
可用的
不适用
不适用
可用的
注1 ：使用闪存的产品（ 86FH47,86FH47A ）包含Flash控制寄存器（ FLSCR ）在0FFFH在DBR
区。与掩膜ROM或OTP及仿真芯片的产品所不具备的FLSCR寄存器。在这些
设备，因此，对访问FLSCR寄存器不能正常运行的程序（执行不同的如
情况下，闪存产品） 。
注2 ：在串行PROM模式中所用的TXD和RXD引脚86FH47和86FH47A之间有所不同。考虑到这个CON-
sideration在电路板设计，当您更换产品。该函数的细节请参考的章节
86FH47,86FH47A数据表。
TMP86FH47ADUG
在电气特性的差异（ TMP86xx46系列）
86C846 / 86CH46 / 86CM46
86CM46A
86PM46
[V]
5.5
4.5
(a)
[V]
5.5
4.5
(a)
2.7
2.0
1.8
0.030
0.034
86PH46
86CH46A
86FH46
86FH46A
[V]
5.5
4.5
(a)
[V]
5.5
4.5
(a)
READ /
取
2.7
1.8
2.7
(b)
(Note1)
1
4.2
8
16 [兆赫]
1.8
3.0
2.7
1.8
(b)
(Note2)
0.030
0.034
0.030
0.034
1
4.2
8
16 [兆赫]
1
4.2
8
16 [兆赫]
0.030
0.034
1
4.2
8
16 [兆赫]
Operat-
荷兰国际集团CON-
DITION
（ MCU
模式）
（一） 1.8V至5.5V （ -40 85
℃
)
（一） 2.0V至5.5V （ -40 85
℃
)
（二） 1.8V至2.0V （ -2085
℃
)
（一） 2.7V至5.5V （ -40 85
℃
)
（一） 3.0V至5.5V （ -40 85
℃
)
（二） 2.7V至3.0V （ -2085
℃
)
[V]
5.5
4.5
(a)
擦除/
亲
克
－
－
－
2.7
1.8
0.030
0.034
1
4.2
8
16 [兆赫]
（一） 4.5V至5.5V （ -10到40
℃
)
[V]
5.5
4.5
(a)
[V]
5.5
4.5
(a)
工作条件
（串行PROM
模式）
－
－
2.7
1.8
2.7
1.8
0.030
0.034
2
4
8
16 [兆赫]
0.030
0.034
2
4.2
8
16 [兆赫]
（一） 4.5V至5.5V （ 20 30
℃
)
工作电流
（一） 4.5V至5.5V （ -10到40
℃
)
工作电流随每个产品。有关详细信息，请参阅各产品的datacheet （电气chracteristics ） 。
(Note3)
注1 ：与该86CH46A ， PH46的工作温度（范围Topr ）为-20
℃
85
℃
当电源电压VDD低于
2.0V.
注2 ：与该86FH46A ，操作温度（范围Topr ）为-20
℃
85
℃
当电源电压VDD电压小于3.0V 。
注3 ：通过将86FH46A ，当一个程序被执行在闪存存储器或数据时，从闪速存储器读取，
闪存工作在间歇性地引起峰值电流在闪存瞬间，如图所示
图。在这种情况下，供给电流I DD （在正常1 ，正常2和SLOW1模式）被定义为的总和
平均峰值电流和MCU的电流。
1个机器周期（ 4 / FC或4 / FS ）
程序计数器（PC）的
I
DDP -P
[马]
n
n+1
n+2
n+3
瞬间闪光电流
马克斯。平均瞬时电流总和
典型值。当前Flash电流和MCU电流
目前MCU
闪存的间歇运行
第5页
2010-7
型号一览
微机/单片机开发系统
H T T P上： / / W W瓦特发E M I C 0 。吨O 2 S H I B A 。 C 0 。 J个P / E N G -
型号一览
微机/单片机开发系统
微电脑选择Guide······································································五
微机开发系统选型指南° 37
3
微机开发系统选型指南
微电脑选型指南
品名命名
例1
TMP 89五六60 X X UG
包
QG ：塑料收缩的四大纲无引脚封装（ VQON ） ;干打包
XBG ：塑料球栅阵列（ BGA ） ;干打包
世行集团：晶圆级芯片尺寸封装（ WCSP ） ，干打包
UG ， DUG ， FG ， DFG ：塑料四方扁平封装（ QFP ） ;干打包
MG ， DMG ：塑料小外形封装（ SOP ） ;干打包
NG ：塑料收缩双列直插式封装（ SDIP ）
PG ：塑料标准的双列直插式封装（ DIP ）
汽车质量等级
R： A级，
40°C
to
+85°C
T： A级，
40°C
to
+125°C
I： B级，
40°C
to
+85°C
S： B级，
40°C
to
+125°C
微控制器版本
微控制器亚型
ROM大小
KB
KB
ROM类型
C：面膜
E： EEPROM
F：闪光
P： OTP
微控制器内核
47:
86:
87:
88:
47E
870/C
870
870/X
89:
91:
92, 94:
93:
870/C1
900/L1
900/H1
900/L
95:
96:
900/H
900
1
1
K
24
2
2
M
32
3
3
N
40
4
4
6
6
8
8
C
12
H
16
P
S
ü W F
Y
Z
D
48 60/64 96 128 192 256 384 512
东芝微控制器
例2
TMP 19A第23楼Y X XBG
包
XBG ：塑料球栅阵列（ BGA ） ;干打包
UG ， FG ：塑料四方扁平封装（ QFP ） ;干打包
部分代号/微控制器版本
ROM大小
KB
ROM类型
C：面膜
F：闪光
微控制器亚型
微控制器内核
19
19A ： 19A ， 19A / H1
A9: 09
东芝微控制器
M3: 03
H
16
M
32
R
56
S
64
W
128
Y
256
Z
384
D
512
E
10 1D 20
768 1024 1536 2048
4
微控制器
4位微控制器
TLCS - 47系列： TLCS - 47E系列
掩膜ROM版本
最小指令执行
时间（μs ） （注2 ）
双时钟
（低速模式（注4 ） ）
AD转换器（CH）
看门狗定时器
LCD驱动器（CH）
LED驱动器（CH）
产品型号
RAM （半字节）
ROM （字节）
脉冲发生器（CH）
待机模式
TMP47C101MG
TMP47C101PG
TMP47C102MG
TMP47C102PG
TMP47C103MG
TMP47C103NG
TMP47C201MG
TMP47C201PG
TMP47C202MG
TMP47C202PG
TMP47C203MG
TMP47C203NG
TMP47C206MG
TMP47C206PG
TMP47C241MG
TMP47C241NG
TMP47C243DMG
(Note3)
TMP47C243MG
(Note3)
TMP47C243NG
(Note3)
TMP47C222FG
(Note3)
TMP47C222NG
(Note3)
TMP47C222UG
(Note3)
TMP47C422FG
(Note3)
TMP47C422NG
(Note3)
TMP47C422UG
(Note3)
TMP47C443DMG
(Note3)
TMP47C443MG
(Note3)
TMP47C443NG
(Note3)
4
4
1
64
4
4
8
(1) 1.3
(2) 1.9
8
4
4
4
4
8
8
128
2
(1) 1
(2) 1.9
(1) 1.3
(2) 1.9
5
5
5
5
8
8
8
20
192
(1) 1
(2) 1.9
20
20
20
20
4
256
8
8
8
20
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
4
4
8
8
8
4
4
4
4
4
4
8
8
8
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
1
1
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
I / O端口（引脚）
电源
电压
(V)
操作
温度
(°C)
OTP版本
包
SIO （CH）
11
11
15
15
23
23
11
11
15
15
23
23
15
15
21
21
23
23
23
22
20
22
22
20
22
23
23
23
（1） 2.75.5
（2） 2.2 5.5
-30到70
（1） 4.0 5.7
（2） 4.0 5.7
（1） 4.5 6.0
（2） 2.7 6.0
-40到85
(Note1)
（1） 4.5 5.5
（2） 2.75.5
TMP47P201VPG
TMP47P202VMG
TMP47P202VPG
TMP47P403VMG
-30到70
TMP47P403VNG
TMP47P201VPG
TMP47P202VMG
TMP47P202VPG
TMP47P403VMG
TMP47P403VNG
TMP47P206VMG
TMP47P206VPG
TMP47P241VMG
TMP47P241VNG
TMP47P443VDMG
TMP47P443VMG
TMP47P443VNG
TMP47P422VFG
TMP47P422VNG
TMP47P422VUG
TMP47P422VFG
TMP47P422VNG
TMP47P422VUG
TMP47P443VDMG
TMP47P443VMG
TMP47P443VNG
SOP16
DIP16
SOP20
DIP20
SOP28
SDIP28
SOP16
DIP16
SOP20
DIP20
SOP28
SDIP28
SOP20
DIP20
SOP28
SDIP28
SSOP30
SOP28
SDIP28
QFP44
(14×14 mm)
SDIP42
LQFP44
(10×10 mm)
QFP44
(14×14 mm)
SDIP42
LQFP44
(10×10 mm)
SSOP30
SOP28
SDIP28
注1 ）当CR振荡时（ 2.2 V至5.5 V ，2.5兆赫）
注2）最小指令执行的时间（1 ）和（2 ）分别对应于电源电压（ 1）和（ 2）。
注3 ）包含CPU内核的470系列。
注4 ）在低速模式下的最小指令执行时间为244
μs
（ 32.768千赫） 。
不建议用于汽车应用。
你购买的任何组件之前，请与东芝的销售代表，了解符合RoHS标准的信息。
6
QQ：2880707522 复制
