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TMMBAT 47
TMMBAT 48
小信号肖特基二极管
描述
通用，金属硅二极管特色
非常低的导通电压和快速切换。
这些器件集成了防
过大的电压，例如静电放电。
绝对额定值
（限制值）
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
重复峰值电流Fordward
浪涌不重复正向电流
T
l
= 25
°C
t
p
≤
1s
δ ≤
0.5
t
p
= 10ms的
t
p
= 1s
P
合计
T
英镑
T
j
T
L
功耗
储存和结温范围
在15秒的焊接最高温度
T
l
= 25
°C
MiniMELF
（玻璃）
TMMBAT47
20
TMMBAT48
40
单位
V
mA
A
A
350
1
7.5
1.5
330
- 65 150
- 65 125
260
mW
°C
°C
°C
热阻
符号
R
号（j -1）的
结引线
测试条件
价值
300
单位
° C / W
1999年8月版： 1A
1/5
TMMBAT 47 / 48 TMMBAT
电气特性
静态特性
符号
V
BR
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
V
F
*
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
I
R
*
T
j
= 25°C
T
j
= 60°C
T
j
= 25°C
T
j
= 60°C
T
j
= 25°C
T
j
= 60°C
T
j
= 25°C
T
j
= 60°C
T
j
= 25°C
T
j
= 60°C
T
j
= 25°C
T
j
= 60°C
V
R
= 40V
V
R
= 20V
V
R
= 10V
TMMBAT48
V
R
= 20V
V
R
= 10V
TMMBAT47
测试条件
I
R
= 10A
I
R
= 25A
I
F
= 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 150毫安
I
F
= 300毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 200毫安
I
F
= 500毫安
V
R
= 1.5V
所有类型
TMMBAT48
TMMBAT47
TMMBAT47
TMMBAT48
所有类型
分钟。
20
40
0.25
0.3
0.4
0.5
0.8
1
0.5
0.75
0.9
1
10
4
20
10
30
2
15
5
25
25
50
A
V
典型值。
马克斯。
单位
V
动态特性
符号
C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
t
rr
T
j
= 25°C
I
F
= 10毫安
测试条件
V
R
= 0V
V
R
= 1V
V
R
= 1V
i
rr
= 1毫安
R
L
= 100
F = 1MHz的
分钟。
典型值。
20
12
10
ns
马克斯。
单位
pF
*脉冲测试：吨
p
≤
300s
φ <
2%.
2/5
TMMBAT 47 / 48 TMMBAT
图1.正向电流与正向
在不同温度下的电压（典型
值）。
图2.正向电流与正向
电压（典型值）。
图3.反向电流与结
温度。
图4.反向电流与连续
反向电压（典型值）。
3/5
TMMBAT 47 / 48 TMMBAT
图5.电容C与反
施加的电压V
R
（典型值）。
4/5
TMMBAT 47 / 48 TMMBAT
包装机械数据
MINIMELF玻璃
A
尺寸
REF 。
分钟。
/
O
B
MILLIMETERS
典型值。
3.40
1.60
0.45
1.50
马克斯。
3.6
1.62
0.50
分钟。
0.130
0.063
0.016
3.30
1.59
0.40
英寸
典型值。
0.134
0.063
0.018
0.059
马克斯。
0.142
0.064
0.020
A
B
C
D
C
C
FOOT PRINT尺寸（毫米）
2
2.5
5
打标：在环阴极端。
重量： 0.05克
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更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
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意法半导体。
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1999意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
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5/5
5/5
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TC1303C-AB0EMFTR
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