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TRIAC
(表面贴装器件/非隔离)
TMG3C60D
TRIAC
TMG3C60D
被设计用于全波AC控制应用。
它可以用作一个开/关功能或用于相位控制操作。
典型应用
TO-252
(5.34)
(0.9)
0.80
0.20
±
MIN 0.55
家电:洗衣机,吸尘器,电饭煲,微
波烤箱,吹风机等控制应用
工业用
:开关电源,复印机,电机控制,调光器,固态继电器,
加热器控制,自动售货机,其他控制
应用
0.70
0.20
±
TC点
2
2
6.10
0.20
±
MIN 1.40
TYP 1.90
1
2
3
1
3
2.70
0.20
±
特点
0.96
0.20
±
0.76
0.20
±
2.30
0.20
±
0.50
0.10
±
1.02
0.20
±
2.30
0.20
±
I
T( RMS )
=3A
高浪涌电流
低的电压降
无铅封装
2.30
0.20
±
2
1 T1
2 T2
3门
验证码:
T3C6D
单位:
mm
=最大
评级
符号
V
DRM
I
牛逼RMS )
(Tj=25℃
除非另有规定编)
重复峰值断态电压
均方根通态电流
浪涌通态电流
I
2
T(用于热熔)
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压
工作结温
储存温度
Tc=111℃
参考
评级
600
3
27
/
30
3.7
1.5
0.1
1
7
40+125
40+150
0.32
单位
V
A
A
A
2
S
W
W
A
V
g
I
TSM
I
2
t
P
GM
(AV)
P
G
一个周期,50赫兹/ 60赫兹,峰值不重复
I
GM
V
GM
Tj
TSTG
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
DRM
V
TM
I
GT1
I
GT1
I
GT3
I
GT3
V
GT1
V
GT1
重复峰值断态电流
峰值通态电压
1
2
3
4
1
2
3
4
非触发栅极电压
崛起的断态临界速率
电压整流
参考
V
D
=V
DRM
,单相半波, TJ = 125 ℃
I
T
=4.5A,
研究所。测量
评级
分钟。
典型值。马克斯。
1
1.4
15
15
15
1.5
1.5
1.5
单位
mA
V
门极触发电流
V
D
=6V,R
L
=10Ω
门极触发电压
mA
V
GT3
V
GT3
V
GD
DV =
/
DT ?
c
I
H
RTH J- C)
第r个J-一)
Tj=125℃,V
D
1 2
V
DRM
Tj=125℃,
/
DT ?
-dI
c=1.5A
/
毫秒,V
D
2 3
V
DRM
结到外壳
结到环境
0.2
5
2
3.8
60
V
/
μs
mA
/
W
保持电流
热阻
双向可控硅的触发模式
模式
1
I
模式
2
I
模式
3 III
模式
4 III )
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050 PH ( 516 ) 625-1313 FX ( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
(0.65)
(0.90)
V
V
(5.21)
6.60
0.20
±
5.34
0.30
±
2.30
0.10
±
0.50
0.10
±
TMG3C60D
GATE特性
V
GM
(7V)
P
GM
(1.5W)
10
对国家特性MAX )
T= 5
½2 ℃
T= 2 ℃
½1 5
通态电流A)
栅极电压
(V)
P
G
(0.1W)
(AV)
25℃
1
GT1
1
GT1
1
GT1
I
GM
(1A)
V
GD
0.2V)
01
10
10
00
01
.
05
.
15
.
25
.
3.
栅电流mA )
通态电压
(V)
3.
功耗
(W)
π
θ
θ1 0
=8゜
θ1 0
=5゜
θ1 0
=2゜
θ9 ゜
=0
θ6 ゜
=0
θ3 ゜
=0
25
.
15
.
05
.
θ
30
6゜
=导通角
允许外壳温度
(℃)
RMS通态电流与
最大功率耗散
15
RMS通态VS
允许外壳温度
10
θ
=30゜
θ
=60゜
θ
=90゜
θ
=120゜
θ
=150゜
θ
=180゜
15
θ
30
6゜
π
θ
10
=导通角
05
.
15
.
25
.
15
05
.
1
15
.
25
.
RMS通态电流A )
RMS通态电流
(A)
瞬态热阻抗
(℃/W)
浪涌通态电流额定值
(不重复)
10
瞬态热阻抗
RTH
第(j-一)
浪涌通态电流A )
6 H
Z
RTH
(J -C )
5 H
Z
10
00
.1
01
.
10
10 100 100
00 00 000
时间
(周期)
时间
(秒)。
I
GT
-Tj
(典型值)
10
00
10
00
V
GT
-Tj
(典型值)
I
GT
(t℃)
×100
(%)
I
GT
2 ℃)
( 5
I
GT1
!
I
GT1
!
I
GT3
(#
V
GT
(t℃)
×100
(%)
V
GT
2 ℃)
( 5
10
10
I
GT1
(!
I
GT1
(!
I
GT3
(#
10
15
10
15
结温。 TJ
(℃)
结温。 TJ
(℃)
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050 PH ( 516 ) 625-1313 FX ( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
TMG3C60D
允许环境温度
(℃)
RMS通态VS
允许环境温度
θ
30
6゜
π
θ
15
10
=导通角
0 02 04 06 08 1 12 14 16 18 2 22 24
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
RMS通态电流
(A)
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050 PH ( 516 ) 625-1313 FX ( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
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    TMG3C60D
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    -
    -
    -
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TMG3C60D
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19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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13000
TO-252
原装正品现货
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13050
SOT-252
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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TMG3C60D
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