TMC57253

司机

SOCS040A - 1994年3月 - 修订1994年11月

TTL兼容的输入

CCD兼容输出

可调整时钟级别

高速清除

串行门中层对CDS操作

固态可靠性

HSOP TYPE -B

（ TOP VIEW ）

V

AB

V

CC

GND

EN

ABIN

ABMIN

IA1IN

IA2IN

协作网

SRIN

SRMIN

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

V

ABM

关于

V

ABL

GND

IA1OUT

V

IA

IA2OUT

GND

SAOUT

V

S

SROUT

V

SM

描述

该TMC57253是一个集成的单片CMOS

电路设计用于驱动图像区域门（ IAG1 ，

IAG2 ） ，抗光晕门（ ABG ） ，存储区域

门（ SAG） ，以及串行寄存器栅极（SRG ）

德州仪器（ TI ） TC255 CCD图像

传感器。该TMC57253接口的CCD图像

传感器的TI TMC57751 ASIC或用户定义的

定时发生器;它接收TTL输入信号

从定时发生器和输出电平触发

移信号到图像传感器。

简介如下ABIN和ABMIN和交换机

V之间

ABL

, V

AB

和V

ABM

。 IA1OUT和

IA2OUT遵循IA1IN和IA2IN ，分别与

GND和V之间切换

IA

。该SAOUT输出

遵循协作网和交换机GND和V

S

.

SROUT如下SRIN和SRMIN和交换机

GND ，V之间

SM

和V

S

.

该TMC57253可在一个24引脚HSOP -B

表面贴装封装的特点是

操作从 - 20 ° C至45°C 。

逻辑符号

Φ

TTL / CCD

EN

4

ABIN

ABMIN

VABM

5

6

24

23

关于

SRIN

SRMIN

VSM

IA1IN

IA2IN

协作网

10

11

13

7

8

9

20

18

16

14

SROUT

IA1OUT

IA2OUT

SAOUT

该器件包含电路，以保护其投入和对输出的伤害，由于高静电压或静电场。这些

电路已合格，根据MIL -STD- 883C ，以保护该器件免受高达2kV的静电放电（ ESD ）

方法3015 ;然而，建议采取预防措施，以避免应用超过最大额定电压更高的任何电压的

这些高阻抗电路。在储存或处理，设备引线应短接在一起或设备应

放置在导电泡棉。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到拨逻辑电压电平，最好是无论是VCC

或地面。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物

处理指南

静电放电敏感（ ESDS ）器件和组件

从德州仪器。

TI是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1994年，德州仪器

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达拉斯，德克萨斯州75265

1

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司机

SOCS040A - 1994年3月 - 修订1994年11月

终端功能

终奌站

名字

ABIN

ABMIN

关于

EN

GND

IA1IN

IA1OUT

IA2IN

IA2OUT

协作网

SAOUT

SRIN

SRMIN

SROUT

VAB

VABL

VABM

VCC

通过

VS

VSM

号

5

6

23

4

3, 12, 17,

21

7

20

8

18

9

16

10

11

14

1

22

24

2

19

15

13

I

O

I

O

I

O

I

I

O

I / O

I

I

O

I

描述

抗光晕输入

抗光晕中层输入

抗光晕输出

使能控制输入

地

图像区域输入1

图像区域1的输出

图片区2输入

图片区2输出

存储区域输入

存储区域输出

串行寄存器输入

串行寄存器输入中旬

串行寄存器输出

高水平抗光晕电源电压

低级别的抗光晕的电源电压

中层抗光晕电源电压

电源电压

图片电源电压

串行和存储栅源电压

中层串行门的电源电压

2

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功能框图

VAB

1

24

23

HV_BUF

和

司机

22

4

水平

移

ABIN

5

19

ABMIN

6

水平

移

IA1IN

7

逻辑

IA2IN

8

水平

移

HV_BUF

和

司机

16

HV_BUF

和

司机

18

IA2OUT

通过

HV_BUF

和

司机

20

IA1OUT

VABM

关于

VCC

2

水平

移

水平

移

VABL

EN

协作网

9

SAOUT

15

SRIN

10

水平

移

SRMIN

11

水平

移

14

HV_BUF

和

司机

13

VS

SROUT

VSM

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3

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在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到20V

连续总功率耗散（或低于）T

A

= 25°C:

卸载装置（参见图1） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1990年毫瓦

车载装置（参见图1） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2754毫瓦

工作的自由空气的温度范围内，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 20℃至45 ℃的

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C

铅温度： 1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃

1.6毫米（1/16英寸）的情况下为3秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：所有的电压是相对于GND 。

功耗

vs

自由空气的温度

3000

2800

PD - 功耗 - 毫瓦

2600

2400

2200

2000

1800

1600

卸载设备

1400

1200

1000

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75

TA - 自由空气的温度 -

°C

注一：在下列条件下，得到图1所示的安装设备降额曲线：

该板为50毫米乘50毫米×厚1.6毫米。

该板的材料是环氧玻璃。

所有蚀刻运行的铜的厚度为35微米。

蚀刻经营层面 - 所有20蚀刻挤兑0.4毫米了22毫米。

每个芯片焊接到电路板上。

铝散热片10毫米10毫米× 1mm厚的被耦合到与导热膏的片。

安装设备

（见注一）

图1

4

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推荐工作条件

民

电源电压VCC

抗光晕供电电压， VAB

低级别的抗光晕的电源电压， VABL

中层抗光晕供电电压， VABM

图像栅极电源电压，VIA

串行和存储栅电压时，VS

串行门中层电源电压， VSM

高电平输入电压， VIH

低电平输入电压， VIL

IA1OUT ， IA2OUT （快清）

IA1OUT ， IA2OUT （转）

频率且fCLOCK

SAOUT （转）

关于

SROUT

IA1OUT ， IA2OUT ， SAOUT

驱动模式（比）

经营自由的空气温度， TA

关于

SROUT

– 20

1%

23%

85%

45

°C

4.5

8

0

3

8

8

3

2.5

0.9

25

12.5

12.5

12.5

12.5

喃

5

最大

5.5

18

3

10

14

14

7

单位

V

V

V

V

V

V

V

V

V

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

电气特性在推荐的电源电压范围和工作的自由空气

温度（除非另有说明）

参数

VOH

VOL

IIH

IIL

ICC

IIA

IAB

IABL

IABM

ISM

IS

高电平输出电压

低电平输出电压

高层次的输入电流

低电平输入电流

电源电流

像门的电源电流

抗光晕的电源电流

低级别的抗光晕的电源电流

中层抗光晕的电源电流

中层串行门电源电流

串行门电源电流

IA1OUT,

IA2OUT,

SAOUT

ro

输出电阻

关于

VS = 12 V

IO = 10 mA时，

VI = VCC ， GND

IO = 10 mA时，

VSM = 4 V，

VI = VCC ， GND

IO = 10 mA时，

VSM = 4 V，

VIA = 8 V

VAB = 8 V ，

VABM = 4 V

VABL = 0 V

VS = 8 V ，

VI = VCC ， GND

VAB = 12 V

测试条件

IOH = 0.5毫安

IOL = 0

VIH = 5 V

VIL = 0

VCC = 5 V

VIA = 12 V

0.1

5

15

15

0.5

2

2

5

民

典型值

12

0

±

10

±

10

最大

单位

V

V

A

A

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

10

SROUT

50

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达拉斯，德克萨斯州75265

5