TM8
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
ANTM
高可靠性，低DCL ， Leadframeless模压
特点
高可靠性的固体表面贴装钽
电容器
为延长电池寿命的低DCL
小尺寸空间受限的应用
L形端子优越板
MOUNTING
适用于医疗植入应用
额外的筛选
符合RoHS指令2002/95 / EC
同
性能特点
工作温度：
- 55 ° C至+ 85°C
（ + 125 ℃，电压降额）
电容范围：
1 μF至47 μF
电容容差：
±10％和± 20％的标准
电压范围：
2 WV
DC
40 WV
DC
订购信息
TM8
模型
R
例
CODE
SEE
评级
和
例
代码
表
106
电容
M
电容
公差
K = ± 10 %
M = ± 20 %
016
直流电压额定值
AT + 85°C
这被表示在
伏。
要完成
三位块，零
之前的电压
投资评级。小数点
通过一个“R ”表示的
（ 6R3 = 6.3 V） 。
E
终止/
包装
E =锡/铅焊料/
7" （178 MM）卷轴
R =锡/铅焊料/
7" （178 MM）
300件。数量。
C = 100 ％的锡/
7" （178 MM）卷轴
U = 100 ％的锡/
7" （178 MM）
300件。数量。
B
可靠性
水平
B = 0.1 %
威布尔FRL
S =高可靠性性病。
（ 40小时老化）
Z =非
既定
可靠性
A
浪涌
当前
A = 10次
在25℃下
B = 10个循环的
- 55 °C/+ 85 °C
Z =无
这表示
在皮法。
对前两个
数字是
显著
数字。第三
是数
零可循。
记
标准选项以粗体
尺寸
以英寸[毫米]
阳极极性酒吧
阳极端子
阴极端子
C
W
H
P1
P2
P1
L
例
Q
D
E
F
K
L
0.100 ± 0.015
[2.54 ± 0.38]
0.150 ± 0.015
[3.8 ± 0.38]
0.201 ± 0.015
[5.1 ± 0.38]
0.220 ± 0.015
[5.6 ± 0.38]
0.045 ± 0.002
[1.14 ± 0.05]
W
0.053 ± 0.012
[1.35 ± 0.30]
0.100 ± 0.015
[2.54 ± 0.38]
0.100 ± 0.015
[2.54 ± 0.38]
0.138 ± 0.012
[3.5 ± 0.3]
0.026 ± 0.002
[0.66 ± 0.05]
H
0.050 ± 0.012
[1.27 ± 0.30]
0.050 ± 0.012
[1.27 ± 0.30]
0.050 ± 0.012
[1.27 ± 0.30]
0.050 ± 0.012
[1.27 ± 0.30]
0.024最大。
[ 0.61最大]
P1
0.031 + 0.004/- 0.006
[0.80 + 0.1/- 0.15]
0.031 + 0.004/- 0.006
[0.80 + 0.1/- 0.15]
0.031 + 0.004/- 0.006
[0.80 + 0.1/- 0.15]
0.039 ± 0.005
[1.0 ± 0.13]
0.010 ± 0.004
[0.25 ± 0.1]
P2 （REF ）。
0.038 ± 0.010
[0.96 ± 0.25]
0.088 ± 0.010
[2.24 ± 0.25]
0.139 ± 0.010
[3.5 ± 0.25]
0.142 ± 0.010
[3.6 ± 0.25]
0.020 MIN 。
[ 0.51分钟]
C
0.046 + 0.009/- 0.001
[1.17 + 0.23/- 0.025]
0.091 + 0.009/- 0.001
[2.3 + 0.23/- 0.025]
0.091 + 0.009/- 0.001
[2.3 + 0.23/- 0.025]
0.126 + 0.009/- 0.001
[3.2 + 0.23/- 0.025]
0.015 ± 0.004
[0.38 ± 0.1]
文档编号： 40133
修订： 22 10年6月
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如有技术问题，请联系：
tantalum@vishay.com
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高可靠性，低DCL ，
Leadframeless模压
电容器性能特点
电气性能特点
项
工作温度范围
电容容差
耗散因数（ 120赫兹）
ESR （ 100千赫）
漏电流
性能特点
- 55 ° C至+ 85°C （ + 125 ℃，电压降额）
±20％ ，±10％ （在120赫兹） 1伏
RMS
在+ 25 ℃，采用电容电桥
按标准评分表的限制。通过桥法测定，在25℃ ， 120赫兹。
按标准评分表的限制。通过桥法测定，在25℃下， 100千赫。
后应用额定电压施加到电容器5分钟，用电力的以稳定的源
串联被测，漏电流的电容器，在25 ℃下1 k电阻不大于所述的多
在标准额定值表。需要注意的是，漏电流随温度和施加的电压。看
图表下方的适当的调整系数。
电容器能够在相反的方向等于承受峰值电压：直流10％
等级在+ 25 ℃或直流额定为+ 85 ℃的5％。
日前，Vishay不建议反向电压的故意或重复申请。
如果电容器是在温度高于+ 25℃使用时，允许的RMS纹波电流或电压
应采用降容系数来计算：
1.0在+ 25°C
0.9在+ 85°C
0.4在+ 125°C
+ 85
°C
等级
+ 125
°C
等级
工作电压（ V）
工作电压（ V）
2
1.3
4
2.7
6.3
4
10
7
15
10
16
10
20
13
25
17
40
27
日前，Vishay斯普拉格
反向电压
温度降额
工作温度
典型漏电流系数范围
100
漏电流系数
+ 125 °C
10
+
85
°C
+ 55 °C
1.0
+ 25 °C
0 °C
0.1
- 55 °C
0.01
0.001
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
额定电压的百分比
笔记
在+ 25
℃，泄漏电流不应超过标准额定值表中列出的值
在+ 85
° C时，漏电流应不超过10倍，在标准额定值表中列出的值
在+ 125
℃，泄漏电流不应超过12倍，在标准额定值表中列出的值
文档编号： 40133
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Leadframeless模压
典型曲线在+ 25 ° C，阻抗和ESR VS.频率
“M”案
1000
阻抗
ESR
100
100
1000
阻抗
ESR
“M”案
ESR / Z ，
Ω
ESR / Z ，
Ω
10
4.7 μF - 10 V
1
10
10 μF - 6 V
1
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.1
1
10
100
1000
频率千赫
频率千赫
“M”案
10 000
阻抗
ESR
1000
100.0
1000.0
“P”案
阻抗
ESR
100
ESR ， Z，
Ω
1 μF - 16 V
ESR / Z ，
Ω
10.0
10
1.0
4.7 μF - 25 V
1
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.1
1
10
100
1000
频率千赫
频率千赫
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