TM2SN64EPU 2097152 64位
TM4SN64EPU 4194304 64位
同步动态RAM模块
SMMS681 - 1997年8月
D
D
D
D
D
D
D
D
组织：
- TM2SN64EPU 。 。 。 2 097 152 ×64位
- TM4SN64EPU 。 。 。 4 194 304 ×64位
采用3.3 V单电源
（±10％容限）
专为66 MHz的4时钟系统
JEDEC 168引脚双列直插式内存
模块（ DIMM ）无缓冲以用于
插座
TM2SN64EPU - 使用八个16M位
同步动态RAM （ SDRAM芯片）
(2M
×
8位）的塑料薄小外形
包（ TSOPs ）
TM4SN64EPU - 使用十六16M位
的SDRAM （ 2M
×
8位）的塑料TSOPs
字节读/写功能
性能范围：
同步
时钟周期
时间
tCK3
tCK2
（CL = 3）的
（CL = 2）的
存取时间
时钟
产量
tCK3
tCK2
（CL = 3） （CL = 2）的
9 NS
9 NS
9 NS
10纳秒
刷新
间隔
D
D
D
D
D
D
D
D
D
高速，低噪声低压TTL
（ LVTTL ）接口
读取延迟2和3支持
支持连拍交织和
突发中断操作
突发长度可编程为1， 2 ， 4 ，
和8
两家银行的片交错
（无缝连接）
环境温度范围
0 ° C至70℃
镀金触点
流水线架构
串行存在检测（ SPD ）使用
EEPROM
’xSN64EPU-12A
’xSN64EPU-12
12纳秒
12纳秒
15纳秒
18纳秒
64毫秒
64毫秒
CL = CAS延迟
-12A高速设备仅支持在-5 + 10 ％ VDD
描述
该TM2SN64EPU是16M字节， 168针的双列直插式存储器模块（DIMM） 。该DIMM由
8 TMS626812DGE ， 2 097 152 ×8位的SDRAM ，每一个400万， 44引脚塑料薄小外形封装
（ TSOP ）安装有去耦电容的基板上。看到TMS626812数据表（文献编号
SMOS687).
该TM4SN64EPU是一个32M字节， 168针DIMM 。该DIMM由16 TMS626812DGE ，
2 097 152 ×8位的SDRAM ，每一个400万， 44引脚塑料TSOP安装去耦用的基板上
电容器。看到TMS626812数据表（文献编号SMOS687 ） 。
手术
该TM2SN64EPU操作被连接如图所示的八个TMS626812DGE设备
TM2SN64EPU功能框图。该TM4SN64EPU工作16 TMS626812DGE设备
所示连接在TM4SN64EPU功能框图。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1997年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
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同步动态RAM模块
SMMS681 - 1997年8月
双列直插存储器模块和组件
双列直插式存储器模块和组件包括：
D
D
D
PC基材： 1,27
±
0.1毫米（0.05英寸）的公称厚度; 0.005英寸/英寸最大翘曲
旁路电容：多层陶瓷
接触面积：镀镍和镀金铜线
为TM2SN64EPU功能框图
S0
RC
CS
CS
CK ： U0 ， U4
CK0
U4
DQMB4
R
DQ [0：7 ]
DQ [ 32:39 ]
8
DQM
DQ [0：7 ]
CK2
CS
CS
RC
CK3
U1
DQMB1
R
DQ [ 8:15 ]
8
DQM
DQ [0：7 ]
DQMB5
R
DQ [ 40:47 ]
8
DQM
DQ [0：7 ]
R = 10
RC = 10
C = 10 pF的
U5
C
C
CK1
RC
CK ： U1 ， U5
U0
DQMB0
R
DQ [0：7 ]
8
DQM
RC
CK ： U2 ， U6
RC
CK ： U3 ， U7
RC
S2
CS
CS
VDD
U2
DQMB2
R
DQ [ 16:23 ]
8
DQM
DQ [0：7 ]
DQMB6
R
DQ [ 48:55 ]
8
DQM
DQ [0：7 ]
U6
VSS
U[0:7]
两个0.1
F
（最小）元
SDRAM
U[0:7]
SPD EEPROM
CS
CS
SCL
A0
U3
DQMB3
R
DQ [ 24:31 ]
RAS
CAS
WE
CKE0
A[0:11]
8
DQM
DQ [0：7 ]
DQMB7
R
DQ [ 56:63 ]
8
DQM
DQ [0：7 ]
芯片选择
串行存在检测
U7
SA0
SA1
SA2
A1
A2
SDA
RAS ： SDRAM U [ 0 ： 7 ]
CAS ： SDRAM U [ 0 ： 7 ]
WE： SDRAM U [ 0 ： 7 ]
CKE ： SDRAM U [ 0 ： 7 ]
A [ ○时11分] ： SDRAM U [ 0 ： 7 ]
注： CS =
SPD =
4
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同步动态RAM模块
SMMS681 - 1997年8月
为TM4SN64EPU功能框图
S1
S0
CS
CS
CS
CS
VSS
U0
DQMB0
R
DQ [0：7 ]
8
DQM
DQ [0：7 ]
UB0
DQM
DQ [0：7 ]
DQMB4
R
DQ [ 32:39 ]
8
U4
DQM
DQ [0：7 ]
UB4
DQM
DQ [0：7 ]
VDD
CS
CS
CS
CS
CKE1
CKE0
RAS
CAS
WE
A[0:11]
10 K
CKE ： UB [ 0 ： 7 ]
CKE ： U [ 0 ： 7 ]
RAS ： U [ 0 ： 7 ] ， UB [ 0 ： 7 ]
CAS ： U [ 0 ： 7 ] ， UB [ 0 ： 7 ]
WE： U [ 0 ： 7 ] ， UB [ 0 ： 7 ]
A [ ○时11分] ： U [ 0 ： 7 ] ， UB [ 0 ： 7 ]
RC
CK ： U0 ， U4
CK0
CS
CS
CS
CS
CK1
U2
DQMB2
R
DQ [ 16:23 ]
8
DQM
DQ [0：7 ]
UB2
DQM
DQ [0：7 ]
DQMB6
R
DQ [ 48:55 ]
8
U6
DQM
DQ [0：7 ]
UB6
DQM
CK2
DQ [0：7 ]
RC
CK ： U1 ， U5
RC
CK ： UB0 ， UB4
RC
CK ： UB1 ， UB5
RC
CK ： U2 ， U6
RC
CK ： U3 ， U7
RC
CK ： UB2 ， UB6
CS
CS
CS
CS
CK3
RC
CK ： UB3 ， UB7
SPD EEPROM
SCL
A0
A1
A2
SDA
R = 10
RC = 10
VDD
U [ 0 ： 7 ] ， UB [ 0 ： 7 ]
两个0.1
F
（最小）元
SDRAM
U [ 0 ： 7 ] ， UB [ 0 ： 7 ]
U1
DQMB1
R
DQ [ 8:15 ]
8
DQM
DQ [0：7 ]
UB1
DQM
DQ [0：7 ]
DQMB5
R
DQ [ 40:47 ]
8
U5
DQM
DQ [0：7 ]
UB5
DQM
DQ [0：7 ]
S3
S2
U3
DQMB3
R
DQ [ 24:31 ]
8
DQM
DQ [0：7 ]
UB3
DQM
DQ [0：7 ]
DQMB7
R
DQ [ 56:63 ]
8
U7
DQM
DQ [0：7 ]
UB7
DQM
DQ [0：7 ]
SA0 SA1 SA2
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5
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