TM4EP64BJN ， TM4EP64BPN ， TM4EP64CJN ， TM4EP64CPN 4194304 64位
TM4EP72BJN ， TM4EP72BPN ， TM4EP72CJN ， TM4EP72CPN 4194304 72位
扩展-DATA -OUT动态内存模块
SMMS682A - 八月1997-1998修订1998年3月
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组织
- TM4EP64xxN -XX 。 。 。 4 194 304
×
64位
- TM4EP72xxN -XX 。 。 。 4 194 304
×
72位
采用3.3 V单电源
（±10％容限）
JEDEC 168引脚双列直插式内存
模块（ DIMM ）无缓冲以用于
插座
TM4EP64xxN - XX - 采用十六16M位
高速（4M
×
4位），动态RAM
TM4EP72xxN - XX - 利用十八
16M位高速（ 4M
×
4位）动态
RAM的
高速，低噪声LVTTL接口
高可靠性塑胶26分之24引脚
300密耳宽表面贴装小外形
J形引线（ SOJ ）包（ DJ后缀）和
二十六分之二十四引脚300密耳宽表面贴装
薄型小尺寸封装（ TSOP ）
（ DGA后缀）
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龙刷新周期：
- TM4EPxxCxN ： 64毫秒（ 4 096周期）
- TM4EPxxBxN ： 32毫秒（ 2 048周期）
三态输出
扩展 - 数据输出（ EDO ）操作使用
CAS先于RAS （ CBR ） ， RAS -而已，
隐藏刷新
串行存在检测（ SPD ）使用
EEPROM
环境温度范围
0 ° C至70℃
镀金触点
性能范围
ACCESS
时间
TRAC
（最大）
50纳秒
60纳秒
70纳秒
ACCESS ACCESS EDO
时间
CYCLE TIME
大隘社
TAA
THPC
（最大）
（最大）
（分钟）
13纳秒
25纳秒
20纳秒
15纳秒
30纳秒
25纳秒
18纳秒
35纳秒
30纳秒
’4EPxxxxN-50
’4EPxxxxN-60
’4EPxxxxN-70
描述
该TM4EP64xxN是32M字节， 168针，双列直插存储器模块（DIMM） 。该DIMM由
16 TMS42x409A ， 4 194 304
×
4位EDO动态随机存取存储器（DRAM ） ，在每一个300密耳，
26引脚塑料薄型小尺寸封装（ TSOP ） （ DGA后缀）安装与去耦在衬底上
电容器。看到TMS42x409A数据表（文献编号SMKS893 ） 。该TM4EP64xJN可与
一个SOJ封装（ DJ后缀） 。
该TM4EP72xxN是一个32M字节， 168针DIMM 。该DIMM由18 TMS42x409A ，
4 194 304
×
4位EDO DRAM中，在每一个300密耳， 26针塑料TSOP （ DGA的后缀）安装有一个基片上
去耦电容。看到TMS42x409A数据表（文献编号SMKS893 ） 。该TM4EP72xJN是
可以用SOJ packaage （ DJ后缀） 。
手术
该TM4EP64xxN操作被连接如图中TM4EP64xxN功能16 TMS42x409As
框图。该TM4EP72xxN操作被连接如图中18 TMS42x409As
TM4EP72xxN功能框图。
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版权
1998年，德州仪器
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标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
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