TM4EP72BPB ， TM4EP72BJB ， 4194304 72位

TM4EP72CPB ， TM4EP72CJB 4194304 72位

扩展数据输出缓冲器的动态内存模块

SMMS686A - 1997年8月 - 修订1998年2月

D

组织。 。 。 4 194 304

×

72位

D

采用3.3 V单电源

D

D

D

D

（±10％容限）

JEDEC 168引脚双列直插式内存

模块（DIMM）用缓冲液以用于

插座

TM4EP72xxB - XX - 使用十八16M位

高速（4M

×

4位），动态随机

存取存储器（DRAM ）

高速，低噪声LVTTL接口

高可靠性塑胶26引脚

300密耳宽表面贴装小外形

J形引线（ SOJ ）包（ DJ后缀）和

26引脚300mil的范围的表面贴装薄膜

小外形封装（ TSOP ） （ DGA后缀）

用于工作站/服务器

应用

D

龙刷新周期：

D

D

D

D

D

- TM4EP72CxB ： 64毫秒（ 4 096周期）

- TM4EP72BxB ： 32毫秒（ 2 048周期）

三态输出

扩展 - 数据输出（ EDO ）操作使用

CAS先于RAS （ CBR ） ， RAS -而已，

隐藏刷新

环境温度范围

0 ° C至70℃

镀金触点

性能范围

ACCESS

时间

TRAC

（最大）

’4EP72xxB-50

50纳秒

’4EP72xxB-60

60纳秒

’4EP72xxB-70

70纳秒

ACCESS ACCESS EDO

时间

CYCLE TIME

大隘社

TAA

THPC

（最大）

（最大）

（分钟）

13纳秒

25纳秒

20纳秒

15纳秒

30纳秒

25纳秒

18纳秒

35纳秒

30纳秒

D

描述

该TM4EP72BxB是32M字节， 168针，缓冲双列直插存储器模块（DIMM） 。该DIMM是

由18 TMS427409A ， 4 194 304

×

4位的2K刷新的EDO DRAM的每一个均处于300密耳， 26导联

塑料的TSOP （DGA后缀）或SOJ封装（ DJ后缀） ，以及两个SN74LVT162244 16位缓冲器，每一个

48引脚塑料TSOP安装与去耦电容的衬底上。看到TMS427409A数据表

（文献编号SMKS893 ） 。

该TM4EP72CxB是一个32M字节， 168针，缓冲DIMM 。该DIMM由18 TMS426409A ，

4 194 304

×

4位4K刷新的EDO DRAM的每一个均处于300密耳， 26引脚塑料TSOP （DGA后缀）或SOJ包

（DJ后缀） ，和两个16位的缓冲器安装有去耦电容的基板上。看到TMS427409A

数据表（文献编号SMKS893 ） 。

这些模块用于在需要缓冲多模块工作站/服务器应用程序

地址和控制信号。两个副本的地址0 （ A0和B0 ）被定义为允许的最大性能

为两个4字节银行之间交错的4字节的应用程序。 A0是常见的用于DRAM的

DQ0 - DQ31 ，而B 0是常见的用于DQ32 - DQ63的DRAM中。

手术

该TM4EP72xxB操作被连接如图中TM4EP72xxB如18 TMS42x409As

功能框图。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1998年，德州仪器

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

1

SMMS686A - 1997年8月 - 修订1998年2月

TM4EP72BPB ， TM4EP72BJB ， 4194304 72位

TM4EP72CPB ， TM4EP72CJB 4194304 72位

扩展数据输出缓冲器的动态内存模块

双列直插式内存模块

（顶视图）

TM4EP72xPB

（ SIDE VIEW ）

插脚的命名 - TM4EP72BxB

A[0:10]

A[0:10]

B0

DQ [ 0:63 ]

CB [ 0 ： 7 ]

ID为[ 0：1]

CAS0和CAS4

RAS0和RAS2

WE0和WE2

OE0和OE2

PD [ 1 ：8]

PDE

NC

VDD

VSS

行地址输入

列地址输入

ADDR0为银行2设备

数据输入/出

校验位入/签出位

ID引脚

列地址选通

行地址选通

写使能

OUTPUT ENABLE

设备检测

设备检测启用

无连接引脚

3.3 V电源

地

1

10

11

插脚的命名 - TM4EP72CxB

A[0:11]

A[0:9]

B0

DQ [ 0:63 ]

CB [ 0 ： 7 ]

ID为[ 0：1]

CAS0和CAS4

RAS0和RAS2

WE0和WE2

OE0和OE2

PD [ 1 ：8]

PDE

NC

VDD

VSS

行地址输入

列地址输入

ADDR0为银行2设备

数据输入/出

校验位入/签出位

ID引脚

列地址选通

行地址选通

写使能

OUTPUT ENABLE

设备检测

设备检测启用

无连接引脚

3.3 V电源

地

40

41

设备检测

针

PD1

PD2

PD3

PD4

PD5

PD6

PD7

84

PD8

ID0

ID1

50

1

1

0

1

1

0

0

0

0

0

60

1

1

0

1

1

1

1

0

0

0

70

1

1

0

1

1

0

1

0

0

0

2

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

号

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

12

10

11

9

8

7

6

5

4

3

2

1

针

名字

RAS0

CAS0

DQ15

VDD

DQ14

DQ13

DQ12

DQ10

DQ11

VDD

WE0

VDD

NC

VDD

DQ4

VSS

DQ9

DQ8

DQ7

DQ6

DQ5

DQ3

DQ2

DQ1

VSS

DQ0

VSS

A0

OE0

VSS

NC

CB1

CB0

A10

NC

NC

NC

NC

A8

A6

A4

A2

号

84

83

82

81

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

43

TM4EP72BPB ， TM4EP72BJB ， 4194304 72位

TM4EP72CPB ， TM4EP72CJB 4194304 72位

扩展数据输出缓冲器的动态内存模块

邮政信箱1443

针

名字

引脚分配

DQ31

DQ30

DQ29

VDD

DQ28

DQ27

DQ26

DQ25

VSS

DQ24

DQ23

DQ22

DQ21

VDD

DQ20

DQ19

DQ18

DQ17

VSS

DQ16

CAS4

RAS2

WE2

VDD

VDD

NC

VSS

PD1

VSS

OE2

PD7

PD5

PD3

CB3

CB2

ID0

NC

NC

NC

NC

NC

NC

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

号

126

125

124

123

122

121

120

109

108

107

106

105

104

103

102

101

100

119

118

117

116

115

114

113

112

110

111

99

98

97

96

95

94

93

92

91

90

89

88

87

86

85

针

名字

DQ47

VDD

DQ46

DQ45

DQ44

DQ43

DQ42

VSS

DQ41

DQ40

DQ39

DQ38

DQ37

VDD

DQ36

DQ35

DQ34

DQ33

VSS

DQ32

VDD

NC

VDD

NC

VSS

A1

VSS

NC

CB5

CB4

A11

NC

NC

NC

NC

NC

NC

B0

A9

A7

A5

A3

号

168

167

166

165

164

163

162

161

160

159

158

157

156

155

154

153

152

151

150

149

148

147

146

145

144

143

142

141

140

139

138

137

136

135

134

133

132

131

130

129

128

127

针

名字

DQ63

DQ62

DQ61

VDD

DQ60

DQ59

DQ58

DQ57

VSS

DQ56

DQ55

DQ54

DQ53

VDD

DQ52

DQ51

DQ50

DQ49

VSS

DQ48

VDD

VDD

NC

PDE

VSS

PD2

VSS

NC

PD8

PD6

PD4

CB7

CB6

ID1

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

SMMS686A - 1997年8月 - 修订1998年2月

3

SMMS686A - 1997年8月 - 修订1998年2月

TM4EP72BPB ， TM4EP72BJB ， 4194304 72位

TM4EP72CPB ， TM4EP72CJB 4194304 72位

扩展数据输出缓冲器的动态内存模块

缓冲双列直插存储器模块和组件

所述缓冲双列直插存储器模块和组件包括：

D

PC基材： 1,27

＆ QUOT ;

0.1毫米（0.05英寸）的公称厚度; 0.005英寸/英寸最大翘曲

D

旁路电容：多层陶瓷

D

接触面积：镀镍和镀金铜线

为TM4EP72xxB功能框图

RAS0

WE0

OE0

CAS0

CAS

DQ [0：3 ]

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [4 ： 7 ]

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [ 8:11 ]

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [ 12:15 ]

DQ [0：3 ]

CAS

CB [ 0 ： 3 ]

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [ 16:19 ]

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [ 20:23 ]

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [ 24:27 ]

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [ 28:31 ]

DQ [0：3 ]

OE

OE

OE

OE

OE

OE

OE

OE

OE

W

U0

RAS

DQ [ 32:35 ]

RAS

DQ [ 36:39 ]

RAS

DQ [ 40:43 ]

RAS

DQ [ 44:47 ]

RAS

CB [4 ： 7 ]

RAS

DQ [ 48:51 ]

RAS

DQ [ 52:55 ]

RAS

DQ [ 56:59 ]

RAS

DQ [ 60:63 ]

RAS2

WE2

OE2

CAS4

CAS

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [0：3 ]

CAS

DQ [0：3 ]

OE

OE

OE

OE

OE

OE

OE

OE

OE

W

RAS

UB0

W

U1

W

RAS

UB1

W

U2

W

RAS

UB2

W

U3

W

RAS

UB3

W

U8

W

RAS

UB8

W

U4

W

RAS

UB4

W

U5

W

RAS

UB5

W

U6

W

RAS

UB6

W

U7

W

RAS

UB7

A0

B0

A [ 1 ： N]

U[0:8]

UB [ 0 ： 8 ]

A [ 1 ： N] ： U [ 0 ： 8 ] ， UB [ 0 ： 8 ]

VDD

U [ 0 ： 8 ] ， UB [ 0 ： 8 ]

两个0.1

F

（最小）

每个DRAM

VSS

U [ 0 ： 8 ] ， UB [ 0 ： 8 ]

4

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休斯敦，得克萨斯州77251-1443

TM4EP72BPB ， TM4EP72BJB ， 4194304 72位

TM4EP72CPB ， TM4EP72CJB 4194304 72位

扩展数据输出缓冲器的动态内存模块

SMMS686A - 1997年8月 - 修订1998年2月

在环境温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

DD

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

任何引脚电压范围（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5 V至4.6 V

短路输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

功耗： TM4EP72xxB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20瓦

环境温度范围，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：所有的电压值是相对于VSS。

推荐工作条件

民

3

2

0

喃

最大

单位

V

V

V

V

VDD

VSS

VIH

VIL

TA

电源电压

3.3

0

3.6

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压

环境温度

0.3

VDD + 0.3

0.8

70

°C

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

5