TM4EJ64KPU ， TM4EJ64NPU ， TM4FJ64KPU ， TM4FJ64NPU ， 4194304 64位

TM8EJ64KPU ， TM8EJ64NPU ， TM8FJ64KPU ， TM8FJ64NPU ， 8388608 64位

扩展数据输出动态RAM模块的SODIMM

SMMS693A - 1997年8月 - 修订1997年11月

D

组织

D

D

D

D

D

D

D

D

描述

该TM4xJ64KPU是32M字节， 144针，小外形双列直插内存模块（ SODIMM ） 。该SODIMM

由四个TMS465169 / P 4 194 304

×

16位4K正常或低功耗电池备份刷新EDO

动态随机存取存储器（ DRAM ）的设备，每一个400万， 50引脚塑料薄小外形封装

（ TSOP ）（ DGE后缀）包装用的去耦电容器的基片上。看到TMS465169 / P数据

表（文献编号SMHS566 ） 。

该TM4xJ64NPU是一个32M字节， 144针SODIMM 。该SODIMM由四个TMS464169 / P ，

4 194 304

×

16位8K正常或低功耗电池备份刷新EDO DRAM中，每一个400万， 50引脚塑料

TSOP （ DGE后缀）安装有去耦电容的基板上。看到TMS464169 / P数据表

（文献编号SMHS566 ） 。

该TM8xJ64KPU是一个64M字节， 144针SODIMM 。中的SODIMM由八个TMS465169 / P

4 194 304

×

16位4K正常或低功耗电池备份刷新EDO DRAM中，每一个400万， 50引脚塑料

TSOP （ DGE后缀）安装有去耦电容的基板上。

该TM8xJ64NPU是一个64M字节， 144针SODIMM 。中的SODIMM由八个TMS464169 / P

4 194 304

×

16位8K正常或低功耗电池备份刷新EDO DRAM中，每一个400万， 50引脚塑料

TSOP （ DGE后缀）安装有去耦电容的基板上。

手术

该TM4xJ64xPU操作为被连接如图中TMxxJ64xPU官能4 TMS46x169 /诗

框图。该TM8xJ64xPU操作为被连接如图所示的8 TMS46x169 /诗

TMxxJ64xPU功能框图。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

产品预览资料涉及产品的形成或

开发设计阶段。特征数据和其他

规格是设计目标。德州仪器公司保留权利，以

变更通知或不通知终止这些产品。

版权

1997年，德州仪器

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

1

产品预览

- TM4xJ64xPU -XX 。 。 。 4 194 304

×

64位

- TM8xJ64xPU -XX 。 。 。 8 388 608

×

64位

采用3.3 V单电源

（±10％容限）

JEDEC 144引脚小外形双列直插式

内存模块（ SODIMM ）无缓冲

对于使用带插座

TM4xJ64xPU - XX - 利用四个64M位

高速（4M

×

16位），动态RAM

TM4xJ64xPU - XX - 采用八64M位

高速（4M

×

16位），动态RAM

高速，低噪声LVTTL接口

高可靠性50引线400密耳宽

表面贴装薄型小尺寸封装

（ TSOP ） （ DGE后缀）

三态输出

镀金触点

D

龙刷新周期：

- TMxEJ64KPU ： 64毫秒（ 4 096周期）

- TMxEJ64NPU ： 64毫秒（ 8 192周期）

- TMxFJ64KPU ： 128毫秒（ 4 096周期）

- TMxFJ64NPU ： 128毫秒（ 8 192周期）

扩展数据输出（ EDO ）操作使用

CAS先于RAS （ CBR ） ， RAS -而已，

隐藏刷新

串行存在检测（ SPD ）使用

EEPROM

环境温度范围

0 ° C至70℃

性能范围

ACCESS

时间

TRAC

（最大）

40纳秒

50纳秒

60纳秒

ACCESS ACCESS EDO

时间

CYCLE TIME

大隘社

TAA

THPC

（最大）

（最大）

（分钟）

11纳秒

20纳秒

16纳秒

13纳秒

25纳秒

20纳秒

15纳秒

30纳秒

25纳秒

D

D

D

D

’xxJ64xPU-40

’xxJ64xPU-50

’xxJ64xPU-60

SMMS693A - 1997年8月 - 修订1997年11月

TM4EJ64KPU ， TM4EJ64NPU ， TM4FJ64KPU ， TM4FJ64NPU ， 4194304 64位

TM8EJ64KPU ， TM8EJ64NPU ， TM8FJ64KPU ， TM8FJ64NPU ， 8388608 64位

扩展数据输出动态RAM模块的SODIMM

双列直插式内存模块

（顶视图）

TM4xJ64xPU

（ SIDE VIEW ）

TM8xJ64xPU

（ SIDE VIEW ）

插脚的命名 - TMxxJ64KPU

A[0:11]

A[0:9]

DQ [ 0:63 ]

CAS号[0：7 ]

RAS0和RAS1

WE0

OE0

SDA

SCL

NC

VDD

VSS

行地址输入

列地址输入

数据输入/出

列地址选通

行地址选通

写使能

OUTPUT ENABLE

串行PD地址/数据

串行时钟PD

无连接引脚

3.3 V电源

地

1

插脚的命名 - TMxxJ64NPU

A[0:12]

A[0:8]

DQ [ 0:63 ]

CAS号[0：7 ]

RAS0和RAS1

WE0

OE0

SDA

SCL

NC

VDD

VSS

行地址输入

列地址输入

数据输入/出

列地址选通

行地址选通

写使能

OUTPUT ENABLE

串行PD地址/数据

串行时钟PD

无连接引脚

3.3 V电源

地

59

产品预览

61

143

2

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

号

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

12

10

11

9

8

7

6

5

4

3

2

1

TM4EJ64KPU ， TM4EJ64NPU ， TM4FJ64KPU ， TM4FJ64NPU ， 4194304 64位

TM8EJ64KPU ， TM8EJ64NPU ， TM8FJ64KPU ， TM8FJ64NPU ， 8388608 64位

扩展数据输出动态RAM模块的SODIMM

针

名字

DQ36

DQ35

DQ34

DQ33

DQ32

VDD

VDD

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

DQ0

VSS

VSS

号

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

针

名字

引脚分配

DQ45

DQ13

DQ44

DQ12

DQ43

DQ42

DQ10

DQ41

DQ40

DQ11

VDD

VDD

DQ9

DQ8

号

86

85

84

83

82

81

80

79

78

77

76

75

74

73

针

名字

DQ49

DQ17

DQ48

DQ16

SMMS693A - 1997年8月 - 修订1997年11月

VDD

VDD

VSS

VSS

OE0

NC

NC

NC

NC

NC

号

122

121

120

109

119

118

117

116

115

114

113

112

110

111

针

名字

DQ56

DQ24

CAS7

CAS3

CAS6

CAS2

VDD

VDD

VSS

VSS

A10

A12

NC

A9

产品预览

CAS5

CAS1

CAS4

CAS0

DQ39

DQ38

DQ37

VDD

VDD

DQ7

DQ6

DQ5

VSS

VSS

VSS

VSS

A5

A2

A4

A1

A3

A0

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

邮政信箱1443

RAS1

RAS0

DQ47

DQ15

DQ46

DQ14

WE0

VDD

VDD

VSS

VSS

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

108

107

106

105

104

103

102

101

100

99

98

97

96

95

94

93

92

91

90

89

88

87

DQ55

DQ23

DQ54

DQ22

DQ53

DQ21

DQ52

DQ20

DQ51

DQ19

DQ50

DQ18

VDD

VDD

VSS

VSS

VSS

VSS

A11

A8

A7

A6

144

143

142

141

140

139

138

137

136

135

134

133

132

131

130

129

128

127

126

125

124

123

DQ63

DQ31

DQ62

DQ30

DQ61

DQ29

DQ60

DQ28

DQ59

DQ27

DQ58

DQ26

DQ57

DQ25

VDD

VDD

VDD

VDD

SDA

VSS

VSS

SCL

3

SMMS693A - 1997年8月 - 修订1997年11月

TM4EJ64KPU ， TM4EJ64NPU ， TM4FJ64KPU ， TM4FJ64NPU ， 4194304 64位

TM8EJ64KPU ， TM8EJ64NPU ， TM8FJ64KPU ， TM8FJ64NPU ， 8388608 64位

扩展数据输出动态RAM模块的SODIMM

小外形双列直插存储器模块和组件

在小外形双列直插存储器模块和组件包括：

D

PC基材： 1,10

＆ QUOT ;

0.1毫米（ 0.04英寸）公称厚度

D

旁路电容：多层陶瓷

D

接触面积：镀镍和镀金铜线

下面的表显示了SODIMM模块和所使用的设备（的Ux / UBX ） 。

表1.组件表

模块

TM4xJ64xPU

TM8xJ64xPU

设备中使用

U[0:3]

U [ 0 ： 3 ] ， UB [ 0 ： 3 ]

为TMxxJ64xPU功能框图

RAS0

WE0

OE0

CS W RAS

LCAS

DQ [0：7 ]

U0

CAS1

DQ [ 8:15 ]

UCAS

DQ [ 8:15 ]

RAS1

产品预览

CAS0

DQ [0：7 ]

CS W RAS

LCAS

DQ [0：7 ]

UB0

UCAS

DQ [ 8:15 ]

CAS2

DQ [ 16:23 ]

CS W RAS

LCAS

DQ [0：7 ]

U1

CS W RAS

LCAS

DQ [0：7 ]

UB1

UCAS

DQ [ 8:15 ]

CAS3

DQ [ 24:31 ]

UCAS

DQ [ 8:15 ]

CAS4

DQ [ 32:39 ]

CS W RAS

LCAS

DQ [0：7 ]

U2

CS W RAS

LCAS

DQ [0：7 ]

UB2

UCAS

DQ [ 8:15 ]

SCL

A0

A1

VSS

A[0:12]

A [ 0:12 ] U [ 0 ： 3 ] ， UB [ 0 ： 3 ]

A2

SPD EEPROM

SDA

CAS5

DQ [ 40:47 ]

UCAS

DQ [ 8:15 ]

CAS6

DQ [ 48:55 ]

CS W RAS

LCAS

DQ [0：7 ]

U3

CS W RAS

LCAS

DQ [0：7 ]

UB3

UCAS

DQ [ 8:15 ]

CAS7

DQ [ 56:63 ]

UCAS

DQ [ 8:15 ]

注： SPD =串行存在检测

CS - 片选

A12是不是在TM4xJ64KPU ， TM8xP64KPU使用

4

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

TM4EJ64KPU ， TM4EJ64NPU ， TM4FJ64KPU ， TM4FJ64NPU ， 4194304 64位

TM8EJ64KPU ， TM8EJ64NPU ， TM8FJ64KPU ， TM8FJ64NPU ， 8388608 64位

扩展数据输出动态RAM模块的SODIMM

SMMS693A - 1997年8月 - 修订1997年11月

在环境温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

DD

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

任何引脚电压范围（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5 V至4.6 V

短路输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

功耗： TM4xJ64xPU 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4 W

TM8xJ64xPU 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 W

环境温度范围，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：所有的电压值是相对于VSS。

VIL

TA

低电平输入电压

环境温度

0.3

0

0.8

70

V

°C

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

5

产品预览

民

3

2

2

喃

最大

单位

V

V

V

V

VDD

VSS

电源电压

3.3

0

3.6

电源电压

VIH

VIH - SPD

高电平输入电压

高电平输入电压的SPD器件

VDD + 0.3

5.5

推荐工作条件