TM497FBK32H ， TM497FBK32I 4194304 32位
TM893GBK32H ， TM893GBK32I 8388608 32位
扩展数据输出动态RAM模块
SMMS674A - 1997年3月 - 修订1997年9月
D
组织
D
D
D
- TM497FBK32H / I ： 4 194 304 ×32
- TM893GBK32H / I ： 8 388 608 ×32
采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）
72引脚单列直插式内存模块
（ SIMM ）为使用套接字
TM497FBK32H / I - 使用八个16M位
动态随机存取存储器
（ DRAM的）的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包
TM893GBK32H / I - 使用十六16M位
塑料SOJ封装的DRAM
龙刷新周期
32毫秒（ 2 048周期）
所有输入，输出，时钟全
TTL兼容
三态输出
针对8种常见常用的CAS控制
数据输入和数据输出线在四个街区
扩展数据输出（ EDO ）操作使用
CAS先于RAS （ CBR ） ， RAS -而已，
隐藏刷新
D
设备检测
D
性能范围：
ACCESS ACCESS ACCESS
时间
时间
时间
TRAC
TAA
大隘社
（最大）
（最大）
（最大）
“ 497FBK32H / I- 50 50纳秒
25纳秒
13纳秒
“ 497FBK32H / I- 60 60纳秒
30纳秒
15纳秒
“ 497FBK32H / I- 70 70纳秒
35纳秒
18纳秒
“ 893GBK32H / I- 50 50纳秒
25纳秒
13纳秒
“ 893GBK32H / I- 60 60纳秒
30纳秒
15纳秒
“ 893GBK32H / I- 70 70纳秒
35纳秒
18纳秒
EDO
周期
THPC
（分钟）
20纳秒
25纳秒
30纳秒
20纳秒
25纳秒
30纳秒
D
D
D
D
D
D
D
低功耗
D
工作自由空气的温度范围内
D
D
0 ° C至70℃
金分页版：
TM497FBK32H ， TM893GBK32H
锡铅（可焊）选项卡式版本
可用： TM497FBK32I ， TM893GBK32I
描述
该TM497FBK32H / I是（DRAM）模块组织为四次16M字节的动态随机存取存储器
4 194 304
×
8位中的72引脚无引线单列直插存储器模块（ SIMM ） 。在SIMM由八个
TMS417409ADJ的DRAM ，每26分之24引脚塑料小外形J引线安装在（ SOJ ）包
基板与去耦电容。该TMS417409ADJ是在TMS416409A ， TMS417409A描述
数据表（文献编号SMKS893 ） 。
该TM497FBK32H / I SIMM是与插座采用单面BK无铅模块中使用。该
TM497FBK32H /我提供的50 ，60和70纳秒的RAS存取时间。此装置的特点是操作
从0℃至70℃。
该TM893GBK32H /我是有组织的四倍8388 608 32M字节的DRAM
×
8位在72引脚无引线SIMM 。
在SIMM是由16 TMS417409ADJ的DRAM 。
该TM893GBK32H /我的SIMM是用于与插座使用双面BK无引线模块中提供。该
TM893GBK32H /我提供的50 ，60和70纳秒的RAS存取时间。此装置的特点是操作
从0℃至70℃。
手术
该TM497FBK32H /余操作为8 TMS417409ADJs连接，如图1和表1中的
通用I / O功能要求使用的早期的写周期，以防止争D和Q.
该TM893GBK32H /余操作为16 TMS417409ADJs连接，如图2和表2中。
常见的I / O功能要求使用的早期的写周期，以防止争D和Q.
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