TM497BBK32 ， TM497BBK32S

4194304 32位

动态RAM模块

SMMS433B - 1993年1月 - 修订1995年6月

D

D

D

D

D

D

D

D

D

组织。 。 。 4 194 304

×

32

采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）

72引脚单列直插式内存模块

（ SIMM ）为使用套接字

利用八16兆位DRAM的塑料

小外形J引线（ SOJ ）包

龙刷新周期

32毫秒（ 2048环）

所有输入，输出，时钟完全TTL

兼容

三态输出

针对8种常见常用的CAS控制

数据输入和数据输出线在四个街区

增强的页面模式操作使用

CAS先于RAS （ CBR ） ， RAS -而已，

隐藏刷新

D

D

设备检测

性能范围：

ACCESS ACCESS ACCESS READ OR

时间

时间

时间

写

TRAC

TAA

大隘社

周期

（最大）

（最大）

（最大）

（分钟）

’497BBK32-60

60纳秒

30纳秒

15纳秒

110纳秒

’497BBK32-70

70纳秒

35纳秒

18纳秒

130纳秒

’497BBK32-80

80纳秒

40纳秒

20纳秒

150纳秒

D

D

D

D

低功耗

工作自由空气的温度范围内

0 ° C至70℃

金分页版：

TM497BBK32

锡铅（焊接）选项卡式版本

可用： TM497BBK32S

描述

该TM497BBK32是组织为四次16M字节的动态随机存取存储器（DRAM） 4 194 304

×

8在一个72引脚无引线单列直插存储器模块（ SIMM ） 。在SIMM由八个TMS417400DJ ，

4 194 304

×

4位的DRAM ，每26分之24引脚塑料小外形J引线安装在（ SOJ ）包

基板与去耦电容。该TMS417400DJ是在TMS417400数据手册中描述。

该TM497BBK32 SIMM是与插座采用单面BK无铅模块中使用。该

TM497BBK32 SIMM拥有60纳秒， 70纳秒，和80 ns的RAS访问时间。该装置的特征在于对

操作从0℃至70℃。

手术

该TM497BBK32操作为8 TMS417400DJs所示连接的功能框图和

表1.常见的I / O功能要求使用的早期的写周期，以防止争D和Q.

刷新

刷新周期被延长到32毫秒，在此期间，每2048行必须与选通

RAS以保留数据。 CAS可以保持较高的刷新序列中，以节省电力。

上电

来实现正确的操作， 200的初始暂停

s

后跟最少八个初始化周期是

整个V后需要

CC

电平来实现的。这八个初始化周期需要包括至少一个刷新

（RAS -只或CBR）的周期。

本数据手册材料编号为金标签版本;该信息适用于黄金标签和焊接标签的版本。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1995年，德州仪器

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

1

TM497BBK32 ， TM497BBK32S

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动态RAM模块

SMMS433B - 1993年1月 - 修订1995年6月

BK单列直插式封装

（顶视图）

（ SIDE VIEW ）

VSS

DQ0

DQ16

DQ1

DQ17

DQ2

DQ18

DQ3

DQ19

VCC

NC

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A10

DQ4

DQ20

DQ5

DQ21

DQ6

DQ22

DQ7

DQ23

A7

NC

VCC

A8

A9

NC

RAS2

NC

NC

NC

NC

VSS

CAS0

CAS2

CAS3

CAS1

RAS0

NC

NC

W

NC

DQ8

DQ24

DQ9

DQ25

DQ10

DQ26

DQ11

DQ27

DQ12

DQ28

VCC

DQ29

DQ13

DQ30

DQ14

DQ31

DQ15

NC

PD1

PD2

PD3

PD4

NC

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

51

52

53

54

55

56

57

58

59

60

61

62

63

64

65

66

67

68

69

70

71

72

PIN NOMENCLATURE

A0 – A10

CAS0 - CAS3

DQ0 DQ31

NC

PD1 PD4

RAS0 ， RAS2

VCC

VSS

W

地址输入

列地址选通

数据输入/出

无连接

存在检测

行地址选通

5 V电源

地

写使能

设备检测

信号

（ PIN）

80纳秒

TM497BBK32

70纳秒

60纳秒

PD1

(67)

VSS

VSS

VSS

PD2

(68)

NC

NC

NC

PD3

(69)

NC

VSS

NC

PD4

(70)

VSS

NC

NC

2

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TM497BBK32 ， TM497BBK32S

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表1.连接表

数据块

DQ0 - DQ7

DQ8 - DQ15

DQ16 - DQ23

DQ24 - DQ31

RASx

RAS0

RAS0

RAS2

RAS2

CASx

CAS0

CAS1

CAS2

CAS3

单列直插存储器模块和组件

PC基材： 1,27

±

0.1毫米（0.05英寸）的公称厚度; 0.005英寸/英寸最大翘曲

旁路电容：多层陶瓷

接触面积TM497BBK32 ：镍板和黄金板块在铜

接触面积TM497BBK32S ：镍板和锡铅在铜

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3

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动态RAM模块

功能框图

A0 – A10

RAS0

W

CAS0

11

RAS2

CAS1

11

4M

×

4

A0 – A10

RAS

W

CAS

OE

DQ1 -

DQ4

11

4M

×

4

A0 – A10

RAS

W

CAS

OE

DQ1 -

DQ4

CAS2

11

4M

×

4

A0 – A10

RAS

W

CAS

OE

DQ1 -

DQ4

CAS3

11

4M

×

4

A0 – A10

RAS

W

CAS

OE

DQ1 -

DQ4

4

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模板发布日期： 94年7月11日

DQ0

DQ3

DQ8 -

DQ11

DQ16 -

DQ19

DQ24 -

DQ27

11

4M

×

4

A0 – A10

RAS

W

CAS

OE

DQ1 -

DQ4

11

DQ4 -

DQ7

4M

×

4

A0 – A10

RAS

W

CAS

OE

DQ1 -

DQ4

11

DQ12 -

DQ15

4M

×

4

A0 – A10

RAS

W

CAS

OE

DQ1 -

DQ4

11

DQ20 -

DQ23

4M

×

4

A0 – A10

RAS

W

CAS

OE

DQ1 -

DQ4

DQ28 -

DQ31

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4194304 32位

动态RAM模块

SMMS433B - 1993年1月 - 修订1995年6月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1 V至7 V

任何引脚电压范围（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1 V至7 V

短路输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 W

工作的自由空气的温度范围内，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：所有的电压值是相对于VSS。

推荐工作条件

民

VCC

VIH

VIL

TA

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压（见注2 ）

工作自由空气的温度

4.5

2.4

–1

0

喃

5

最大

5.5

6.5

0.8

70

单位

V

V

V

°C

注2：代数约定，其中，更负（少正）限制被指定为最小，仅用于逻辑电压电平。

电气特性在推荐的电源电压范围和工作的自由空气

温度（除非另有说明）

参数

VOH

VOL

II

IO

ICC1

高电平输出电压

低电平输出电压

输入电流（泄漏）

输出电流（泄漏）

读或写周期电流

（见注3 ）

测试条件

IOH = - 5毫安

IOL = 4.2毫安

VCC = 5.5 V ，

VI = 0 V至6.5 V ，

所有其他= 0 V至VCC

VCC = 5.5 V ，

CAS高

VCC = 5.5 V ，

VO = 0 V至VCC ，

最小周期

’497BBK32-60

民

2.4

0.4

±

80

±

10

880

最大

’497BBK32-70

民

2.4

0.4

±

80

±

10

800

最大

’497BBK32-80

民

2.4

0.4

±

80

±

10

720

最大

单位

V

V

A

A

mA

ICC2

待机电流

VIH = 2.4 V （ TTL ） ，

经过1存储周期，

RAS和CAS高

VIH = VCC - 0.2 V （ CMOS ）

经过1存储周期，

RAS和CAS高

VCC = 5.5 V ，

最小周期，

RAS骑自行车，

CAS高

（ RAS只） ;

RAS后低

CAS低（ CBR ）

VCC = 5.5 V ，

RAS低，

TPC = MIN ，

CAS骑自行车

16

16

16

mA

8

8

8

mA

ICC3

平均刷新电流

（ RAS只或CBR ）

（见注3 ）

平均电流页面

（见注4 ）

880

800

720

mA

ICC4

560

480

400

mA

对于显示为MIN / MAX的测试条件下，使用推荐的工作条件下，指定相应的值。

注：3.测得的最大地址变化，而RAS = VIL的

4.测得的最大地址变化，而CAS = VIH的

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

5