TM4100EAD9

4194304 9位

动态RAM模块

SMMS419C - 1991年11月 - 修订1995年6月

D

D

D

D

D

D

D

D

组织。 。 。 4 194 304

×

9

采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）

30脚单列直插式内存模块

（ SIMM ）为使用套接字

利用九4兆位动态RAM中

塑料小外形J引线封装

（ SOJs ）

龙刷新周期

16毫秒（ 1024个周期）

所有输入，输出和时钟完全TTL

兼容

三态输出

性能范围：

ACCESS ACCESS READ ACCESS

时间

时间

时间

OR

（ TRAC ） （ TCAC ）

（TAA）

写

周期

（最大）

（最大）

（最大）

（分钟）

“ 4100EAD9-60 60纳秒

15纳秒

30纳秒

110纳秒

“ 4100EAD9-70 70纳秒

18纳秒

35纳秒

130纳秒

“ 4100EAD9-80 80纳秒

20纳秒

40纳秒

150纳秒

单列直插式模块

（顶视图）

D

D

D

D

针对8种常见常用的CAS控制

数据输入和数据输出线

独立的CAS控制一个独立

对数据输入和数据输出线

低功耗

工作自由空气的温度范围内

0 ° C至70℃

V

CC

CAS

DQ1

A0

A1

DQ2

A2

A3

V

SS

DQ3

A4

A5

DQ4

A6

A7

DQ5

A8

A9

A10

DQ6

W

V

SS

DQ7

NC

DQ8

Q9

RAS

CAS9

D9

V

CC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

描述

该TM4100EAD9是一个动态随机存取

内存模块划分为4 194 304

×

9位

9 （ D9， Q9）一般是用于奇偶校验和是

通过CAS9 ]在一个30引脚无引线单控

列直插式内存模块（ SIMM ） 。

该模块由九个TMS44100DJ ，

4 194 304

×

1位动态RAM （ DRAM的）每个

A20 / 26引脚塑料小外形J形引脚封装

（ SOJ ）与安装去耦在衬底上

电容器。

该TM4100EAD9的特点是操作

从0℃至70℃ ，并在AD可用

与使用单面，无铅模块

插槽。

PIN NOMENCLATURE

A0 –A10

CAS ， CAS9

DQ1 - DQ8

D9

NC

Q9

RAS

VCC

VSS

W

地址输入

列地址选通

数据输入/出

DATA IN

无内部连接

数据输出

行地址选通

5 V电源

地

写使能

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1995年，德州仪器

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

1

TM4100EAD9

4194304 9位

动态RAM模块

SMMS419C - 1991年11月 - 修订1995年6月

功能框图

A0 – A10

RAS

CAS

W

11

DQ1

4096K

×

1

A0 – A10

RAS

CAS

W

Q

D

VCC Vss的

4096K

×

1

A0 – A10

RAS

CAS

W

Q

D

VCC Vss的

4096K

×

1

A0 – A10

RAS

CAS

W

Q

D

VCC Vss的

4096K

×

1

A0 – A10

RAS

CAS

W

Q

D

VCC Vss的

11

DQ5

4096K

×

1

A0 – A10

RAS

CAS

Q

W

D

VCC Vss的

4096K

×

1

A0 – A10

RAS

CAS

W

Q

D

VCC Vss的

4096K

×

1

A0 – A10

RAS

CAS

W

Q

D

VCC Vss的

4096K

×

1

A0 – A10

RAS

CAS

W

Q

D

VCC Vss的

4096K

×

1

A0 – A10

RAS

CAS

W

Q

D

VCC Vss的

11

11

DQ2

DQ6

11

11

DQ3

DQ7

11

11

DQ4

DQ8

11

CAS9

D9

Q9

VCC

C . . . .C

VSS

2

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4194304 9位

动态RAM模块

SMMS419C - 1991年11月 - 修订1995年6月

手术

该TM4100EAD9操作为9 TMS44100DJs所示连接的功能框图。参考

到TMS44100数据表的操作细节。在TM4100EAD9使然的通用I / O功能

使用早期的写周期，以防止争用在D和Q.

单列直插存储器模块和组件

PC基板： 1,27毫米（0.05英寸）的公称厚度; 0.005英寸/英寸最大翘曲

旁路电容：多层陶瓷

接触面积可插设备：镍板和钢板焊在铜

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3

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在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

任何引脚电压范围（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1 V至7 V

在V电压范围

CC

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1 V至7 V

短路输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9瓦

工作的自由空气的温度范围内，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：所有的电压值是相对于VSS。

推荐工作条件

民

VCC

VIH

VIL

TA

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压（见注2 ）

工作自由空气的温度

4.5

2.4

–1

0

喃

5

最大

5.5

6.5

0.8

70

单位

V

V

V

°C

注2：代数约定，其中，更负（少正）限制被指定为最小，仅用于逻辑电压电平。

电气特性在推荐的电源电压范围和工作的自由空气

温度（除非另有说明）

参数

VOH

VOL

II

IO

ICC1

高电平输出电压

低电平输出电压

输入电流（泄漏）

输出电流（泄漏）

读或写周期电流

（见注3 ）

测试条件

IOH = - 5毫安

IOL = 4.2毫安

VCC = 5.5 V ，

VI = 0 V至6.5 V ，

所有其他= 0 V至VCC

VCC = 5.5 V ，

CAS高

VCC = 5.5 V ，

VO = 0 V至VCC ，

’4100EAD9-60

民

2.4

0.4

±10

±10

945

最大

’4100EAD9-70

民

2.4

0.4

±10

±10

810

最大

’4100EAD9-80

民

2.4

0.4

±10

±10

720

最大

单位

V

V

A

A

mA

最小周期

ICC2

待机电流

经过1存储周期，

RAS和CAS高，

VIH = 2.4 V （ TTL ）

经过1存储周期，

RAS和CAS高，

VIH = VCC - 0.2 V （ CMOS ）

VCC = 5.5 V ，

最小周期，

RAS骑自行车，

CAS高（仅RAS ） ，

RAS低CAS低（ CBR ）后

VCC = 5.5 V ，

RAS低，

TPC =最小，

CAS骑自行车

18

18

18

mA

9

9

9

mA

ICC3

平均刷新电流

（ RAS只或CBR ）

（见注3 ）

平均电流页面

（见注4 ）

945

810

720

mA

ICC4

810

720

630

mA

注：3.测得的最大地址变化，而RAS = VIL的

4.测得的最大地址变化，而CAS = VIH的

4

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动态RAM模块

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电容在推荐的电源电压范围和经营自由的空气温度，

F = 1兆赫（见注5 ）

参数

CI （ A）

慈（ D）

CI （ RC ）

次（W）的

共（DQ）

CO

输入电容， A0 - A10

输入电容，数据输入（引脚D9）

输入电容， CAS和RAS

输入电容，W

输出电容， DQ1 - Q8

输出电容， Q9

民

最大

45

5

63

63

12

7

单位

pF

pF

pF

pF

pF

pF

注5 ： VCC = 5 V

±

0.5 V和测试引脚偏置为0V。

开关特性在推荐的电源电压范围和工作的自由空气

温度

参数

TAA

大隘社

TCPA

TRAC

TCLZ

花花公子

从列地址访问时间

中国科学院低访问时间

从列预充电时间访问

从RAS低访问时间

CAS输出的低阻抗

经过CAS高输出禁止时间（见注6 ）

0

0

15

’4100EAD9-60

民

最大

30

15

35

60

0

0

18

’4100EAD9-70

民

最大

35

18

40

70

0

0

20

’4100EAD9-80

民

最大

40

20

45

80

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

注6 ：当输出不再驱动TOFF是指定的。

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