三菱晶闸管模块
TM200DZ/CZ/PZ-M,-H,-24,-2H
高功率一般使用
绝缘型
TM200DZ/CZ/PZ-M,-H,-24,-2H
I
T（ AV ）
V
RRM
通态平均电流..........
200A
反向重复峰值电压
........
400/800/1200/1600V
V
DRM
重复峰值断态电压
........
400/800/1200/1600V
双臂
绝缘型
UL认可
黄牌号E80276 （N ）
文件编号E80271
（ DZ型）
应用
直流电动机的控制，数控设备，交流电机控制，非接触开关，
电炉温度控制，调光器
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
3–φ6.5
4–M8
A
1
K
1
K
2
A
2
K2
G2
（DZ）
CR
1
A
1
40
K
2
G
2
K
2
A
2
CR
2
K
1
G
1
K
1
20
K1
G1
6
18
30
68.5
16
32
18
30
68.5
150
16
（ CZ ）
CR
1
A
1
K
1
K
2
Tab#110,
t=0.5
（ PZ ）
CR
1
32
39
A
1
K
1
K
2
CR
2
A
2
K
1
G
1
K
2
G
2
9
CR
2
A
2
K
1
G
1
K
2
G
2
（ DZ型）
7
23
LABEL
（加粗线是连通吧。 ）
Feb.1999
三菱晶闸管模块
TM200DZ/CZ/PZ-M,-H,-24,-2H
高功率一般使用
绝缘型
绝对最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
R（ DC）的
V
DRM
V
帝斯曼
V
D（ DC）的
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
采用直流反接电压
重复峰值断态电压
非重复峰值断态电压
DC断态电压
电压等级
M
400
480
320
400
480
320
H
800
960
640
800
960
640
24
1200
1350
960
1200
1350
960
2H
1600
1700
1280
1600
1700
1280
单位
V
V
V
V
V
V
符号
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2t
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
英镑
V
ISO
参数
RMS通态电流
平均通态电流
浪涌（非重复）通态电流
I
2t
对于融合
条件
评级
310
单位
A
A
A
A
2
s
A / μs的
W
W
V
V
A
°C
°C
V
N·m的
Kgcm
N·m的
Kgcm
g
单相半波180度通电，T
C
=64°C
一个半周期在60Hz ，峰值
用于浪涌电流的一个周期的值
V
D
=1/2V
DRM
, I
G
= 1.0A ，T
j
=125°C
200
4000
6.7
×
10
4
通态电流临界上升率
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值正向电压
栅极峰值反向电压
栅极峰值正向电流
结温
储存温度
隔离电压
100
10
3.0
10
5.0
4.0
–40~+125
–40~+125
带电部分案例
主端子螺钉M8
2500
8.83~10.8
90~110
1.96~3.92
20~40
300
—
安装力矩
安装螺钉M6
—
重量
典型的价值
电气特性
范围
符号
I
RRM
I
DRM
V
TM
dv / dt的
V
GT
V
GD
I
GT
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
—
参数
反向重复峰值电流
重复峰值断态电流
通态电压
断态电压临界上升率
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
热阻
接触热阻
绝缘电阻
T
j
= 125°C ，V
RRM
应用的
T
j
= 125°C ，V
DRM
应用的
T
j
= 125℃ ，我
TM
= 600A ，瞬时测定值。
T
j
= 125°C ，V
D
=2/3V
DRM
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，R
L
=2
T
j
= 125°C ，V
D
=1/2V
DRM
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，R
L
=2
结到外壳（每1/2模块）
案例鳍，导电脂应用（每1/2模块）
测量的主要终端之间的500V兆欧表
与案例
测试条件
分钟。
—
—
—
500
—
0.25
15
—
—
10
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
30
30
1.35
—
3.0
—
100
0.2
0.1
—
单位
mA
mA
V
V / μs的
V
V
mA
°C/
W
°C/
W
M
Feb.1999
三菱晶闸管模块
TM200DZ/CZ/PZ-M,-H,-24,-2H
高功率一般使用
绝缘型
性能曲线
最大通态特性
额定浪涌（不重复）
通态电流
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
–1
10
0.5
SURGE （不重复）
通态电流（A ）
通态电流（A ）
10
2
7
5
3
2
4000
T
j
=125°C
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2 3
5 7 10
20 30
50 70100
通态电压（V ）
导通时间
（周期为60Hz ）
最大瞬态热
阻抗（结点到外壳）
10
0
2 3 5 710
1
2 3
0.25
GATE特性
V
FGM
=10V
V
GT
=3.0V
P
G（ AV ）
=
3.0W
栅极电压（ V）
10
1
7
5
3
2
P
GM
=10W
瞬态热阻抗
（ ° C / W）
4
3
2
0.20
0.15
10
0
7
5 I
GT
=
100mA
3
2
–1
10
V
GD
=0.25V
I
FGM
=4.0A
7
5
410
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
栅极电流（毫安）
T
j
=25°C
0.10
0.05
0
10
–3
2 3 5 710
–2
2 3 5 7 10
–1
2 3 5 7 10
0
时间（s）
最大平均通态
功耗
（单相半波）
平均水平的限制值
通态电流
（单相半波）
320
通态平均功耗
耗散（W）的
130
180°
120°
90°
60°
外壳温度（ ° C）
280
240
200
160
120
80
40
0
0
θ
360°
电阻式，
电感
负载
θ=30°
120
110
100
90
80
70
60
PER单
元素
θ
360°
电阻式，
电感
负载
PER单
元素
θ=30°
0
40
80
60°
90° 120° 180°
120
160
200
40
80
120
160
200
50
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
Feb.1999
三菱晶闸管模块
TM200DZ/CZ/PZ-M,-H,-24,-2H
高功率一般使用
绝缘型
400
最大平均通态
功耗
（矩形波）
DC
270°
130
120
平均水平的限制值
通态电流
（矩形波）
PER单
元素
θ
360°
电阻式，
电感
负载
通态平均功耗
耗散（W）的
350
300
250
200
150
100
50
0
0
外壳温度（ ° C）
θ
360°
180°
电阻式，
120°
电感
负载
90°
60°
θ=30°
110
100
90
80
70
60
50
40
30
0
PER单
元素
40
80 120 160 200 240 280 320
120°
θ=30°
60° 90° 180°
40
270 °直流
80 120 160 200 240 280 320
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
Feb.1999
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