TM124BBJ32F ， TM124BBJ32U 1048576 32位动态RAM模块

TM248CBJ32F ， TM248CBJ32U 2097152 32位动态RAM模块

SMMS661 - 1996年1月

组织

TM124BBJ32F 。 。 。 1 048 576

×

32

TM248CBJ32F 。 。 。 2 097 152

×

32

采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）

72脚单列直插式内存模块

（ SIMM ），以用于插座

TM124BBJ32F - 利用两个16兆位

DRAM的塑料小外形J引线

（ SOJ ）包

TM248CBJ32F - 采用4个16兆

DRAM的塑料小外形J引线

（ SOJ ）包

龙刷新周期

16毫秒（ 1 024周期）

所有输入，输出，时钟全

TTL兼容

三态输出

针对8种常见常用的CAS控制

数据输入和数据输出线在四个街区

增强的分页模式操作使用

CAS先于RAS （ CBR ） ， RAS -而已，

隐藏刷新

设备检测

性能范围：

ACCESS

时间

TRAC

（最大）

60纳秒

70纳秒

80纳秒

60纳秒

70纳秒

80纳秒

ACCESS READ ACCESS

时间

时间

OR

TAA

大隘社写

周期

（最大）

（最大）

（分钟）

30纳秒

15纳秒

110纳秒

35纳秒

18纳秒

130纳秒

40纳秒

20纳秒

150纳秒

30纳秒

15纳秒

110纳秒

35纳秒

18纳秒

130纳秒

40纳秒

20纳秒

150纳秒

’124BBJ32F-60

’124BBJ32F-70

’124BBJ32F-80

’248CBJ32F-60

’248CBJ32F-70

’248CBJ32F-80

低功耗

工作自由空气的温度范围内

0 ° C至70℃

金标签式的版本可供选择：

TM124BBJ32F

TM248CBJ32F

锡铅（焊接）选项卡式版本

可用：

TM124BBJ32U

TM248CBJ32U

描述

TM124BBJ32F

该TM124BBJ32F是组织为四次4 MB的动态随机存取存储器（ DRAM ）

1 048 576

×

8在一个72引脚的SIMM 。在SIMM是由两个TMS418160DZ ， 1 048 576

×

16位的DRAM中，每

在一个42引脚塑料封装SOJ与安装去耦电容的衬底上。该TMS418160DZ是

在TMS418160数据手册中描述。该TM124BBJ32F SIMM是在单面BJ-无铅可用

模块与插槽的使用。

TM248CBJ32F

该TM248CBJ32F是有组织的四倍一个8 MB的DRAM 2 097 152

×

8在一个72引脚的SIMM 。在SIMM

由四个TMS418160DZ ， 1 048 576

×

16位的DRAM ，在每一个42引脚塑料封装SOJ安装

与去耦电容器的基片。该TMS418160DZ是在TMS418160数据手册中描述。该

TM248CBJ32F SIMM是用于与插座使用双面BJ-无引线模块中提供。

手术

该TM124BBJ32F工作在双TMS418160DZs所示连接的功能框图和

表1. TM248CBJ32F操作为4 TMS418160DZs所示连接的功能块

图和表1的通用I / O功能要求使用的早期写周期，以防止竞争对

D和Q.

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

本数据手册材料编号为金标签版本;该信息适用于黄金标签和焊接标签的版本。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1996年，德州仪器

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

1

TM124BBJ32F ， TM124BBJ32U 1048576 32位动态RAM模块

TM248CBJ32F ， TM248CBJ32U 2097152 32位动态RAM模块

SMMS661 - 1996年1月

BJ单列直插式内存模块

（顶视图）

TM124BBJ32F

（ SIDE VIEW ）

TM248CBJ32F

（ SIDE VIEW ）

VSS

DQ0

DQ16

DQ1

DQ17

DQ2

DQ18

DQ3

DQ19

VCC

NC

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

NC

DQ4

DQ20

DQ5

DQ21

DQ6

DQ22

DQ7

DQ23

A7

NC

VCC

A8

A9

RAS3

RAS2

NC

NC

NC

NC

VSS

CAS0

CAS2

CAS3

CAS1

RAS0

RAS1

NC

W

NC

DQ8

DQ24

DQ9

DQ25

DQ10

DQ26

DQ11

DQ27

DQ12

DQ28

VCC

DQ29

DQ13

DQ30

DQ14

DQ31

DQ15

NC

PD1

PD2

PD3

PD4

NC

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

51

52

53

54

55

56

57

58

59

60

61

62

63

64

65

66

67

68

69

70

71

72

PIN NOMENCLATURE

A0 – A9

CAS0 - CAS3

DQ0 DQ31

NC

PD1 PD4

RAS0 - RAS3

VCC

VSS

W

地址输入

列地址选通

数据输入/输出

无连接

存在检测

行地址选通

5 V电源

地

写使能

设备检测

信号

（ PIN）

80纳秒

TM124BBJ32F

70纳秒

60纳秒

80纳秒

TM248CBJ32F

70纳秒

60纳秒

PD1

(67)

VSS

VSS

VSS

NC

NC

NC

PD2

(68)

VSS

VSS

VSS

NC

NC

NC

PD3

(69)

NC

VSS

NC

NC

VSS

NC

PD4

(70)

VSS

NC

NC

VSS

NC

NC

2

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

TM124BBJ32F ， TM124BBJ32U 1048576 32位动态RAM模块

TM248CBJ32F ， TM248CBJ32U 2097152 32位动态RAM模块

SMMS661 - 1996年1月

表1.连接表

数据块

DQ0 - DQ7

DQ8 - DQ15

DQ16 - DQ23

RASx

方1

RAS0

RAS0

RAS2

SIDE 2

RAS1

RAS1

RAS3

RAS3

CASx

CAS0

CAS1

CAS2

CAS3

DQ24 - DQ31

RAS2

2面仅适用于TM248CBJ32F 。

单列直插存储器模块和组件

PC基材： 1,27

±

0.1毫米（0.05英寸）的公称厚度; 0.005英寸/英寸最大翘曲

旁路电容：多层陶瓷

接触面积TM124BBJ32F和TM248CBJ32F ：镍板和黄金板块在铜

接触面积TM124BBJ32U和TM248CBJ32U ：镍板和锡/铅在铜

功能框图（ TM124BBJ32F和TM248CBJ32F ，一边1 ）

A0 – A9

RAS0

W

10

10

CAS1

CAS0

1M

×

16

A0 –A9

DQ0

DQ7

RAS

W

LCAS

DQ8 -

UCAS

DQ15

10

DQ8 - DQ15

CAS3

CAS2

DQ0 - DQ7

1M

×

16

A0 –A9

DQ0

RAS

DQ7

W

LCAS

DQ8 -

UCAS

DQ15

DQ24 - DQ31

DQ16 - DQ23

功能框图（ TM248CBJ32F ，侧面2 ）

A0 – A9

RAS1

W

10

10

CAS0

CAS1

1M

×

16

A0 –A9

DQ0

RAS

DQ7

W

LCAS

DQ8 -

UCAS

DQ15

10

DQ0 - DQ7

DQ8 - DQ15

CAS2

CAS3

1M

×

16

A0 –A9

DQ0

RAS

DQ7

W

LCAS

DQ8 -

UCAS

DQ15

DQ16 - DQ23

DQ24 - DQ31

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

3

TM124BBJ32F ， TM124BBJ32U 1048576 32位动态RAM模块

TM248CBJ32F ， TM248CBJ32U 2097152 32位动态RAM模块

SMMS661 - 1996年1月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1 V至7 V

任何引脚电压范围（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1 V至7 V

短路输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

功耗： TM124BBJ32F ， TM124BBJ32U 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2 W

TM248CBJ32F ， TM248CBJ32U 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4 W

工作的自由空气的温度范围内，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：所有的电压值是相对于VSS。

推荐工作条件

民

VCC

VIH

VIL

TA

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压（见注2 ）

工作自由空气的温度

4.5

2.4

–1

0

喃

5

最大

5.5

6.5

0.8

70

单位

V

V

V

°C

注2：代数约定，其中，更负（少正）限制被指定为最小，仅用于逻辑电压电平。

电气特性在推荐的电源电压范围和工作的自由空气

温度（除非另有说明）

参数

VOH

VOL

II

高电平输出电压

低电平输出电压

输入电流（泄漏）

测试条件

IOH = - 5毫安

IOL = 4.2毫安

VCC = 5.5 V ， VI = 0 V至6.5 V ，

所有其他引脚= 0 V至VCC

VCC = 5.5 V ，

VO = 0 V至VCC ，

CAS高

VCC = 5.5 V ，最小周期

VIH = 2.4 V （ TTL ） ，

经过1存储周期，

RAS和CAS高

VIH = VCC - 0.2 V （ CMOS ）

经过1存储周期，

RAS和CAS高

VCC = 5.5 V ，最小周期，

RAS骑自行车，

（仅适用于RAS ） CAS高;

RAS低CAS低（ CBR ）后

VCC = 5.5 V ， TPC = MIN ，

CAS骑自行车

RAS低，

“ 124BBJ32F - 60

民

2.4

0.4

±

10

±

10

最大

“ 124BBJ32F - 70

民

2.4

0.4

±

10

±

10

最大

“ 124BBJ32F - 80

民

2.4

0.4

±

10

±

10

最大

单位

V

V

A

A

IO

输出电流（泄漏）

读或写周期

当前

ICC1

380

360

340

mA

4

4

4

mA

ICC2

待机电流

2

2

2

mA

ICC3

平均刷新电流

（ RAS只或CBR ）

380

360

340

mA

ICC4

平均电流页面

200

180

160

mA

对于显示为MIN / MAX的测试条件下，使用推荐的工作条件下，指定相应的值。

4

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

TM124BBJ32F ， TM124BBJ32U 1048576 32位动态RAM模块

TM248CBJ32F ， TM248CBJ32U 2097152 32位动态RAM模块

SMMS661 - 1996年1月

电气特性在推荐的电源电压范围和工作的自由空气

温度（除非另有说明）

参数

VOH

VOL

II

IO

ICC1

高电平的输出

电压

低电平输出

电压

输入电流

（泄漏）

输出电流

（泄漏）

读或写周期

电流（见注3 ）

测试条件

IOH = - 5毫安

IOL = 4.2毫安

VCC = 5.5 V ，

VI = 0 V至6.5 V ，

所有其他引脚= 0 V至VCC

VCC = 5.5 V ，

VO = 0 V至VCC ，中国科学院高

VCC = 5.5 V ，

最小周期

“ 248CBJ32F - 60

民

2.4

0.4

±

10

±

20

384

最大

“ 248CBJ32F - 70

民

2.4

0.4

±

10

±

20

364

最大

“ 248CBJ32F - 80

民

2.4

0.4

±

10

±

20

344

最大

单位

V

V

A

A

mA

ICC2

待机电流

VIH = 2.4 V （ TTL ） ，

经过1存储周期，

RAS和CAS高

VIH = VCC - 0.2 V （ CMOS ）

经过1存储周期，

RAS和CAS高

VCC = 5.5 V ，

最小周期，

RAS骑自行车，

（仅适用于RAS ） CAS高;

RAS低CAS低（ CBR ）后

VCC = 5.5 V ，

RAS低，

TPC = MIN ，

CAS骑自行车

8

8

8

mA

4

4

4

mA

ICC3

平均刷新

电流（ RAS或只

CBR ） （见注3 ）

平均电流页面

（见注4 ）

760

720

680

mA

ICC4

204

184

164

mA

对于显示为MIN / MAX的测试条件下，使用推荐的工作条件下，指定相应的值。

注：3.测得的最大地址变化，而RAS = VIL的

4.测得的最大地址变化，而CAS = VIH的

电容在推荐的电源电压范围和经营自由的空气温度，

F = 1兆赫（见注5 ）

参数

CI （ A）

次（R）的

CI （ C）

次（W）的

共（DQ）

输入电容， A0 - A9

输入电容，输入RAS

输入电容，中科院投入

输入电容，W

输出电容上的DQ0 - DQ31

’124BBJ32F

民

最大

17

10

12

21

10

’248CBJ32F

民

最大

27

10

19

35

17

单位

pF

pF

pF

pF

pF

注5 ： VCC = 5 V

±

0.5 V和测试引脚偏置为0V。

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

5