TLZ系列
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威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
非常尖锐的反向特性
低反向电流水平
非常高的稳定性
- 低噪声
高可靠性
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 56
5至20
脉冲电流
单身
单位
V
mA
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
应用
电压稳定
订购信息
设备名称
TLZ系列
TLZ系列
订购代码
TLZ-series-GS18
TLZ-series-GS08
每卷胶带单位
10 000（ 13"上排8毫米磁带）
2500 （上7"卷轴8mm带）
最小起订量
10 000 /盒
12 500 /盒
包
包名称
MiniMELF SOD- 80
重量
31毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
齐纳电流
结到环境空气
结温
存储温度范围
正向电压（最大）
I
F
= 200毫安
在PC板50毫米×50毫米× 1.6毫米
测试条件
R
thJA
300 K / W
符号
P
合计
I
Z
R
thJA
T
j
T
英镑
V
F
价值
500
P
合计
/V
Z
500
175
- 65 + 175
1.5
单位
mW
mA
K / W
°C
°C
V
2.1版， 9月27 11
文档编号： 85635
1
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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受到特定的免责声明，阐明的AT
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TLZ系列
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威世半导体
反向漏
当前
I
R
在V
R
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马克斯。
20
20
20
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20
20
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20
20
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20
20
20
20
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20
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20
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20
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1
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1
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0.5
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0.5
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70
50
50
50
10
10
10
5
5
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3
3
3
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6
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2
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3
7.5
7.5
7.5
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0.04
0.04
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2
4
4
4
4
4
4
6.5
6.73
6.93
7.15
7.39
7.63
7.88
8.14
8.39
8.66
8.94
9.22
9.44
V
马克斯。
100
100
100
100
80
80
70
70
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60
50
50
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40
40
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25
25
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20
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13
13
13
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10
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8
8
8
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8
8
8
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8
8
8
8
8
8
8
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
马克斯。
2000
2000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
900
900
900
800
800
800
500
500
500
300
300
300
150
150
150
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
Z
ZK
在我
ZT2
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压范围
产品型号
记号
CODE
分钟。
TLZ2V4A
TLZ2V4B
TLZ2V7A
TLZ2V7B
TLZ3V0A
TLZ3V0B
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TLZ3V3B
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TLZ3V6B
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TLZ3V9B
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TLZ4V3C
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TLZ4V7B
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TLZ5V6B
TLZ5V6C
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TLZ6V2B
TLZ6V2C
TLZ6V8A
TLZ6V8B
TLZ6V8C
TLZ7V5A
TLZ7V5B
TLZ7V5C
TLZ8V2A
TLZ8V2B
TLZ8V2C
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TLZ9V1B
TLZ9V1C
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TLZ10C
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7B5
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9B1
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10D
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7.29
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8.29
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9.94
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
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2.4
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2.7
3.0
3.0
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3.3
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3.6
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3.9
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4.7
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5.1
5.1
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5.6
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6.2
6.2
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6.8
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9.1
9.1
10
10
10
10
马克斯。
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6.83
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7.22
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8.45
8.73
9.01
9.3
9.59
9.9
10.2
10.44
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
2.1版， 9月27 11
文档编号： 85635
2
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TLZ系列
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威世半导体
反向漏
当前
I
R
在V
R
μA
马克斯。
10
10
10
10
10
10
10
10
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10
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5
5
5
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13.6
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16.5
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17.7
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18.7
19.1
19.6
20
20.4
20.9
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28.8
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29.9
30.5
31.2
31.7
32.3
V
马克斯。
10
10
10
12
12
12
14
14
14
16
16
16
18
18
18
23
23
23
28
28
28
28
30
30
30
30
35
35
35
35
45
45
45
45
55
55
55
55
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65
65
65
75
75
75
75
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
马克斯。
120
120
120
110
110
110
110
110
110
110
110
110
150
150
150
150
150
150
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
Z
ZK
在我
ZT2
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压范围
产品型号
记号
CODE
分钟。
TLZ11A
TLZ11B
TLZ11C
TLZ12A
TLZ12B
TLZ12C
TLZ13A
TLZ13B
TLZ13C
TLZ15A
TLZ15B
TLZ15C
TLZ16A
TLZ16B
TLZ16C
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TLZ33A
TLZ33B
TLZ33C
TLZ33D
TLZ36A
TLZ36B
TLZ36C
TLZ36D
2.1版， 9月27 11
11A
11B
11C
12A
12B
12C
13A
13B
13C
15A
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16C
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24C
24D
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34.01
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
11
11
11
12
12
12
13
13
13
15
15
15
16
16
16
18
18
18
20
20
20
20
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22
22
22
24
24
24
24
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27
27
27
30
30
30
30
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33
33
33
36
36
36
36
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21.2
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31.22
31.88
32.5
33.11
33.79
34.49
35.13
35.77
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
文档编号： 85635
3
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威世半导体
反向漏
当前
I
R
在V
R
μA
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
0.5
0.5
0.5
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-
-
-
-
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0.04
0.04
0.04
0.04
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33.6
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34.8
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37
38
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45.6
50.4
V
马克斯。
85
85
85
85
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85
90
90
100
100
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
马克斯。
250
250
250
250
250
250
250
-
-
-
-
Z
ZK
在我
ZT2
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压范围
产品型号
记号
CODE
分钟。
TLZ39A
TLZ39B
TLZ39C
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TLZ39F
TLZ39G
TLZ43
TLZ47
TLZ51
TLZ56
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39B
39C
39D
39E
39F
39G
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48
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V
Z
在我
ZT1
V
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马克斯。
36.47
37.19
37.85
38.52
39.29
40.11
40.8
45
49
54
60
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
600
500
400
300
200
100
0
0
95 9602
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
1.3
V
ZTN
- 相对电压变化
V
ZTN
= V
Zt
/V
Z
(25 °C)
1.2
TK
VZ
= 10 x 10
-4
/K
8 x 10
-4
/K
6 x 10
-4
/K
4 x 10
-4
/K
2 x 10
-4
/K
1.1
1.0
0.9
0
- 2 x 10
-4
/K
- 4 x 10
-4
/K
0.8
80
120
160 200
40
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
- 60
95 9599
0
60
120
180
240
T
j
- 结温（ ° C）
图。 1 -
总功率耗散与环境温度
图。 3 -
工作电压与典型的变化
结温
1000
15
T
j
= 25 °C
100
TK
VZ
- 温度系数
of
V
Z
(10
-4
/K)
V
Z
-
电压
CHANGE （MV ）
10
I
Z
= 5毫安
10
5
I
Z
= 5毫安
0
1
0
95 9598
5
10
15
20
25
-5
V
Z
- z - 电压（V）
95 9600
0
10
20
30
40
50
V
Z
- z - 电压（V）
图。 2 -
工作电压下工作的典型变化
在T条件
AMB
= 25 °C
图。 4 -
V温度COEF网络cient
Z
与Z-电压
2.1版， 9月27 11
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TLZ系列
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威世半导体
50
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
200
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
R
= 2
V
T
j
= 25 °C
100
I
Z
- Z-电流（mA ）
25
150
40
30
20
50
10
0
0
5
10
15
20
0
15
95 9607
20
25
30
35
95 9601
V
Z
- z - 电压（V）
V
Z
- z - 电压（V）
图。 8 -
Z-电流与Z-电压
图。 5 -
二极管电容与Z-电压
100
1000
10
r
Z
- 微分Z-电阻（Ω ）
I
F
- 正向电流（mA ）
I
Z
= 1毫安
100
1
T
j
= 25 °C
5毫安
10 10毫安
0.1
0.01
0.001
0
95 9605
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
95 9606
T
j
= 25 °C
0
5
10
15
20
25
V
F
- 前进
电压
(V)
V
Z
- z - 电压（V）
图。 6 -
正向电流与正向电压
图。 9 -
差分Z-电阻与Z-电压
100
80
I
Z
- Z-电流（mA ）
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
60
40
20
0
0
95 9604
4
6
8
12
20
V
Z
- z - 电压（V）
图。 7 -
Z-电流与Z-电压
2.1版， 9月27 11
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TLZ系列
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
非常尖锐的反向特性
低反向电流水平
e2
非常高的稳定性
低噪音
高可靠性
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
17205
应用
电压稳定
机械数据
案例：
MiniMELF玻璃的情况下SOD80
重量：
约。 31毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
功耗
Z-电流
结温
存储温度范围
测试条件
R
thJA
≤
300 K / W
符号
P
合计
I
Z
T
j
T
英镑
价值
500
P
合计
/V
Z
175
- 65 + 175
单位
mW
mA
°C
°C
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
测试条件
在PC板50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
价值
500
单位
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 200毫安
符号
V
F
民
典型值。
最大
1.5
单位
V
文档编号85635
修订版1.9 ， 23 -MAR -06
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