TLZ系列
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威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
非常尖锐的反向特性
低反向电流水平
非常高的稳定性
- 低噪声
高可靠性
AEC- Q101标准
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 56
5至20
脉冲电流
单身
单位
V
mA
应用
电压稳定
订购信息
设备名称
TLZ系列
TLZ系列
订购代码
TLZ-series-GS18
TLZ-series-GS08
每卷胶带单位
10 000（ 13"上排8毫米磁带）
2500 （上7"卷轴8mm带）
最小起订量
10 000 /盒
12 500 /盒
包
包名称
MiniMELF SOD- 80
重量
31毫克
模塑料
可燃性等级
-
湿气敏感度
水平
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
齐纳电流
结到环境空气
结温
存储温度范围
正向电压（最大）
I
F
= 200毫安
在PC板50毫米×50毫米× 1.6毫米
测试条件
R
thJA
300 K / W
符号
P
合计
I
Z
R
thJA
T
j
T
英镑
V
F
价值
500
P
合计
/V
Z
500
175
- 65 + 175
1.5
单位
mW
mA
K / W
°C
°C
V
2.2版， 26军， 12
文档编号： 85635
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
TLZ系列
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威世半导体
反向漏
当前
I
R
在V
R
μA
马克斯。
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
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20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
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20
1
1
1
1
1
1
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1
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0.5
0.5
0.5
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0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
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70
50
50
50
10
10
10
5
5
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3
3
3
3
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5
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2
2
2
1
1
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3
7.5
7.5
7.5
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0.04
0.04
0.04
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1
1
1
1
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2
2
2
2
2
4
4
4
4
4
4
6.5
6.73
6.93
7.15
7.39
7.63
7.88
8.14
8.39
8.66
8.94
9.22
9.44
V
马克斯。
100
100
100
100
80
80
70
70
60
60
50
50
40
40
40
25
25
25
20
20
20
13
13
13
10
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10
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
马克斯。
2000
2000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
900
900
900
800
800
800
500
500
500
300
300
300
150
150
150
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
Z
ZK
在我
ZT2
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压范围
产品型号
记号
CODE
分钟。
TLZ2V4A
TLZ2V4B
TLZ2V7A
TLZ2V7B
TLZ3V0A
TLZ3V0B
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TLZ3V3B
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TLZ3V6B
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TLZ4V3B
TLZ4V3C
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TLZ4V7B
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TLZ5V6B
TLZ5V6C
TLZ6V2A
TLZ6V2B
TLZ6V2C
TLZ6V8A
TLZ6V8B
TLZ6V8C
TLZ7V5A
TLZ7V5B
TLZ7V5C
TLZ8V2A
TLZ8V2B
TLZ8V2C
TLZ9V1A
TLZ9V1B
TLZ9V1C
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TLZ10B
TLZ10C
TLZ10D
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2B4
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2B7
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3B3
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3B6
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3B9
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4B7
4C7
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5B6
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7B5
7C5
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8B2
8C2
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9B1
9C1
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10B
10C
10D
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3.89
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4.3
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6.29
6.49
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7.29
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8.03
8.29
8.57
8.83
9.12
9.41
9.7
9.94
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
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2.4
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2.7
3.0
3.0
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3.3
3.6
3.6
3.9
3.9
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4.3
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4.7
4.7
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5.1
5.1
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5.6
5.6
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6.2
6.2
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6.8
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7.5
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8.2
8.2
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9.1
9.1
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10
10
10
马克斯。
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4.8
4.93
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5.2
5.37
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5.73
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6.27
6.44
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6.83
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7.22
7.45
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7.92
8.19
8.45
8.73
9.01
9.3
9.59
9.9
10.2
10.44
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
2.2版， 26军， 12
文档编号： 85635
2
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TLZ系列
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威世半导体
反向漏
当前
I
R
在V
R
μA
马克斯。
10
10
10
10
10
10
10
10
10
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10
10
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10
10
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10
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5
5
5
5
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5
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13.6
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16.5
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17.7
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18.7
19.1
19.6
20
20.4
20.9
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22.4
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28.8
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29.9
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31.2
31.7
32.3
V
马克斯。
10
10
10
12
12
12
14
14
14
16
16
16
18
18
18
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23
23
28
28
28
28
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30
30
30
35
35
35
35
45
45
45
45
55
55
55
55
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65
65
65
75
75
75
75
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
马克斯。
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120
120
110
110
110
110
110
110
110
110
110
150
150
150
150
150
150
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
Z
ZK
在我
ZT2
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压范围
产品型号
记号
CODE
分钟。
TLZ11A
TLZ11B
TLZ11C
TLZ12A
TLZ12B
TLZ12C
TLZ13A
TLZ13B
TLZ13C
TLZ15A
TLZ15B
TLZ15C
TLZ16A
TLZ16B
TLZ16C
TLZ18A
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TLZ18C
TLZ20A
TLZ20B
TLZ20C
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TLZ22A
TLZ22B
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TLZ22D
TLZ24A
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TLZ27C
TLZ27D
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TLZ30C
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TLZ33A
TLZ33B
TLZ33C
TLZ33D
TLZ36A
TLZ36B
TLZ36C
TLZ36D
2.2版， 26军， 12
11A
11B
11C
12A
12B
12C
13A
13B
13C
15A
15B
15C
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16B
16C
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18B
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20A
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24C
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34.01
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
11
11
11
12
12
12
13
13
13
15
15
15
16
16
16
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18
18
20
20
20
20
22
22
22
22
24
24
24
24
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27
27
27
30
30
30
30
33
33
33
33
36
36
36
36
马克斯。
10.71
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20.72
21.2
21.71
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30.51
31.22
31.88
32.5
33.11
33.79
34.49
35.13
35.77
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
文档编号： 85635
3
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TLZ系列
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威世半导体
反向漏
当前
I
R
在V
R
μA
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
0.5
0.5
0.5
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0.5
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0.5
-
-
-
-
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
32.9
33.6
34.2
34.8
35.5
36.2
37
38
41.8
45.6
50.4
V
马克斯。
85
85
85
85
85
85
85
90
90
100
100
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
马克斯。
250
250
250
250
250
250
250
-
-
-
-
Z
ZK
在我
ZT2
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压范围
产品型号
记号
CODE
分钟。
TLZ39A
TLZ39B
TLZ39C
TLZ39D
TLZ39E
TLZ39F
TLZ39G
TLZ43
TLZ47
TLZ51
TLZ56
39A
39B
39C
39D
39E
39F
39G
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36.63
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V
Z
在我
ZT1
V
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39
39
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马克斯。
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38.52
39.29
40.11
40.8
45
49
54
60
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
600
500
400
300
200
100
0
0
95 9602
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
1.3
V
ZTN
- 相对电压变化
V
ZTN
= V
Zt
/V
Z
(25 °C)
1.2
TK
VZ
= 10 x 10
-4
/K
8 x 10
-4
/K
6 x 10
-4
/K
4 x 10
-4
/K
2 x 10
-4
/K
1.1
1.0
0.9
0
- 2 x 10
-4
/K
- 4 x 10
-4
/K
0.8
80
120
160 200
40
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
- 60
95 9599
0
60
120
180
240
T
j
- 结温（ ° C）
图。 1 -
总功率耗散与环境温度
图。 3 -
工作电压与典型的变化
结温
1000
15
T
j
= 25 °C
100
TK
VZ
- 温度系数
of
V
Z
(10
-4
/K)
V
Z
-
电压
CHANGE （MV ）
10
I
Z
= 5毫安
10
5
I
Z
= 5毫安
0
1
0
95 9598
5
10
15
20
25
-5
V
Z
- z - 电压（V）
95 9600
0
10
20
30
40
50
V
Z
- z - 电压（V）
图。 2 -
工作电压下工作的典型变化
在T条件
AMB
= 25 °C
图。 4 -
V温度COEF网络cient
Z
与Z-电压
2.2版， 26军， 12
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4
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TLZ系列
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威世半导体
50
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
200
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
R
= 2
V
T
j
= 25 °C
100
I
Z
- Z-电流（mA ）
25
150
40
30
20
50
10
0
0
5
10
15
20
0
15
95 9607
20
25
30
35
95 9601
V
Z
- z - 电压（V）
V
Z
- z - 电压（V）
图。 8 -
Z-电流与Z-电压
图。 5 -
二极管电容与Z-电压
100
1000
10
r
Z
- 微分Z-电阻（Ω ）
I
F
- 正向电流（mA ）
I
Z
= 1毫安
100
1
T
j
= 25 °C
5毫安
10 10毫安
0.1
0.01
0.001
0
95 9605
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
95 9606
T
j
= 25 °C
0
5
10
15
20
25
V
F
- 前进
电压
(V)
V
Z
- z - 电压（V）
图。 6 -
正向电流与正向电压
图。 9 -
差分Z-电阻与Z-电压
100
80
I
Z
- Z-电流（mA ）
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
60
40
20
0
0
95 9604
4
6
8
12
20
V
Z
- z - 电压（V）
图。 7 -
Z-电流与Z-电压
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